用于3D装置的检验及检视的电子束系统制造方法及图纸

一种用于3D装置的晶片检验及检视的电子束系统提供高达20微米的焦深。为了检验且检视具有在数百到数千电子伏特的低着陆能量的晶片表面或次微米以下表面缺陷，可搭配能量增强上韦内电极使用具有三个磁性偏转器的无维恩滤波器的射束分离光学器件以减小物镜的球差及色差系数。及色差系数。及色差系数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于3D装置的检验及检视的电子束系统
[0001]相关申请案的交叉参考
[0002]本申请案主张2020年4月15日申请且被指定第63/010,097号美国申请案的临时专利申请案的优先权，所述申请案的公开内容特此以引用方式并入。


[0003]本公开涉及电子束系统。

技术介绍

[0004]半导体制造行业的演变对良率管理且特定来说对计量及检验系统寄予更高要求。关键尺寸继续缩小，然而行业需要减少实现高良率、高价值生产的时间。最小化从检测到良率问题到将其修复的总时间确定对于半导体制造者的投资回报。
[0005]制造例如逻辑及存储器装置的半导体装置通常包含使用大量制造过程来处理半导体晶片以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是涉及将图案从光罩转印到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制造过程。半导体制造过程的额外实例包含(但不限于)化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。制造于单半导体晶片上的多个半导体装置的布置可被分成个别半导体装置。
[0006]在半导体制造期间的各个步骤使用检验过程以检测晶片上的缺陷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种系统，其包括：电子束源，其产生电子束；射束限制孔隙，其安置于所述电子束的路径中；下韦内电极，其安置于所述电子束的所述路径中；上韦内电极，其在所述电子束的所述路径中安置于所述下韦内电极与所述射束限制孔隙之间；环形检测器，其安置于所述上韦内电极的面向所述下韦内电极的表面上；磁性聚光透镜，其在所述电子束的所述路径中安置于所述上韦内电极与所述射束限制孔隙之间，其中所述磁性聚光透镜包含极片及聚光透镜线圈；偏转器，其在所述电子束的所述路径中安置于所述上韦内电极与所述聚光透镜之间；磁性物镜线圈，其在所述电子束的所述路径中安置于所述偏转器与所述上韦内电极之间；及接地管，其安置于所述电子束的所述路径中，其中所述磁性物镜线圈安置于所述接地管周围。2.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括在所述电子束的所述路径中安置于所述聚光透镜与所述射束限制孔隙之间的孔隙。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述电子束源包含具有小于1μm的半径的尖端。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述偏转器是磁性偏转器或维恩滤波器。5.根据权利要求4所述的系统，其中所述偏转器是所述磁性偏转器，且所述系统进一步包括上磁性偏转器及中间磁性偏转器，所述上磁性偏转器在所述电子束的所述路径中安置于所述偏转器与所述磁性聚光透镜之间，且所述中间磁性偏转器在所述电子束的所述路径中安置于所述上磁性偏转器与所述磁性偏转器之间。6.根据权利要求5所述的系统，其中所述上磁性偏转器经配置以将所述电子束偏转到所述中间磁性偏转器，其中所述中间磁性偏转器经配置以在与所述上磁性偏转器的方向相反的方向上偏转所述电子束朝向所述磁性偏转器，且其中所述磁性偏转器经配置以偏转所述电子束且沿着所述路径将所述电子束准直到所述接地管中。7.根据权利要求5所述的系统，其中所述磁性偏转器、所述上磁性偏转器及所述中间磁性偏转器中的每一者具有旋转对称的八个磁极片。8.根据权利要求5所述的系统，其进一步包括安置于所述中间磁性偏转器与所述磁性偏转器之间的侧向检测器，其中所述侧向检测器经配置以收集至少二次电子。9.根据权利要求8所述的系统，其进一步包括安置于所述中间磁性偏转器与所述磁性偏转器之间的电子束弯曲器，其中所述电子束弯曲器经配置以在所述侧向检测器处的所述二次电...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜辛容，C，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：