【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和用于处理基板的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年5月25日提交韩国知识产权局的、申请号为10
‑
2021
‑
0066569的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用结合在本申请中。
[0003]本文中描述的专利技术构思的实施方案涉及一种基板处理装置和一种基板处理方法。
技术介绍
[0004]等离子体可以用于基板的处理工艺。例如，等离子体可以用于干式清洁工艺、灰化工艺或蚀刻工艺。等离子体由非常高的温度、强电场或射频(Radio Frequency，RF)电磁场产生，并且等离子体是指由离子、电子和自由基等组成的离子化气体状态。使用等离子体的干式清洁工艺、灰化工艺或蚀刻工艺通过使等离子体中包含的离子或自由基粒子与基板碰撞来执行。
[0005]此外，执行热处理以提高半导体晶圆表面的均匀性和膜质量，或去除基板表面处理的副产物。因此，半导体制造设施包括两种类型的腔室：用于等离子体处理的腔室和用于热处理...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：腔室，所述腔室具有内部空间；等离子体源，所述等离子体源配置为施加电场；第一气体供应单元，所述第一气体供应单元配置为将第一工艺气体供应至所述等离子体源将所述电场施加到的区域，当所述第一工艺气体在第一压力气氛下施加有第一强度的电场时，所述第一工艺气体被激发成等离子体；支承单元，所述支承单元设置在所述内部空间中、且配置为支承待处理的基板；以及无电极灯，所述无电极灯设置在所述内部空间中、在所述基板的上方，并且其中，所述无电极灯包括：电场传输壳体，在所述电场传输壳体中具有放电空间；以及放电材料，所述放电材料包括发光材料且填充所述放电空间，所述壳体的所述放电空间被加压至第二压力，并且所述放电材料当在第二压力下施加有第二强度的电场时放电且发光，所述第二强度比第一强度更高。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述发光材料包括含硫材料、金属硫化物、金属卤化物、汞或荧光材料。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述放电材料是惰性气体和所述发光材料的混合气体。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第二压力比所述第一压力更高。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述壳体的所述放电空间具有第一容积，并且所述第一容积的大小与由所述等离子源施加的所述第二强度的电场成比例。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述壳体包括电介质。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述壳体包括石英或Y2O3。8.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括板状的离子阻挡器，所述离子阻挡器将所述腔室的所述内部空间划分为第一空间和第二空间，所述第二空间在所述第一空间的下方，所述离子阻挡器具有多个通孔且接地，并且其中，所述无电极灯被耦合至所述离子阻挡器。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述第一气体供应单元将所述第一工艺气体供应至所述第一空间。10.根据权利要求9所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括第二气体供应单元，所述第二气体供应单元配置为将第二工艺气体供应至所述第二空间，并且其中，所述等离子体源被配置为将所述电场供应至所述第一空间。11.根据权利要求1至10中任一项所述的基板处理装置，其中，所述第一工艺气体是包含氟的气体。12.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述第二工艺气体是包含氢的气体。13.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述无电极灯设置在所述离子阻挡器的中心处。14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述无电极灯设置为多个。15.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述壳体的所述放电空间的侧壁和顶壁包括反射涂层。
16.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，并且其中，所述控制器被配置为执行：第一处理，所述第一处理用于在从所述第一气体供应单元供应所述第一工艺气体以从所述第一工艺气体产生等离子体的情况下，在所述第一压力气氛下通过所述等离子体源对所述第一强度的所述电场进行发散，并且用所述等离子体的自由基或离子处理基板；以及第二处理，所述第二处理用于通过停止供应所述第一工艺气体、排出所述内部空间中的所述第一工艺气体、并且使所述等离子体源发散所述第二强度的所述电场，使所述无电极灯放电以对基...
【专利技术属性】
技术研发人员：金东勋，朴玩哉，朴志焄，金杜里，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。