【技术实现步骤摘要】
一种测试电路及测试装置
[0001]本技术涉及电力电子器件测试
,尤其涉及一种测试电路及测试装置。
技术介绍
[0002]绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一种通过与金属
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氧化物半导体场效应晶体管(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor,MOSFET)相同的方式控制栅极和发射极之间的电压,接通和关断集电极和发射极之间电源的器件。作为一种大功率驱动器件,IGBT的应用领域十分的广泛,适用于家用电器和火车等基础设施的各类应用。
[0003]目前很多高铁动车组的牵引变流器内部均设有IGBT器件,在这种高电压,大电流的运行环境中,IGBT器件的性能关乎到乘客的生命安全。其中,为了确定IGBT器件是否处于安全状态,需要确定IGBT器件的参数是否在允许范围内。
[0004]现有针对IGBT器件栅极开启电压的检测设 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种测试电路,其特征在于,用于测试IGBT的开启电压,所述测试电路包括:控制驱动单元、测试单元、比较单元和供电单元,其中;所述供电单元通过所述测试单元与所述IGBT的C极电连接,所述IGBT的E极接地;所述比较单元的第一输入端连接于所述供电单元和所述测试单元之间,所述比较单元的第二输入端连接于所述测试单元与所述IGBT的C极之间,所述比较单元的输出端与所述控制驱动单元电连接;所述控制驱动单元与所述IGBT的G极电连接,用于向所述IGBT的G极提供PWM驱动信号和采集所述IGBT的开启电压。2.根据权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述控制驱动单元包括控制子单元和驱动子单元,所述控制子单元通过所述驱动子单元与所述IGBT的G极电连接,用于通过所述驱动子单元向所述IGBT的G极提供PWM驱动信号;所述控制子单元还与所述IGBT的G极电连接,用于采集所述IGBT的开启电压。3.根据权利要求2所述的测试电路,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑伟,孔二虎,
申请(专利权)人:北京爱德宝电子技术服务有限公司,
类型:新型
国别省市:
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