底电极激发式声表面波器件制备方法技术

本发明专利技术涉及一种底电极激发式声表面波器件制备方法，包括以下步骤：S1.在压电晶圆上进行光刻，制备出电极结构和叉指换能器结构；S2.在所述压电晶圆上沉积绝缘层，在所述绝缘层上侧套刻，定义绝缘层导通孔的位置；S3.对所述绝缘层进行刻蚀，暴露出所述电极结构；S4.在所述绝缘层导通孔侧壁进行种子层溅射，形成导通孔绝缘隔离层，并对所述绝缘层导通孔内进行电镀填充；S5.对衬底晶圆进行光刻，并定义出衬底晶圆导通孔的位置；S6.在衬底晶圆上刻蚀出所述衬底晶圆导通孔，并在所述衬底晶圆导通孔内进行衬底晶圆绝缘层溅射和衬底晶圆种子层侧壁溅射；S7.在所述衬底晶圆导通孔内进行电镀填充。本发明专利技术用于制备声表面波器件，减少声表面波器件受到外部环境的影响，提高声表面器件的高集成化需求。高集成化需求。高集成化需求。

【技术实现步骤摘要】
底电极激发式声表面波器件制备方法


[0001]本专利技术涉及声表面波滤波器
，尤其是涉及一种底电极激发式声表面波器件制备方法。

技术介绍

[0002]声表面波滤波器(surface acoustic wave，SAW)是一种用于通信、电台、雷达及其他相关射频前端领域的声学器件。
[0003]现阶段，相关SAW器件主要包括：传统SAW,TC
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SAW,IHP
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SAW等多类多种不同结构。其中TC
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SAW是一种通过在基础SAW结构上外覆SiO2温补膜层的方式实现抑制温漂作用的声学器件，被广泛应用于通讯终端之中；IHP
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SAW也称之为TF
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SAW是一种通过多层膜结构优化改性压电基底，最终实现更高性能的新型声学器件。无论是何种结构，SAW器件的工作原理基本相同，通过半导体加工工艺在压电材料或带有压电材料层的基体表面制备梳齿状的叉指换能器结构，通过压电层的压电与逆压电效应实现信号的电
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声
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>电传播，进而实现对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.在压电晶圆上进行光刻，制备出电极结构和叉指换能器结构；S2.在所述压电晶圆上沉积绝缘层，在所述绝缘层上侧套刻，定义绝缘层导通孔的位置；S3.对所述绝缘层进行刻蚀，暴露出所述电极结构；S4.在所述绝缘层导通孔侧壁进行导通孔种子层溅射，形成导通孔绝缘隔离层，并对所述绝缘层导通孔内进行电镀填充；S5.对衬底晶圆进行光刻，并定义出衬底晶圆导通孔的位置；S6.在衬底晶圆上刻蚀出所述衬底晶圆导通孔，并在所述衬底晶圆导通孔内进行衬底晶圆绝缘层溅射和衬底晶圆种子层侧壁溅射；S7.在所述衬底晶圆导通孔内进行电镀填充；S8.将带有填充后的所述衬底晶圆导通孔的所述衬底晶圆与带有所述电极结构的所述压电晶圆进行预处理及对准，并在常温下进行晶圆直接键合；S9.在所述衬底晶圆表面制备UBM焊盘，且所述UBM焊盘与所述衬底晶圆导通孔内的电镀材料接触。2.根据权利要求1所述的底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于：步骤S9中，还包括在所述UBM焊盘上制备焊点，所述焊点制备的方式包括BGA植球、Flip Chip植球及microbump电镀。3.根据权利要求1所述的底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述压电晶圆光刻前，在所述压电晶圆表面涂覆有光刻胶。4.根据权利要求1所述的底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于：步骤S4中，所述绝缘层制备完成后，在所述绝缘层表面沉积功能层。5.根据权利要求4所述的底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于：在所述绝缘层表面沉积所述功能层后，对所述功能层表面平整化，并在所述功能层上定义出功能层导通孔的位置并进...

【专利技术属性】
技术研发人员：于海洋，何长奉，王君，李湃，吴兵，王锴，陈瑞，
申请(专利权)人：北京航天微电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：