一种功率放大器模组封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术公开了一种功率放大器模组封装结构及其封装方法，包括基板、位于基板正面且具有开口的阻焊层、倒装于基板正面且位于阻焊层开口处的滤波器芯片以及与基板正面电连接的功率放大器以及避开功率放大器与基板连接处且覆盖于滤波器芯片和阻焊层上的可曝光隔离膜，所述滤波器芯片朝向基板一侧面均布有用于传输信号的凸点，滤波器芯片下表面与基板正面之间间隔有一定距离，且滤波器芯片、阻焊层、隔离膜和基板之间形成密封空腔。本发明专利技术是设置可曝光隔离膜，使得功率放大器可直接与基板电连接，实现了裸芯片封装的低成本并满足功率放大器元件高散热要求的特点。器元件高散热要求的特点。器元件高散热要求的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种功率放大器模组封装结构及其封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种功率放大器模组封装结构及其封装方法。

技术介绍

[0002]功率放大器模组需要有声表滤波器、功率放大器及其他元件组成，功率放大器模组在工作过程中发热量较高，并且功率放大器元件一般都需要焊线工艺完成连接。因此目前业内的封装方案：先将已经完成封装的滤波器元件及其他元件贴装到基板上，然后通过回流焊固定，然后用固晶设备将放大器贴装到载板上，随后采用焊线工艺进行放大器与基板之间的连接，最后采用注塑工艺完成封装。而又因为现有技术因为需要对声表滤波器元件进行WLP或者CSP封装，所以增大了制造成本。
[0003]因此，亟待解决上述问题。

技术实现思路

[0004]专利技术目的：本专利技术的第一目的是提供一种有效解决塌线和散热问题的功率放大器模组封装结构。
[0005]本专利技术的第二目的是提供一种功率放大器模组封装结构的封装方法。
[0006]技术方案：为实现以上目的，本专利技术公开了一种功率放大器模组封装结构，包括基板、位于基板正面且具有开口的阻焊层、倒装于基板正面且位于阻焊层开口处的滤波器芯片以及与基板正面电连接的功率放大器以及避开功率放大器与基板连接处且覆盖于滤波器芯片和阻焊层上的可曝光隔离膜，所述滤波器芯片朝向基板一侧面均布有用于传输信号的凸点，滤波器芯片下表面与基板正面之间间隔有一定距离，且滤波器芯片、阻焊层、可曝光隔离膜和基板之间形成密封空腔。
[0007]再者，固态膜的材质为含有光敏聚酰亚胺的环氧树脂，环氧树脂的可延展性满足能填入的相邻元件之间最小间距为100um，热膨胀系数小于100ppm/℃，抗蚀性能耐最大450℃的高温。
[0008]进一步，可曝光隔离膜由光刻胶涂覆形成。
[0009]优选的，光刻胶的抗蚀性能耐最大450℃的高温。
[0010]再者，可曝光隔离膜的厚度为10～50um。
[0011]再者，还包括覆盖于可曝光隔离膜、基板和功率放大器上的注塑层。
[0012]本专利技术一种功率放大器模组封装结构的封装方法，包括如下步骤：
[0013]S1、在基板上铺阻焊层，其中对应设置滤波器芯片处开设第一阻焊层开口，第一阻焊层开口相对于设计的滤波器芯片尺寸以中心内缩距离>10um；对应设置功率放大器处开设第二阻焊层开口；
[0014]S2、制备带凸点的滤波器芯片，凸点高度高于阻焊层高度；
[0015]S3、通过回流焊将带凸点的滤波器芯片焊接于第一阻焊层开口处基板的正面，滤
波器芯片的下表面与基板正面之间间隔有一定距离；
[0016]S4、在基板、阻焊层和滤波器芯片的上表面贴敷一可曝光隔离膜，可曝光隔离膜厚度控制在10～50um之间，且滤波器芯片、阻焊层、可曝光隔离膜和基板之间形成密封空腔；
[0017]S5、通过曝光显影将对应设置功率放大器的第二阻焊层开口处可曝光隔离膜移除，露出基板上需做固晶焊线的区域；
[0018]S6、在基板裸露区域通过固晶工艺贴装上功率放大器，通过焊线工艺实现功率放大器与基板之间的连接；
[0019]S7、进行注塑封装，形成覆盖于滤波器芯片、阻焊层和功率放大器上的注塑层。
[0020]再者，步骤S3中凸点在高温作用下融化，凸点高度下降使滤波器芯片下表面与相邻的阻焊层上表面相搭接，滤波器芯片、阻焊层和基板之间形成密封空腔。
[0021]进一步，可曝光隔离膜为固态膜或者由光刻胶涂覆形成。
[0022]有益效果：与现有技术相比，本专利技术具有以下显著优点：
[0023](1)本专利技术是设置可曝光隔离膜，使得功率放大器可直接与基板电连接，实现了裸芯片封装的低成本并满足功率放大器元件高散热要求的特点；
[0024](2)本专利技术采用固态膜或者光刻胶涂敷形成可曝光的隔离膜，可以任意选择元件表面覆盖区域，能兼顾滤波器的裸芯片封装时的空腔要求，又可以实现功率放大器元件表面无覆盖的要求；从而在实现裸滤波器芯片封装的低成本同时保证了功率放大器的可靠性要求；
[0025](3)本专利技术利用阻焊层开口处上表面与滤波器芯片下表面相搭接，使得滤波器芯片、阻焊层和基板之间形成密封空腔，既保证滤波器芯片底部存在空腔，又具有低成本及高可靠性的优点；
[0026](4)本专利技术的封装方法工艺相对简单，成本相对于当前主流的工艺均低。
附图说明
[0027]图1(a)～图1(e)为本专利技术封装方法步骤示意图。
具体实施方式
[0028]下面结合附图对本专利技术的技术方案作进一步说明。
[0029]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0030]应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0031]空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。
[0032]还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0033]如图1(e)所示，本专利技术一种功率放大器模组封装结构包括基板1、阻焊层2、滤波器芯片3、功率放大器4、隔离膜5、凸点6和注塑层7，注塑层7覆盖于可曝光隔离膜5、基板1和功率放大器4上。阻焊层2位于基板正面，阻焊层2上开设不同的开口，开口处基板裸露出，便于对应设置滤波器芯片3和功率放大器4。滤波器芯片3朝向基板一侧面均布凸点6，凸点为锡球，凸点用于传输信号，滤波器芯片3通过凸点6与基板正面相连接，且滤波器芯片下表面与基板正面之间间隔有一定距离。功率放大器4通过引线与基板正面相电连接，其中滤波器芯片3和功率放大器4并排设置在基板1的正面。
[0034]基板1的上方避开功率放大器与基板连接处设置有隔离膜5，隔离膜盖于滤波器芯片和阻焊层上，滤波器芯片3、阻焊层2、隔离膜5和基板1之间形成密封空腔，注塑层7避开密封空腔。隔离膜(5)可选用可曝光固态膜。可曝光固态膜可选用含有光敏聚酰亚胺的环氧树脂(PET&PP)，一般要求较好的可延展性，可延展性满足能填入的相邻元件之间最小间距为100um，同时要求较低的热膨胀系数，热本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率放大器模组封装结构，其特征在于：包括基板(1)、位于基板正面且具有开口的阻焊层(2)、倒装于基板正面且位于阻焊层开口处的滤波器芯片(3)以及与基板正面电连接的功率放大器(4)以及避开功率放大器与基板连接处且覆盖于滤波器芯片和阻焊层上的可曝光隔离膜(5)，所述滤波器芯片朝向基板一侧面均布有用于传输信号的凸点(6)，滤波器芯片下表面与基板正面之间间隔有一定距离，且滤波器芯片(3)、阻焊层(2)、隔离膜(5)和基板(1)之间形成密封空腔。2.根据权利要求1所述的一种功率放大器模组封装结构，其特征在于：所述可曝光隔离膜(5)为固态膜。3.根据权利要求2所述的一种功率放大器模组封装结构，其特征在于：所述固态膜的材质为含有光敏聚酰亚胺的环氧树脂，环氧树脂的可延展性满足能填入的相邻元件之间最小间距为100um，热膨胀系数小于100ppm/℃，抗蚀性能耐最大450℃的高温。4.根据权利要求1所述的一种功率放大器模组封装结构，其特征在于：所述可曝光隔离膜(5)由光刻胶涂覆形成。5.根据权利要求4所述的一种功率放大器模组封装结构，其特征在于：所述光刻胶的抗蚀性能耐最大450℃的高温。6.根据权利要求1所述的一种功率放大器模组封装结构，其特征在于：所述可曝光隔离膜的厚度为10～50um。7.根据权利要求1所述的一种功率放大器模组封装结构，其特征在于：还包括覆盖于可曝光隔离膜(5)、基板(1)和功率放大器(4)上的注塑层...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：偲百创无锡科技有限公司，
类型：发明
国别省市：