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本发明涉及一种底电极激发式声表面波器件制备方法，包括以下步骤：S1.在压电晶圆上进行光刻，制备出电极结构和叉指换能器结构；S2.在所述压电晶圆上沉积绝缘层，在所述绝缘层上侧套刻，定义绝缘层导通孔的位置；S3.对所述绝缘层进行刻蚀，暴露出所述...
该专利属于北京航天微电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京航天微电科技有限公司授权不得商用。

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