带金属屏蔽网结构的陶瓷电容及一二次融合固封极柱制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带金属屏蔽网结构的陶瓷电容及一二次融合固封极柱，其陶瓷电容包括陶瓷电容本体、第一金属屏蔽网及第二金属屏蔽网。第一金属屏蔽网连接陶瓷电容本体的第一端，且其投影面积大于第一端的面积；第二金属屏蔽网连接陶瓷电容本体的第二端，且其投影面积大于第二端的面积；第一金属屏蔽网或第二金属屏蔽网具有弯折边缘，弯折边缘笼罩陶瓷电容本体除第一端与第二端外的区域；第一金属屏蔽网的边缘与第二金属屏蔽网的边缘之间设有绝缘间隔。本实用新型专利技术通过屏蔽网，起到环氧树脂的固定作用，减少因应力收缩造成的界面粘接不良等缺陷；另一方面，改善高压电场，同时，有效提升了产品运行和测试时的精度。效提升了产品运行和测试时的精度。效提升了产品运行和测试时的精度。

【技术实现步骤摘要】
带金属屏蔽网结构的陶瓷电容及一二次融合固封极柱


[0001]本技术涉及陶瓷电容
，具体涉及一种带金属屏蔽网结构的陶瓷电容及一二次融合固封极柱。

技术介绍

[0002]我国现有技术中，柱上真空断路器主要为固封极柱配合外装式传感器。而，固封极柱大多采用环氧树脂浇注本体，将相关电气元件浇注在本体中。
[0003]现有技术在产品生产过程中，因为环氧树脂浇注工艺的特殊性，浇注时存在高温，浇注压力，收缩内应力，收缩系数不均衡等原因，产品在浇注时存在零件结合不良等问题，产品无法满足数万次的机械冲击和
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40℃
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70℃的使用环境要求之后，时常会出现寿命、精度、电性能降低。
[0004]此外，现有的技术中，产品一次陶瓷电容往往采用200PF以上的电容量，特别是一些要求高精度达到0.5以上的，现有的产品无法克服产品自身和环境的杂散电容的影响，造成电容量变化率大，导致实际产品在运行和测试中出线精度偏差的问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种带金属屏蔽网结构的陶瓷电容，以至少在一定程度上解决浇注缺陷及克服杂散电容影响。
[0006]为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：
[0007]带金属屏蔽网结构的陶瓷电容，包括陶瓷电容本体，还包括：第一金属屏蔽网，所述第一金属屏蔽网连接所述陶瓷电容本体的第一端，且其投影面积大于所述第一端的面积；第二金属屏蔽网，所述第二金属屏蔽网连接所述陶瓷电容本体的第二端，且其投影面积大于所述第二端的面积；所述第一金属屏蔽网或所述第二金属屏蔽网具有弯折边缘，所述弯折边缘笼罩所述陶瓷电容本体除所述第一端与所述第二端外的区域；所述第一金属屏蔽网的边缘与所述第二金属屏蔽网的边缘之间设有绝缘间隔。
[0008]一种可选的实施方式中，所述陶瓷电容本体呈环状，其内圈为所述第一端，其外圈为所述第二端；所述第一金属屏蔽网呈环状，所述第一金属屏蔽网插设在所述陶瓷电容本体的内圈；所述第二金属屏蔽网呈环状，所述第二金属屏蔽网套设在所述陶瓷电容本体的外圈；所述弯折边缘笼罩所述陶瓷电容本体的上下端面。
[0009]一种可选的实施方式中，所述陶瓷电容本体呈柱状，其一端形成所述第一端，另一端形成所述第二端；所述第一金属屏蔽网呈片状，所述第一金属屏蔽网覆盖所述陶瓷电容本体的第一端；所述第二金属屏蔽网呈片状，所述第二金属屏蔽网覆盖所述陶瓷电容本体的第二端；所述弯折边缘笼罩所述陶瓷电容本体的周面。
[0010]一种优选的实施方式中，所述第一金属屏蔽网及所述第二金属屏蔽网与所述陶瓷电容本体的镀银面间的距离为3
‑
5mm。
[0011]一种优选的实施方式中，所述第一金属屏蔽网的边缘及所述第二金属屏蔽网的边
缘设有卷边。
[0012]一种优选的实施方式中，所述弯折边缘距所述陶瓷电容本体间的距离为6
‑
10mm。
[0013]一种优选的实施方式中，所述第一金属屏蔽网和/或所述第二金属屏蔽网的厚度为0.4
‑
0.6mm。
[0014]本技术的又一目的在于提供一种一二次融合固封极柱，以至少在一定程度上解决现有固封极柱在浇注过程容易出现浇注缺陷及杂散电容影响的缺陷。
[0015]为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：
[0016]一二次融合固封极柱，包括环氧树脂本体及浇注在所述环氧树脂本体中的固封极柱，所述固封极柱包括陶瓷电容，所述陶瓷电容为如前所述的带金属屏蔽网结构的陶瓷电容。
[0017]一种可选的实施方式中，所述固封极柱包括导杆；所述陶瓷电容本体呈环状，其内圈为所述第一端，其外圈为所述第二端；所述第一金属屏蔽网呈环状，所述第一金属屏蔽网插设在所述陶瓷电容本体的内圈，所述导杆插设在所述第一金属屏蔽网中；所述第二金属屏蔽网呈环状，所述第二金属屏蔽网套设在所述陶瓷电容本体的外圈；所述弯折边缘笼罩所述陶瓷电容本体的上下端面。
[0018]一种可选的实施方式中，所述陶瓷电容本体呈柱状，其一端形成第一端，另一端形成第二端；所述第一金属屏蔽网呈片状，所述第一金属屏蔽网覆盖所述陶瓷电容本体的第一端；所述第二金属屏蔽网呈片状，所述第二金属屏蔽网覆盖所述陶瓷电容本体的第二端；所述弯折边缘笼罩所述陶瓷电容本体的周面。
[0019]采用上述技术方案后，本技术与
技术介绍
相比，具有如下优点：
[0020]本技术一方面通过第一金属屏蔽网及第二金属屏蔽网的配合，起到环氧树脂的固定作用，减少因还原树脂在浇注过程中的化学反应、不同物质温度变化的物料反应引起的应力收缩造成的界面粘接不良(缝隙、开裂)等缺陷；另一方面，在金属屏蔽网的屏蔽作用下，改善高压电场，同时，有效减少了外部杂散电容、真空灭弧室分合闸引起的其他电容的变化的影响，提升了产品运行和测试时的精度。
附图说明
[0021]图1为本技术陶瓷电容的结构示意图；
[0022]图2为图1所示陶瓷电容的剖视示意图；
[0023]图3为本技术又一陶瓷电容的结构示意图；
[0024]图4为图3所示陶瓷电容的剖视示意图；
[0025]图5为图3所示陶瓷电容的又一形态的剖视示意图；
[0026]图6为本技术固封极柱的剖视示意图；
[0027]图7为本技术固封极柱的又一剖视示意图。
[0028]附图标记说明：
[0029]陶瓷电容本体100、第一端110、第二端120、第一金属屏蔽网130、第二金属屏蔽网140、弯折边缘131、金属套132、弯折边缘141；
[0030]环氧树脂本体201、上导杆202、真空灭弧室203、密封块204、动端子205、弹簧触指206、下导杆207、高压端环形电容电压传感器208、高压端圆柱电容电压传感器209、负荷测
圆柱电容电压传感器210、零序一体电流互感器211、测温芯片212。
具体实施方式
[0031]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。另外，需要说明的是：
[0032]术语“上”“下”“左”“右”“竖直”“水平”“内”“外”等均为基于附图所示的方位或者位置关系，仅仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或者暗示本技术的装置或者元件必须具有特定的方位，因此不能理解为对本技术的限制。
[0033]当元件被称为“固定于”或者“设置于”或者“设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者间接连接至该另一个元件上。
[0034]除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或者一体地本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.带金属屏蔽网结构的陶瓷电容，包括陶瓷电容本体，其特征在于，还包括：第一金属屏蔽网，所述第一金属屏蔽网连接所述陶瓷电容本体的第一端，且其投影面积大于所述第一端的面积；第二金属屏蔽网，所述第二金属屏蔽网连接所述陶瓷电容本体的第二端，且其投影面积大于所述第二端的面积；所述第一金属屏蔽网或所述第二金属屏蔽网具有弯折边缘，所述弯折边缘笼罩所述陶瓷电容本体除所述第一端与所述第二端外的区域；所述第一金属屏蔽网的边缘与所述第二金属屏蔽网的边缘之间设有绝缘间隔。2.如权利要求1所述的带金属屏蔽网结构的陶瓷电容，其特征在于：所述陶瓷电容本体呈环状，其内圈为所述第一端，其外圈为所述第二端；所述第一金属屏蔽网呈环状，所述第一金属屏蔽网插设在所述陶瓷电容本体的内圈；所述第二金属屏蔽网呈环状，所述第二金属屏蔽网套设在所述陶瓷电容本体的外圈；所述弯折边缘笼罩所述陶瓷电容本体的上下端面。3.如权利要求1所述的带金属屏蔽网结构的陶瓷电容，其特征在于：所述陶瓷电容本体呈柱状，其一端形成所述第一端，另一端形成所述第二端；所述第一金属屏蔽网呈片状，所述第一金属屏蔽网覆盖所述陶瓷电容本体的第一端；所述第二金属屏蔽网呈片状，所述第二金属屏蔽网覆盖所述陶瓷电容本体的第二端；所述弯折边缘笼罩所述陶瓷电容本体的周面。4.如权利要求3所述的带金属屏蔽网结构的陶瓷电容，其特征在于：所述第一金属屏蔽网及所述第二金属屏蔽网与所述陶瓷电容本体的镀银面间的距离为3
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5mm。5.如权利要求2或...

【专利技术属性】
技术研发人员：李治，陈雪如，周晓慧，王振良，张建宏，
申请(专利权)人：麦克奥迪厦门智能电气有限公司，
类型：新型
国别省市：