一种去除CVD反应腔体内壁沉积膜的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了气相沉积技术领域的一种去除CVD反应腔体内壁沉积膜的装置，包括底座，所述底座的顶部焊接有竖梁，所述竖梁的内壁转动连接有螺纹杆，所述底座内腔的顶部固定安装有第一电机，所述第一电机的输出轴与螺纹杆的底部固定安装，本实用新型专利技术通过第二电机来驱动转管进行旋转，并且通过转管来带动刮板转动，使刮板对反应室的内壁进行刮洗，将附着在反应室内壁上的沉积膜刮除，同时在抽气机的作用下，掉落在反应室内部的沉积膜会被抽取到收集盒中进行收集，而且抽气机排出的气体能够辅助刮板再次对反应室的内壁进行冲刷，进一步提升清洗洁净度，从而解决了附着牢固沉积物无法清理的问题，非常值得推广。非常值得推广。非常值得推广。

【技术实现步骤摘要】
一种去除CVD反应腔体内壁沉积膜的装置


[0001]本技术涉及气相沉积
，具体为一种去除CVD反应腔体内壁沉积膜的装置。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。
[0003]在进行气相沉积的时候，反应室的内壁上会残留些许沉积物，传统的清理方式主要是向反应室内部输送洁净气体，通过气体的吹动作用将反应室进行清洁，这种方式针对附着牢固的沉积物无法清理，容易使内壁上形成残留，长期以往会使反应室的加热效果变差，影响反应进行。
[0004]基于此，本技术设计了一种去除CVD反应腔体内壁沉积膜的装置，以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种去除CVD反应腔体内壁沉积膜的装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种去除CVD反应腔体内壁沉积膜的装置，包括底座，所述底座的顶部焊本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去除CVD反应腔体内壁沉积膜的装置，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)的顶部焊接有竖梁(2)，所述竖梁(2)的内壁转动连接有螺纹杆(3)，所述底座(1)内腔的顶部固定安装有第一电机(4)，所述第一电机(4)的输出轴与螺纹杆(3)的底部固定安装，所述螺纹杆(3)的表面螺纹连接有套筒(5)，所述套筒(5)的左侧焊接有横梁(6)；所述横梁(6)内腔的左侧固定安装有第二电机(7)，所述第二电机(7)的输出轴固定安装有主动轮(8)，所述主动轮(8)的表面绕设有皮带，所述主动轮(8)通过皮带传动连接有从动轮(9)，所述从动轮(9)的内壁固定安装有转管(10)，所述转管(10)的底部贯穿到横梁(6)的外部，所述转管(10)的底部连通有吸尘罩(11)，所述转管(10)的两侧均固定安装有套管(12)，所述套管(12)的内壁滑动连接有支杆(13)，所述支杆(13)的一端固定安装有刮板(14)；所述横梁(6)的底部连通有软管(15)，所述软管(15)的另一端与底座(1)的顶部连通，所述底座(1)内腔底部的右侧固定安装有抽气机(16)，所述抽气机(16)的排气端贯穿到底座(1)的外部，所述底座(1)的正面插入有收集盒(17)。2.根据权利要求1所述的去除CVD反应腔体内壁沉积膜的装置，其特征在于：所述收集盒(17)位...

【专利技术属性】
技术研发人员：何淑英，冯嘉荔，何浩梁，
申请(专利权)人：广州市鸿浩光电半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：