用于处理基板的装置制造方法及图纸

本发明专利技术构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：腔室，在该腔室中具有内部空间；流体供应单元，其具有被配置为将处理流体供应到内部空间的供应管线和被配置为将处理流体供应到供应管线的流体供应源；第一排放单元，其被配置为对内部空间进行排放；第二排放单元，其被配置为对供应管线进行排放；以及控制器，其被配置为控制流体供应单元、第一排放单元和第二排放单元，并且其中控制器控制流体供应单元和第二排放单元，使得在待机步骤的至少一部分期间，供应管线的压力被维持在处理流体的临界压力或更高压力，该待机步骤用于在将基板引入内部空间之前将基板保持在内部空间之外。之外。之外。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置


[0001]本文所述的专利技术构思的实施例涉及一种基板处理装置。

技术介绍

[0002]为了制造半导体器件，对基板(诸如晶片)执行各种工艺，诸如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子注入工艺和薄膜沉积工艺。在每个工艺中使用各种处理液体和处理气体。另外，为了从基板移除用于处理基板的处理液体，对基板那个干燥工艺。
[0003]常规地，用于从基板移除处理液体的干燥工艺包括旋转干燥工艺，其用于使基板高速旋转，并且通过基板的旋转的离心力移除残留在基板上的处理液体。然而，在这种旋转干燥方法中，在基板上形成的图案中可能出现倾斜现象的高风险。近来，超临界干燥工艺被用作用于对基板进行干燥的方法。在超临界干燥工艺中，将基板放入能够维持高压力和高温度大气的腔室中，并且然后将超临界状态中的二氧化碳供应到基板上以移除处理液体(例如有机溶剂、显影液体溶剂等)。超临界状态中的二氧化碳具有高溶解性和高渗透性。当将超临界状态中的二氧化碳供应到基板上时，二氧化碳容易渗透到残留在基板上的图案之间的处理液体中。因此，残留在基板上的图案之间的处理液体容易从基板移除。
[0004]为了使二氧化碳维持超临界状态，在其中执行超临界干燥工艺的腔室中的大气应该维持在高压力。换言之，超临界干燥工艺包括压缩腔室中的大气的加压工艺和使腔室中的大气返回到正常压力以从腔室取出基板的减压工艺。当腔室内的大气返回到正常压力时，将基板从腔室取出。当基板从腔室取出时，基板处理装置维持待机状态，直到要经受后续超临界干燥工艺的基板被放入。
[0005]同时，为了增加基板的处理效率(例如，为了减少工艺缺陷发生的频率)，维持基板处理装置的状况类似于当执行超临界干燥工艺时的状况是重要的。然而，如果该待机状态持续长时间，则基板处理装置的状况(例如，腔室内的温度、向腔室供应二氧化碳的管道的温度等)改变。当基板处理装置的状况改变时，在所处理的基板之间发生干燥程度的偏差。
[0006]常规地，当待机状态持续长时间时，在不放入基板的情况下将二氧化碳供应到腔室内以便维持基板处理装置的状况，并从腔室排出二氧化碳。二氧化碳的供应和排出以与超临界干燥工艺类似的方式进行。然而，这种方法消耗了大量的二氧化碳。此外，由于基板处理装置以类似于实际的超临界干燥工艺的方式驱动，因此基板处理装置的部件的消耗周期被缩短。

技术实现思路

[0007]本专利技术构思的实施例提供了一种用于改善基板处理效率的基板处理装置。
[0008]本专利技术构思的实施例提供了一种用于最小化基板之间的处理偏差的基板处理装置和基板处理装置的控制方法。
[0009]本专利技术构思的实施例提供了一种用于在将在待机步骤处的基板处理装置的状况维持为类似于在处理步骤处的基板处理装置的状况时最小化处理流体的过度消耗的基板
处理装置和基板处理装置的控制方法。
[0010]本专利技术构思的实施例提供了一种用于在将在待机步骤处的基板处理装置的供应管线的状况维持为类似于在干燥步骤处的供应管线的状况时最小化二氧化碳的过度消耗的基板处理装置和基板处理装置的控制方法。
[0011]本专利技术构思提供了一种基板处理装置。基板处理装置包括腔室，在腔室中具有内部空间；流体供应单元，具有被配置为将处理流体供应到内部空间的供应管线和被配置为将处理流体供应到供应管线的流体供应源；第一排放单元，其被配置为对内部空间进行排放；第二排放单元，其被配置为对供应管线进行排放；以及控制器，其被配置为控制流体供应单元、第一排放单元和第二排放单元，并且其中控制器控制流体供应单元和第二排放单元，使得在待机步骤的至少一部分期间，供应管线的压力被维持在处理流体的临界压力或更高压力，该待机步骤用于在将基板引入内部空间之前将基板保持在内部空间之外。
[0012]在实施例中，当供应管线的压力变得低于临界压力时，控制器控制流体供应单元，使得在待机步骤的至少一部分期间，流体供应源将处理流体供应到供应管线。
[0013]在实施例中，流体供应单元还包括加热器，该加热器安装在供应管线处并且被配置为加热供应管线内的处理流体。
[0014]在实施例中，控制器控制流体供应单元，使得在待机步骤期间，加热器连续地加热供应管线。
[0015]在实施例中，供应管线包括：主供应管线，其连接到流体供应源；第一供应管线，其从主供应管线分支并连接到腔室；以及第二供应管线，其从主供应管线分支并在与第一供应管线不同的位置处连接到腔室，并且其中流体供应单元还包括：主阀，其安装在主供应管线处；第一阀，其安装在第一供应管线处；以及第二阀，其安装在第二供应管线处，并且其中加热器安装在主阀、第一阀和第二阀之间。
[0016]在实施例中，加热器分别安装在主供应管线、第一供应管线和第二供应管线处。
[0017]在实施例中，控制器控制：流体供应单元和第一排放单元以依次执行待机步骤和用于处理基板的处理步骤；第二排放单元，使得通过对供应管线进行排放，在处理步骤开始之前的预定时间期间，供应管线的压力变为正常压力；以及第二排放单元，使得待机步骤中的供应管线的压力被维持在高于临界压力的压力时的时间长度长于待机步骤中的供应管线的压力变为正常压力所需的时间长度。
[0018]在实施例中，控制器控制流体供应单元和第二排放单元，使得处理步骤包括用于增加内部空间的压力的加压步骤和在加压步骤之后的用于将内部空间的压力降低到正常压力的减压步骤，从加压步骤的至少一部分到待机步骤的至少一部分，供应管线的压力被维持在临界压力或更高压力。
[0019]本专利技术构思提供了一种基板处理装置。基板处理装置包括：腔室，在腔室中具有内部空间；流体供应单元，其具有被配置为将处理流体供应到内部空间的供应管线和被配置为加热供应管线的加热器；第一排放单元，其被配置为对内部空间进行排放；第二排放单元，其被配置为对供应管线进行排放；以及控制器，其被配置为控制流体供应单元、第一排放单元和第二排放单元，并且其中控制器控制流体供应单元、第一排放单元和第二排放单元，使得在从内部空间取出基板之后的预定时间期间，加热器对具有残留处理流体的供应管线进行加热。
[0020]在实施例中，控制器控制流体供应单元、第一排放单元和第二排放单元以执行：干燥步骤，其用于在内部空间用处理流体对基板进行干燥，以及待机步骤，其用于等待将基板引入内部空间并且包括预定时间。
[0021]在实施例中，控制器控制流体供应单元、第一排放单元和第二排放单元，使得在预定时间期间，供应管线的压力被维持在预定压力。
[0022]在实施例中，控制器控制流体供应单元，使得预定压力达到临界压力或更高压力，以在供应管线处维持处理流体的超临界状态。
[0023]在实施例中，当供应管线的压力变得低于预定压力时，控制器控制流体供应单元将处理流体供应到供应管线。
[0024]在实施例中，供应管线包括：主供应管线，其连接到储存处理流体的流体供应源；第一供应管线，其从主供应管线分支并连接到腔室；以及第二供应管线，其从主供应管线分支并在与第一供应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其包括：腔室，在所述腔室中具有内部空间；流体供应单元，其具有被配置为将处理流体供应到所述内部空间的供应管线和被配置为将所述处理流体供应到所述供应管线的流体供应源；第一排放单元，其被配置为对所述内部空间进行排放；第二排放单元，其被配置为对所述供应管线进行排放；以及控制器，其被配置为控制所述流体供应单元、所述第一排放单元和所述第二排放单元，并且其中，所述控制器控制所述流体供应单元和所述第二排放单元，使得在待机步骤的至少一部分期间，所述供应管线的压力被维持在所述处理流体的临界压力或更高压力，所述待机步骤用于在将基板引入所述内部空间之前将基板保持在所述内部空间之外。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，当所述供应管线的所述压力变得低于所述临界压力时，所述控制器控制所述流体供应单元，使得在所述待机步骤的所述至少一部分期间，所述流体供应源将所述处理流体供应到所述供应管线。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述流体供应单元还包括加热器，所述加热器安装在所述供应管线处并且被配置为加热所述供应管线内的所述处理流体。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述流体供应单元，使得在所述待机步骤期间，所述加热器连续地加热所述供应管线。5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述供应管线包括：主供应管线，其连接到所述流体供应源；第一供应管线，其从所述主供应管线分支并连接到所述腔室；以及第二供应管线，其从所述主供应管线分支并在与所述第一供应管线不同的位置处连接到所述腔室，并且其中，所述流体供应单元还包括：主阀，其安装在所述主供应管线处；第一阀，其安装在所述第一供应管线处；以及第二阀，其安装在所述第二供应管线处，并且其中，所述加热器安装在所述主阀、所述第一阀和所述第二阀之间。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述加热器分别安装在所述主供应管线、所述第一供应管线和所述第二供应管线处。7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制：所述流体供应单元和所述第一排放单元以依次执行所述待机步骤和用于处理所述基板的处理步骤；所述第二排放单元，使得通过对所述供应管线进行排放，在所述处理步骤开始之前的预定时间期间，所述供应管线的所述压力变为正常压力；以及所述第二排放单元，使得所述待机步骤中的所述供应管线的所述压力被维持在高于所述临界压力的压力时的时间长度长于所述待机步骤中的所述供应管线的所述压力变为所述正常压力所需的时间长度。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述流体供应单元和所
述第二排放单元，使得所述处理步骤包括：用于增加所述内部空间的压力的加压步骤以及在所述加压步骤之后的用于将所述内部空间的所述压力降低到正常压力的减压步骤，从所述加压步骤的至少一部分到所述待机步骤的至少一部分，所述供应管线的所述压力被维持在所述临界压力或更高压力。9.一种基板处理装置，其包括：腔室，在所述腔室中具有内部空间；流体供应单元，其具有被配置为将处理流体供应到所述内部空间的供应管线和被配置为加热所述供应管线的加热器；第一排放单元，其被配置为对所述内部空间进行排放；第二排放单元，其被配置为对所述供应管线进行排放；以及控制器，其被配置为控制所述流体供应单元、所述第一排放单元和所述第二排放单元，并且其中，所述控制器控制所述流体供应单元、所述第一排放单元和所述第二排放单元，使得在从所述内部空间取出基板之后的预定时间期间，所述加热器对具有残留处理流体的所述供应管线进行加热。10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述流体供应单元、所述第一排放单元和所述第二排放单元以执行，干燥步骤，其用于在所述内部空间用所述处理流体对基板进行干燥，以及待机步骤，其用于等待将基板引入所述内部空间并且包括预定时间。11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述流体供应单元、所述第一排放单元和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴美昭，李暎熏，崔永燮，郑镇优，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：