一种RF低噪放器件测试方法技术

本发明专利技术公开了一种RF低噪放器件测试方法，属于低噪放大器领域，包括测试仪器和防干扰设备；所述测试仪器包括射频噪声系数分析仪，用于对待检测RF低噪放器件进行S参数、增值和噪音系数测试，电源可对射频噪声系数分析仪和待检测的RF低噪放器件进行供电，通过设置的射频扼流圈和阻塞交流信号单元，便于降低射频信号对导线的影响，同时将隔直流电容器安装在射频噪声系数分析仪上，使其再对电路进行隔绝的同时也可以进行传输信号，用于对电源和RF低噪放器件连接的导线上设置射频扼流圈减少导线受到电磁信号干扰，避免由于电磁信号的干扰影响到RF低噪放器件的测试结果，从而提高RF低噪放器件测试精准度。器件测试精准度。器件测试精准度。

【技术实现步骤摘要】
一种RF低噪放器件测试方法


[0001]本专利技术属于低噪放大器
，具体涉及一种RF低噪放器件测试方法。

技术介绍

[0002]低噪声放大器是电信和传感系统的关键组件，通常需要在较高信号电平下进行弱接收信号，以便实现最佳解调、数字化、驱动其他电路或进行测量。当信号链中的其他元件输入端需要更高功率的信号时，也可在整条信号链中使用LNA，以便增加低功率信号的增益。其中包括放大来自天线或传感器的接收信号，或者增加来自本地振荡器(LO)或其他频率生成/驱动电路的信号功率电平，确保仅产生很小的附加噪声系数。
[0003]LNA的主要目的是在不增加噪声、相位噪声或失真的情况下增加增益，为确保LNA设计或设备的运行符合设计。在RF低噪放器件使用前需要对RF低噪放器件进行设备的S参数、增益、噪声系数和线性数值进行测量。在测试时，为便于对测试设备和RF低噪放器件进行供电，一般会使用供电电源对设备和RF低噪放器件进行供电。在测量时用于对RF低噪放器件和电源连接的导线可能会受到信号的干扰，从而可能导致在检测时，电源不稳定，从而可能导致测量结果存在差异。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种RF低噪放器件测试方法，以解决上述
技术介绍
中提出现有技术中的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
[0006]一种RF低噪放器件测试方法，包括测试系统，所述测试系统包括测试仪器、防干扰设备及屏蔽箱，所述测试仪器和防干扰设备相连接，并位于屏蔽箱中；
[0007]利用所述测试系统进行RF低噪放器件测试时，包括如下步骤：
[0008]S1、根据测试所需准备好测试仪器、防干扰设备及屏蔽箱；
[0009]S2、将所述测试仪器和防干扰设备通过导线连接；
[0010]S3、校准所述测试仪器后，将测试仪器和防干扰设备放入到屏蔽箱中；
[0011]S4、在屏蔽箱中展开测试，并将测试数值进行显示。
[0012]进一步的，所述测试仪器包括：射频噪声系数分析仪和电源；
[0013]所述射频噪声系数分析仪用于对待检测RF低噪放器件进行S参数、增值和噪音系数测试；所述电源用于为所述射频噪声系数分析仪和待检测的RF低噪放器件进行供电。
[0014]进一步的，所述射频噪声系数分析仪的型号为AV3984A。
[0015]进一步的，所述电源的型号为N3411，并且所述电源上增加型号为DTC144WETL的偏置电阻器，偏置电阻用来调节基极偏置电流，使晶体管有一个适合的工作点。
[0016]进一步的，所述防干扰设备包括：射频扼流圈、隔直流电容器及阻塞交流信号单元；
[0017]所述射频扼流圈用于消除交流信号与直流源之间以及交流信号与地之间的耦合；
[0018]所述隔直流电容器用于隔离交流信号与直流源以及隔离交流信号与地之间的隔直流电容器，并且启到传输信号的功能；
[0019]所述阻塞交流信号单元为存储有信号集程序的存储设备，用于对信号的阻塞。
[0020]进一步的，测试时的室温为25C
°
；所述屏蔽箱的反射壁表面粗糙程度为12.5～25μm。
[0021]进一步的，在测试仪器和防干扰设备时，步骤如下：
[0022]S2.1、通过导线将电源与待检测的RF低噪放器件连接；
[0023]S2.2、在所述导线上连接射频扼流圈和阻塞交流信号单元；
[0024]S2.3、将隔直流电容器安装在射频噪声系数分析仪上；
[0025]S2.4、通过电源对射频噪声系数分析仪和待检测的RF低噪放器件进行电力供应。
[0026]进一步的，在校准所述测试仪器时，步骤如下：
[0027]S3.1、将电源上的电流值设置为40mA，电流限制设置为50mA和电压设置为10V；
[0028]S3.2、启动电源和射频噪声系数分析仪；
[0029]S3.3、按动射频噪声系数分析仪上的校准按键，使射频噪声系数分析仪上的S参数、增值和噪音系数进行自动校准，并且将测试区间设置在10MHz到20GHz范围内。
[0030]进一步的，在执行S4时，包括：按压射频噪声系数分析仪上的测试开关对待测试的测试RF低噪放器件进行测试，并且通过射频噪声系数分析仪上的显示面板对检测数值进行显示。
[0031]进一步的，所述射频扼流圈的型号为TCCH
‑
80+，所述隔直流电容器的型号为DHE。
[0032]本专利技术的技术效果和优点：本专利技术提出的一种RF低噪放器件测试方法，与现有技术相比，具有以下优点：
[0033]本专利技术通过在用于对电源和RF低噪放器件连接的导线上设置射频扼流圈，使射频扼流圈减少用于对电源和RF低噪放器件连接的导线受到电磁信号干扰，避免由于电磁信号的干扰影响到用于对电源和RF低噪放器件连接的电源线中的电流移动，防止电流移动受到干扰，影响测试结果，确保RF低噪放器件测试结果的稳定性，并且也确保在反复测试时，测试结果不会发生太大偏差，提高RF低噪放器件测试结果的精准性。
附图说明
[0034]图1为本专利技术一种RF低噪放器件测试方法的流程图；
[0035]图2为本专利技术测试系统的框图。
具体实施方式
[0036]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0037]本专利技术实施例中提供了RF低噪放器件测试系统，如图2所示的，该测试系统包括测试仪器、防干扰设备及屏蔽箱，所述测试仪器和防干扰设备相连接，测试时的室温为25C
°
，
所述屏蔽箱的反射壁表面粗糙程度为12.5～25μm。
[0038]所述测试仪器包括：射频噪声系数分析仪和电源。
[0039]具体的，所述射频噪声系数分析仪用于对待检测RF低噪放器件进行S参数、增值和噪音系数测试，且射频噪声系数分析仪的型号为AV3984A。所述电源用于为所述射频噪声系数分析仪和待检测的RF低噪放器件进行供电，所述电源的型号为N3411，并且所述电源上增加型号为DTC144WETL的偏置电阻器，偏置电阻用来调节基极偏置电流，使晶体管有一个适合的工作点。
[0040]所述防干扰设备包括：射频扼流圈、隔直流电容器及阻塞交流信号单元。
[0041]具体的，所述射频扼流圈用于消除交流信号与直流源之间以及交流信号与地之间的耦合，且所述射频扼流圈的型号为TCCH
‑
80+。所述隔直流电容器用于隔离交流信号与直流源以及隔离交流信号与地之间的隔直流电容器，并且启到传输信号的功能，所述隔直流电容器的型号为DHE。所述阻塞交流信号单元为存储有信号本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种RF低噪放器件测试方法，包括测试系统，其特征在于：所述测试系统包括测试仪器、防干扰设备及屏蔽箱，所述测试仪器和防干扰设备相连接，并位于屏蔽箱中；利用所述测试系统进行RF低噪放器件测试时，包括如下步骤：S1、根据测试所需准备好测试仪器、防干扰设备及屏蔽箱；S2、将所述测试仪器和防干扰设备通过导线连接；S3、校准所述测试仪器后，将测试仪器和防干扰设备放入到屏蔽箱中；S4、在屏蔽箱中展开测试，并将测试数值进行显示。2.根据权利要求1所述的一种RF低噪放器件测试方法，其特征在于：所述测试仪器包括：射频噪声系数分析仪和电源；所述射频噪声系数分析仪用于对待检测RF低噪放器件进行S参数、增值和噪音系数测试；所述电源用于为所述射频噪声系数分析仪和待检测的RF低噪放器件进行供电。3.根据权利要求2所述的一种RF低噪放器件测试方法，其特征在于：所述射频噪声系数分析仪的型号为AV3984A。4.根据权利要求3所述的一种RF低噪放器件测试方法，其特征在于：所述电源的型号为N3411，并且所述电源上增加型号为DTC144WETL的偏置电阻器，偏置电阻用来调节基极偏置电流，使晶体管有一个适合的工作点。5.根据权利要求4所述的一种RF低噪放器件测试方法，其特征在于：所述防干扰设备包括：射频扼流圈、隔直流电容器及阻塞交流信号单元；所述射频扼流圈用于消除交流信号与直流源之间以及交流信号与地之间的耦合；所述隔直流电容器用于隔离交流信号与直流源以及隔离交流信号与地之间的隔直流电容器，并且启到传输信号的功能；所述阻塞交流信号单元为存储有信...

【专利技术属性】
技术研发人员：马卫东，李亚飞，张鸿，马开鹏，冉闯闯，
申请(专利权)人：成都思科瑞微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：