用于存储器的检测方法技术

本申请公开了一种存储器的检测方法，该检测方法包括：从多个所述存储器中选取部分作为具有不同样本量的至少两组测试样本进行实际测试，根据实际测试的测试结果获取第一表征值与样本量之间的第一关系、以及第一表征值与第一失败位计数之间的第二关系；根据第一关系，将全部多个所述存储器的数量作为样本量获取其对应的第二表征值；根据第二关系，通过所述第二表征值获取多个所述存储器所对应的第二失败位计数值，将所述第二失败位计数值与预设阈值进行比较，判断多个所述存储器的质量是否达标；相比于线性延伸的判断方式，本发明专利技术的检测方法更加准确和合理。测方法更加准确和合理。测方法更加准确和合理。

【技术实现步骤摘要】
用于存储器的检测方法


[0001]本专利技术涉及半导体测试分析
，更具体地，涉及一种用于存储器的检测方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，基于测试时间和测试成本的考量，通常仅对同一批次存储器中的少部分进行测试，其测试样本量较为有限，对该存储器的判定会基于该有限样本量的测试进行推测，推测其整个批次的测试结果，并根据推测的测试结果结合具体的标准判定该批次存储器的合格与否以及其品质等级。
[0003]存储器的失败位计数作为评判存储器性能的一项重要指标，现有的存储器失败位计数的推测，其通常根据实际的少量测试的结果绘制对应的失败位计数图示以及对应的扇区失效率示意图，并基于扇区失效率示意图中已有的数据点位进行线性延伸，将延伸线在样本量为整个批次的数量时所对应的点作为该批次存储器失败位计数的推测值，并根据该推测值评定该批次的存储器，但该推测方法所获得的推测值相较于实际该批次全部的存储器进行测试获得的实际结果而言，推测值普遍偏大，以此对该批次存储器进行评判会导致合格品被误判为不合格品，造成产量损失等问题。
专利技术内容
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于存储器的检测方法，其特征在于，包括：从多个所述存储器中选取部分作为具有不同样本量的至少两组测试样本进行实际测试，根据实际测试的测试结果获取表征值与样本量之间的第一关系、以及表征值与失败位计数之间的第二关系；根据第一关系，将全部多个所述存储器的数量作为样本量获取其对应的计算表征值；根据第二关系，通过所述计算表征值获取多个所述存储器所对应的计算失败位计数值，将所述计算失败位计数值与预设阈值进行比较；其中，表征值用于表示所述存储器的存储单元中不同存储状态的电压阈值之间的距离及交叠程度。2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述存储器为TLC存储器、MLC存储器中的任意一种。3.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴鹏程，孔令华，苏捷峰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：