高压集成电路和半导体电路制造技术

本发明专利技术提供一种高压集成电路和半导体电路，所述高压集成电路包括第一晶体管、自举控制电路、升压电路以及驱动电路；所述第一晶体管连接至所述高压集成电路的电源电压端口；所述自举控制电路用于将所述升压电路输出的电压处理产生自举电压，再检测所述自举电压的大小并根据所述自举电压的大小控制所述第一晶体管的开通和断开；所述自举电压高于预设值时，所述自举控制电路控制所述第一晶体管的断开以隔离所述自举电压通过所述第一晶体管输出至所述高压集成电路的电源电压端口；所述升压电路用于将所述高压集成电路的电源电压端口输入的电源电压升压。与相关技术相比，本发明专利技术的高压集成电路和半导体电路的可靠性高。明的高压集成电路和半导体电路的可靠性高。明的高压集成电路和半导体电路的可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
高压集成电路和半导体电路


[0001]本专利技术涉及电子电路
，尤其涉及一种高压集成电路和半导体电路。

技术介绍

[0002]高压集成电路，即HVIC(High Voltage Integrated Circuit)，是一种用于把MCU信号转换成驱动IGBT等开关管的驱动信号的集成电路产品。一般来说，高压集成电路把各类开关管、二极管、稳压管、电阻、电容等基础器件集成在一起，形成驱动电路、脉冲生成电路、延时电路、滤波电路、过流保护电路、过热保护电路、欠压保护电路、自举电路等。高压集成电路在工作时，一方面接收外接处理器的控制信号，驱动后续的开关管工作，另一方面，还将相关的工作状态检测信号送回外接处理器，以实现对电路工况的控制。因高压集成电路高压LEVELSHIFT模块需要用到比供电电源VCC更高的电压，所以需要在内部采用自举电路（Bootstrap），为高压LEVELSHIFT模块提供驱动电源。
[0003]相关技术中，高压集成电路包括自举MOS管，由于自举MOS管导通由外部下桥臂信号控制。若当下桥臂驱动信号有效，即开通自举MOS管，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压集成电路，其特征在于，所述高压集成电路包括第一晶体管、自举控制电路、升压电路以及驱动电路；所述第一晶体管连接至所述高压集成电路的电源电压端口；所述自举控制电路用于将所述升压电路输出的电压处理产生自举电压，再检测所述自举电压的大小并根据所述自举电压的大小控制所述第一晶体管的开通和断开；所述自举电压高于预设值时，所述自举控制电路控制所述第一晶体管的断开以隔离所述自举电压通过所述第一晶体管输出至所述高压集成电路的电源电压端口；所述升压电路用于将所述高压集成电路的电源电压端口输入的电源电压升压；所述驱动电路用于驱动外部的开关管；所述第一晶体管的漏极连接至所述高压集成电路的电源电压端口；所述第一晶体管的源极连接至所述高压集成电路的VB1端口；所述第一晶体管的栅极连接至所述自举控制电路的第二端；所述自举控制电路的第一端连接至所述升压电路的第一端；所述升压电路的第二端连接所述驱动电路。2.根据权利要求1所述的高压集成电路，其特征在于，所述第一晶体管为MOS管。3.根据权利要求2所述的高压集成电路，其特征在于，所述自举控制电路包括比较器、第二晶体管、第三晶体管、施密特触发器、与非门、反相器、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻；所述施密特触发器的输入端分别连接至所述高压集成电路的LINa端口和所述第二晶体管的栅极；所述施密特触发器的输出端连接至所述与非门的第一输入端；所述与非门的输出端连接至所述反相器的输入端；所述反相器的电源端连接至所述高压集成电路的VCC1端口；所述反相器的接地端连接至所述高压集成电路的VSS端口；所述反相器的输出端连接至所述第三晶体管的栅极；所述第三晶体管的源极连接至所述高压集成电路的电源电压端口；所述第三晶体管的漏极连接至所述高压集成电路的VB1端口；所述第二晶体管的源极连接至所述第二电阻的第一端；所述第二晶体管的漏极连接至所述高压集成电路的VB1端口；所述第二电阻的第二端分别连接至所述第三电阻的第一端和所述比较器的负输入端；所述第三电阻的第二端连接至所述高压集成电路的VSS端口；所述第一电阻的第一端连接至所述高压集成电路的电源电压端口；所述第一电阻的第二端分别连接至所述第四电阻的第一端和所述比较器的正输入端；所述第四电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，左安超，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：