防串扰SiCMOSFET驱动电路制造技术

一种防串扰SiC MOSFET驱动电路,包括:相互连接的上桥臂电路和下桥臂电路，上桥臂电路和下桥臂电路分别包括上桥臂防串扰电路和下桥臂防串扰电路；上桥臂防串扰电路通上桥臂驱动电阻接入上桥臂上管MOSFET，并且上桥臂防串扰电路中包括：连接在上桥臂驱动电阻的上桥臂关断防串扰电路和连接在上桥臂驱动电阻另一端的上桥臂开通防串扰电路；下桥臂防串扰电路通下桥臂驱动电阻接入下桥臂下管MOSFET，下桥臂防串扰电路中包括：连接在下桥臂驱动电阻的下桥臂关断防串扰电路和连接在下桥臂驱动电阻另一端的下桥臂开通防串扰电路。本发明专利技术的方案有效抑制了器件在开通和关断期间产生的串扰电压尖峰，在保证串扰被抑制的前提下，能够有效保护功率器件的安全性。有效保护功率器件的安全性。有效保护功率器件的安全性。

【技术实现步骤摘要】
防串扰SiC MOSFET驱动电路


[0001]本专利技术涉及电路领域，更具体地涉及一种防串扰SiC MOSFET驱动电路。

技术介绍

[0002]随着电力电子技术的快速发展，受制于Si材料的物理特性,Si基器件已无法满足充电设备在功率密度和开关损耗等方面对功率器件的性能需求。作为第三代宽带隙半导体的典型代表,SiC MOSFET具有耐高压,耐高温和开关损耗低等优良特性。相比于Si器件,SiC MOSFET应用于电力电子设备中将级大减小设备体积,提高设备的功率密度和效率。
[0003]然而,由于SiC MOSFET封装与设计中不可避免的引入杂散参数,使其应用于桥臂电路中级易在开关瞬态产生栅级串扰电压，栅级串扰电压会造成桥臂电路直通短路，导致器件过热损坏；产生负压超过器件的耐受级造成器件击穿损坏等。所以在桥臂电路中抑制器件间的串扰是至关重要的。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种防串扰SiC MOSFET驱动电路。能够有效抑制了器件在开通和关断期间产生的串扰电压尖峰，与传统的抑制方法不同，在保证串扰被抑制的前提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防串扰SiC MOSFET驱动电路，包括：相互连接的上桥臂电路和下桥臂电路，所述上桥臂电路和下桥臂电路分别包括上桥臂防串扰电路和下桥臂防串扰电路；其中，所述上桥臂防串扰电路通上桥臂驱动电阻接入上桥臂上管MOSFET，并且所述上桥臂防串扰电路中包括：连接在上桥臂驱动电阻的上桥臂关断防串扰电路和连接在上桥臂驱动电阻另一端的上桥臂开通防串扰电路；并且其中，所述下桥臂防串扰电路通下桥臂驱动电阻接入下桥臂下管MOSFET，并且所述下桥臂防串扰电路中包括：连接在下桥臂驱动电阻的下桥臂关断防串扰电路和连接在下桥臂驱动电阻另一端的下桥臂开通防串扰电路。2.根据权利要求1所述的电路，所述上桥臂开通防串扰电路、所述下桥臂开通防串扰电路、所述上桥臂关断防串扰电路、所述下桥臂关断防串扰电路为三级管串接电容电路。3.根据权利要求2所述的电路，其中，在所述上桥臂开通防串扰电路和所述上桥臂关断防串扰电路之间接入上桥臂防串扰二级管，当所述上桥臂串扰二级管导通时，所述上桥臂防关断串扰电路工作以防止上桥臂上管MOSFET关断时的串扰，当所述上桥臂串扰二级管截止时，所述上桥臂防开通串扰电路工作以防止上桥臂上管MOSFET开通时的串扰。4.根据权利要求2所述的电路，其中，在所述下桥臂开通防串扰电路和所述下桥臂关断防串扰电路之间接入下桥臂防串扰二级管，当所述下桥臂串扰二级管导通时，所述下桥臂防关断串扰电路工作以防止下桥臂下管MOSFET关断时的串扰，当所述下桥臂串扰二级管截止时，所述下桥臂防开通串扰电路工作以防止下桥臂下管MOSFET开通时的串扰。5.根据权利要求2所述的电路，其中，所述上桥臂关断防串扰电路和下桥臂关断防串扰电路中的三级管为NPN型三级管，所述上桥臂开通防串扰电路和下桥臂开通防串扰电路中的三级管为PNP型三级管。6.根据权利要求1所述的电路，其中所述上桥臂电路和下桥臂电路分别与上桥臂驱动器和下桥臂驱动器相连，所述上桥臂驱动器和下桥臂驱动器...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈广辉，赵文卓，刘敏通，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：