一种内置电阻的多级型大电流晶体管及控制芯片供电系统技术方案

一种内置电阻的多级型大电流晶体管及控制芯片供电系统，该大电流晶体管包括内置电阻和级联的多个三极管，且还提供以下端子作为与外部电路的连接端：与三极管数量一致的多个基极连接端、一个集电极连接端和一个发射极连接端；其中，所述内置电阻的第一端连接第一个三极管的基极，每一个三极管的基极作为一个所述基极连接端，前一个三极管的发射极与后一个三极管的基极连接，最后一个三极管的发射极作为所述发射极连接端，所有三极管的集电极以及所述内置电阻的第二端连接在一起作为所述集电极连接端；本实用新型专利技术可以实现快速关断晶体管；而且应用到芯片供电系统中时可以利用内置电阻替代启动电阻实现芯片的VCC启动充电功能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
一种内置电阻的多级型大电流晶体管及控制芯片供电系统


[0001]本技术涉及电子电路
，尤其涉及一种内置电阻的多级型大电流晶体管及控制芯片供电系统。

技术介绍

[0002]大电流晶体管主要应用于功率驱动，使用该技术配合控制芯片可以灵活应用于大功率电源管理领域，并极大节省了系统BOM成本,具有广泛的适用性。参考图1，现有技术中控制芯片供电系统由启动电阻Rst、VCC电容、VCC电容的等效串联电阻(Equivalent Series Resistance，ESR)R1等组成。其工作原理是，电源系统开启时，VCC电容通过启动电阻Rst充电，此时芯片处于停机状态，当Vcc电压上升到控制器内部设定的某一电压时，控制芯片开始工作。
[0003]大电流晶体管的一种形式是两级结构，如图2所示，图中(a)、(b)分别表示两个NPN型、两个PNP型晶体管构成的多级型大电流晶体管，包括前级晶体管与后级晶体管,所述前级晶体管的发射极与所述后级晶体管的基极连接，前级晶体管的集电极与后级晶体管的集电极连接。现有多级型大电流晶体管只有3个引脚，如图中C、B、E所示，驱动电路关断此多级型大电流晶体管，只能关断第一级三极管，因为三极管有关断存储时间延时特性，导致第二级关断很慢，在高压大电流时因为关断延时引起的电流过大，易发生事故等风险，并且关断延时时间越长效率很差，风险越高。为此，现有技术中普遍是在两个晶体管的基极和发射极之间各有一电阻，通过增加此电阻可以稍微提高后级晶体管的开关速度，但是还是不能达到很好的效果。

技术实现思路

>[0004]本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述开关响应速度慢、供电电路需要配置专门的启动电阻的缺陷，提供一种内置电阻的多级型大电流晶体管及控制芯片供电系统，其不仅可以实现较快的开关响应速度，而且在应用到控制芯片供电系统中时可以利用其中的内置电阻替代启动电阻实现VCC启动充电功能。
[0005]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0006]一方面，构造一种内置电阻的多级型大电流晶体管，包括内置电阻和级联的多个三极管，且还提供以下端子作为与外部电路的连接端：与三极管数量一致的多个基极连接端、一个集电极连接端和一个发射极连接端；
[0007]其中，所述内置电阻的第一端连接第一个三极管的基极，每一个三极管的基极作为一个所述基极连接端，前一个三极管的发射极与后一个三极管的基极连接，最后一个三极管的发射极作为所述发射极连接端，所有三极管的集电极以及所述内置电阻的第二端连接在一起作为所述集电极连接端。
[0008]在本技术所述的内置电阻的多级型大电流晶体管中，所述内置电阻为扩散电阻或者多晶硅电阻。
[0009]在本技术所述的内置电阻的多级型大电流晶体管中，多个三极管全部为NPN型三极管或者PNP型三极管。
[0010]在本技术所述的内置电阻的多级型大电流晶体管中，还包括二极管，所述二极管的正极与最后一个三极管的发射极连接，所述二极管的负极与最后一个三极管的集电极连接。
[0011]二方面，构造一种控制芯片供电系统，包括VCC电容、原边绕组以及如前所述的多级型大电流晶体管；
[0012]所述控制芯片包括VCC引脚以及至少一个晶体管控制引脚且其中一个晶体管控制引脚作为晶体管主控引脚，所述晶体管主控引脚连接至一个中间二极管的正极，中间二极管的负极连接至所述VCC引脚，所述多级型大电流晶体管的第一个基极连接端与所述晶体管主控引脚连接，所述原边绕组的一端接入外部输入电源、另一端连接所述多级型大电流晶体管的集电极连接端，所述多级型大电流晶体管的发射极连接端接地，所述VCC电容连接于所述VCC引脚和地之间，所述VCC电容用于在供电系统启机时通过所述内置电阻进行充电。
[0013]本技术的内置电阻的多级型大电流晶体管及控制芯片供电系统，具有以下有益效果：本技术的晶体管放大倍数等于各级相乘，在最后级可以得到大电流输出，并且首级驱动电流可以控制得很小，每一个三极管都会引出一个基极连接端，可以按照实际应用需求灵活选用其中几个基极连接端进行控制，搭配有多级驱动的控制主芯可实现不同电流输出应用的全覆盖，而且可以实现快速关断晶体管，解决开关响应速度慢的问题；而且在应用到控制芯片供电系统中时可以利用其中的内置电阻替代启动电阻实现芯片的VCC启动充电功能，从而省去外围启动电阻。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图：
[0015]图1是大电流晶体管应用于控制芯片供电系统的结构示意图；
[0016]图2是常规两级型大电流晶体管的结构示意图；
[0017]图3是本技术多级型大电流晶体管的实施例一的结构示意图；
[0018]图4是本技术多级型大电流晶体管的实施例二的结构示意图；
[0019]图5是本技术控制芯片供电系统的结构示意图。
具体实施方式
[0020]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的典型实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。应当理解本技术实施例以及实施例中的具体特征是对本申请技术方案的详细的说明，而不是对本申请技术方案的限定，在不冲突的情况下，本技术实
施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
[0021]实施例一
[0022]参考图3，本实施例的内置电阻的多级型大电流晶体管，包括内置电阻Rcb和级联的多个三极管，如图中，一共有n个三极管T1
‑
Tn，n为2、3、4等大于1的整数。该大电流晶体管还提供以下端子作为与外部电路的连接端：与三极管数量一致的多个基极连接端B1
‑
Bn、一个集电极连接端C和一个发射极连接端E。
[0023]其中，所述内置电阻Rcb的第一端连接第一个三极管T1的基极，每一个三极管的基极作为一个所述基极连接端，前一个三极管的发射极与后一个三极管的基极连接，最后一个三极管Tn的发射极作为所述发射极连接端E，所有三极管T1
‑
Tn的集电极以及所述内置电阻Rcb的第二端连接在一起作为所述集电极连接端C。
[0024]优选地，根据情况还可以设置一个二极管D，所述二极管D的正极与最后一个三极管Tn的发射极连接，所述二极管D的负极与最后一个三极管Tn的集电极连接。
[0025]具体的，所述内置电阻Rcb为扩散电阻或者多晶硅电阻。
[0026]本实施例中的多个三极管T1
‑
Tn全部为NPN型三极管，因此最终形成的多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内置电阻的多级型大电流晶体管，其特征在于，包括内置电阻和级联的多个三极管，且还提供以下端子作为与外部电路的连接端：与三极管数量一致的多个基极连接端、一个集电极连接端和一个发射极连接端；其中，所述内置电阻的第一端连接第一个三极管的基极，每一个三极管的基极作为一个所述基极连接端，前一个三极管的发射极与后一个三极管的基极连接，最后一个三极管的发射极作为所述发射极连接端，所有三极管的集电极以及所述内置电阻的第二端连接在一起作为所述集电极连接端。2.根据权利要求1所述的内置电阻的多级型大电流晶体管，其特征在于，所述内置电阻为扩散电阻或者多晶硅电阻。3.根据权利要求1所述的内置电阻的多级型大电流晶体管，其特征在于，多个三极管全部为NPN型三极管或者全部为PNP型三极管。4.根据权利要求1所述的内置电阻的多级型大电流晶体管，其特征在于，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：许如柏，彭里，黄冲，黄裕泉，
申请(专利权)人：辉芒微电子深圳股份有限公司，
类型：新型
国别省市：