氧化限制型VCSEL的制备方法及氧化限制型VCSEL技术

本发明专利技术公开了一种氧化限制型VCSEL的制备方法。本发明专利技术方法包括：对外延片进行刻蚀以在外延片上形成主动区平台的平台刻蚀步骤；对所形成的主动区平台进行湿法氧化以将主动区平台中的高铝层转化为氧化限制型结构的湿法氧化步骤；平台刻蚀步骤所形成的主动区平台为由直径较小的上级台阶和直径较大的下级台阶所组成的两级台阶结构，上级台阶与下级台阶的交界位于所述高铝层之上，且在上级台阶的侧壁上涂覆有第一水氧阻隔膜层。本发明专利技术还公开了一种氧化限制型VCSEL。相比现有技术，本发明专利技术可有效消除湿法氧化工艺过程中主动区平台周边整体体积收缩所产生的应力，提高所制备VCSEL激光器的可靠性。器的可靠性。器的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
氧化限制型VCSEL的制备方法及氧化限制型VCSEL


[0001]本专利技术涉及半导体激光器
，尤其涉及一种氧化限制型VCSEL（Vertical
‑
Cavity Surface
‑
Emitting Laser，垂直腔面发射激光器）的制备方法。

技术介绍

[0002]功耗低、阈值电流小、调制速度快，光束质量高、芯片结构紧凑、制造成本低，使得垂直腔面发射激光器（VCSEL）成为短距离光通信理想光源。此外，VCSEL激光器还广泛应用于姿态感知、医疗技术、3D传感器、光存储等
VCSEL激光器有源区薄，腔长短，单层增益小，采用堆叠多层DBR结构可以极大地提高其有效光子寿命。为了提高注入至量子阱有源层电流的收拢性，现有VCSEL激光器多采用湿氧化工艺将其DBR中的一层或多层高铝含量的Al
x
Ga1‑
x
As（x≥0.95）层氧化成AlO
x
，位于有源层正上方的DBR高铝层未被氧化，形成氧化孔，从而得到环状圆形电流通道，该结构被称为氧化限制型DBR结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化限制型VCSEL的制备方法，包括：对外延片进行刻蚀以在外延片上形成主动区平台的平台刻蚀步骤；对所形成的主动区平台进行湿法氧化以将主动区平台中的高铝层转化为氧化限制型结构的湿法氧化步骤；其特征在于，平台刻蚀步骤所形成的主动区平台为由直径较小的上级台阶和直径较大的下级台阶所组成的两级台阶结构，上级台阶与下级台阶的交界位于所述高铝层之上，且在上级台阶的侧壁上涂覆有第一水氧阻隔膜层。2.如权利要求1所述氧化限制型VCSEL的制备方法，其特征在于，上级台阶与下级台阶的交界位于所述高铝层之上1～10对DBR处。3.如权利要求1所述氧化限制型VCSEL的制备方法，其特征在于，所述第一水氧阻隔膜层为以下材料中的一种或其中至少两种复合：SiN
x
、SiO
x
、SiON、AlO
x
、TiO
x
。4.如权利要求1所述氧化限制型VCSEL的制备方法，其特征在于，所述第一水氧阻隔膜层的厚度为100nm～2000nm。5.如权利要求1所述氧化限制型VCSEL的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李加伟，向宇，
申请(专利权)人：苏州长瑞光电有限公司，
类型：发明
国别省市：