一种用于ICW的可调发射垂直腔面发射激光器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种应用于ICW的可调的新型底部发射垂直腔面发射激光器，包括液晶盒，所述液晶盒的底端设置有阳极，且阳极的底端设有质子注入层，所述质子注入层的底端设置有有源区域；所述有源区域的底端设置有下DBR结构层，所述下DBR结构层的底端中部固定连接有全反射层，所述全反射层的两侧设置有第一阴极。本实用新型专利技术中，通过改变电压的方式改变出光波长并且能够实现底部出光，同时该结构制备工艺简单，能够实现更低成本的VSCEL，其主要特征在可将成品的液晶盒与传统的VSCEL结构直接贴合，形成底发射的可调波长的新型VSCEL结构。该方法最大优势在于可以不改变工艺流程的基础上，通过对位贴合技术，直接实现可调波长的VSCEL器件。VSCEL器件。VSCEL器件。

【技术实现步骤摘要】
一种用于ICW的可调发射垂直腔面发射激光器


[0001]本技术涉及垂直腔面发射激光器
，尤其涉及一种用于ICW 的可调发射垂直腔面发射激光器。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器(Vertical
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Cavity Surface
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Emitting Laser)简称为VCSEL，是指出射光方向垂直于衬底表面的半导体激光器。由于可以在衬底上并列集成多个激光器，在新的光电子领域中起着越来越重要的作用。
[0003]与传统的边发射激光器(EEL)不同，VCSEL是光从垂直于半导体衬底表面方向出射的一种新型半导体激光器，具有单纵模、发散角小、圆形对称光斑、耦合效率高、阈值低、调制速率高、体积小、可二维集成、可在片测试、价格便宜等很多优点。
[0004]而目前大部分VCSEL出光波长在制备完成后不能调节，因此其使用具有一定局限性。基于本专利技术提出了一种新型的可调节发射波长的底发射VSCEL 结构，该结构优点在于通过改变电压的方式改变出光波长实现其底发射功能，同时该结构制备工艺简单，易于实现更低成本的生产。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种用于ICW的可调发射垂直腔面发射激光器。
[0006]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种用于ICW的可调发射垂直腔面发射激光器，包括液晶盒，所述液晶盒的底端设置有阳极，且阳极的底端设有质子注入层，所述质子注入层的底端设置有有源区域；
[0007]所述有源区域的底端设置有下DBR结构层，所述下DBR结构层的底端中部固定连接有全反射层，所述全反射层的两侧设置有第一阴极。
[0008]作为上述技术方案的进一步描述：所述液晶盒的内部设置有配向层，所述液晶盒的顶端固定连接有第二阴极。
[0009]作为上述技术方案的进一步描述：所述全反射层插入下DBR结构层和第一阴极内部。
[0010]本技术具有如下有益效果：
[0011]1、与现有技术相比，本技术通过改变电压的方式改变出光波长并且能够实现底部出光，同时该结构制备工艺简单，能够实现更低成本的VSCEL，其主要特征在可将成品的液晶盒与传统的VSCEL结构直接贴合，形成底发射的可调波长的新型VSCEL结构。该方法最大优势在于可以不改变工艺流程的基础上，通过对位贴合技术，直接实现可调波长的VSCEL器件。
[0012]2、与现有技术相比，本技术通过不改变传统VSCEL制备工艺情况下，而实现出光波长调节，能够进一步实现更低成本生产。
附图说明
[0013]图1为本技术提出的一种用于ICW的可调发射垂直腔面发射激光器的侧面结构示意图。
[0014]图例说明：
[0015]1、液晶盒；2、质子注入层；3、全反射层；4、第一阴极；5、有源区域； 6、阳极；7、配向层；8、第二阴极；9、下DBR结构层。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0017]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0018]参照图1
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1，本技术提供的一种实施例：一种用于ICW的可调发射垂直腔面发射激光器，包括液晶盒1，液晶盒1的底端设置有阳极6，将制备好的液晶盒1与上述VCSEL结构贴合，且阳极6在发射激光器内呈正极，且阳极6的底端设有质子注入层2，再上质子注入层2结构上，形成具有欧姆接触的金属导电层，作为上接触电极，质子注入层2的底端设置有有源区域5，再在有源区域5上，形成质子注入层2，其作用在于：利用高能质子在注入区域形成高阻实现对注入电流的限制，形成增益导引波导结构，液晶盒1的内部设置有配向层7，液晶盒1的顶端固定连接有第二阴极8；
[0019]有源区域5的底端设置有下DBR结构层9，在衬底基底上形成下DBR结构层9，无论采用何种方法和材料均可，使其反射率>99％，再在下DBR结构层9 上，形成有源区域5，无论采用何种方法和材料均可，下DBR结构层9的底端中部固定连接有全反射层3，全反射层3的两侧设置有第一阴极4，全反射层 3插入下DBR结构层9和第一阴极4内部。
[0020]最后应说明的是：以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于ICW的可调发射垂直腔面发射激光器，其特征在于：包括液晶盒(1)，所述液晶盒(1)的底端设置有阳极(6)，且阳极(6)的底端设有质子注入层(2)，所述质子注入层(2)的底端设置有有源区域(5)；所述有源区域(5)的底端设置有下DBR结构层(9)，所述下DBR结构层(9)的底端中部固定连接有全反射层(3)，所述全反射层(3)的两侧设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：李迈克，
申请(专利权)人：博芯重庆半导体研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：