博芯重庆半导体研究院有限公司专利技术

博芯重庆半导体研究院有限公司共有2项专利

  • 本实用新型公开了一种应用于ICW的可调的新型底部发射垂直腔面发射激光器,包括液晶盒,所述液晶盒的底端设置有阳极,且阳极的底端设有质子注入层,所述质子注入层的底端设置有有源区域;所述有源区域的底端设置有下DBR结构层,所述下DBR结构层的...
  • 本实用新型公开了一种应用于ICW的双悬臂可调垂直腔面发射激光器,包括基板,所述基板的上方设置有下DBR结构,所述下DBR结构的上方设置有有源区域,所述有源区域的上方设置有氧化限制层,所述氧化限制层的上方设置有全反射层,所述全反射层的上方...
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