图像传感器制造技术

提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括像素阵列区域；微透镜层，在像素阵列区域中位于基底上；第一钝化层，位于微透镜层上；以及第二钝化层，位于第一钝化层上，其中，微透镜层包括：第一透镜图案；第二透镜图案，位于第一透镜图案的一侧处；以及第一点，第一透镜图案与第二透镜图案在第一点处相交，并且第一钝化层和第二钝化层中的至少一者位于第一透镜图案、第二透镜图案和第一点上。第二透镜图案和第一点上。第二透镜图案和第一点上。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器
[0001]本申请要求于2021年5月7日在韩国知识产权局提交的第 10
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2021
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0059574号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过 引用全部包含于此。


[0002]公开涉及一种图像传感器，更具体地，涉及一种图像传感器的钝化层。

技术介绍

[0003]图像传感器是用于将光学图像转换为电信号的装置。图像传感器可以包 括电荷耦合装置(CCD)型和互补金属氧化物半导体(CMOS)型。CMOS 图像传感器(缩写为“CIS”)具有二维(2D)布置的多个像素。每个像素包 括光电二极管。光电二极管用于将入射光转换成电信号。

技术实现思路

[0004]公开的各种实施例旨在防止对图像传感器的损坏。
[0005]这些实施例可以改善图像传感器的光学性质。
[0006]公开不限于在此提供的实施例，并且公开的另外的方面、特征和优点将 从以下的描述中明显。
[0007]根据实施例，一种图像传感器可以包括：基底，包括像素阵列区域；微 透镜层，在像素阵列区域中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，包括像素阵列区域；微透镜层，在像素阵列区域中位于基底上；第一钝化层，位于微透镜层上；以及第二钝化层，位于第一钝化层上，其中，微透镜层包括：第一透镜图案；第二透镜图案，位于第一透镜图案的一侧处；以及第一点，第一透镜图案与第二透镜图案在第一点处相交，并且其中，第一钝化层和第二钝化层中的至少一者位于第一透镜图案、第二透镜图案和第一点上。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第一钝化层位于第一透镜图案、第二透镜图案和第一点上，并且其中，第二钝化层的在第一点上的厚度小于第二钝化层的在第一透镜图案的中心区域中的厚度。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，第二钝化层不位于第一点上。4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，第一钝化层的密度大于第二钝化层的密度。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第一钝化层的在第一点上的厚度小于第一钝化层的在第一透镜图案的中心区域中的厚度，并且其中，第二钝化层位于第一透镜图案、第二透镜图案和第一点上。6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，第一钝化层不在第一点上。7.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，第二钝化层的密度大于第一钝化层的密度。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，第一透镜图案的第一透镜宽度大于第二透镜图案的第二透镜宽度，并且其中，第一透镜图案的第一高度大于第二透镜图案的第二高度。9.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括位于基底上并且与微透镜层间隔开的遮光层，其中，第一钝化层和第二钝化层延伸到遮光层的顶表面中。10.一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，包括多个像素部分；多个光电转换区域，位于基底的对应的像素部分中；微透镜层，位于基底的第一表面上，并且与光电转换区域竖直叠置；第一钝化层，位于微透镜层上；以及第二钝化层，位于第一钝化层上。11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中，微透镜层包括：第一透镜图案；第二透镜图案，位于第一透镜图案的一侧处；以及第一点，第一透镜图案与第二透镜图案在第一点处相遇，其中，第一钝化层和第二钝化层中的至少一者位于第一透镜图案、第二透镜图案和第
一点上。12.根据权利要求11所述的图像传感器，其中，第一钝化层的在第一点上的厚度是第一钝化层的在第一透镜图案的中心区域中的第一厚度的60％至100％，并且其中，第二钝化层的在第一点上的厚度等于或小于第二钝化层的在第一透...

【专利技术属性】
技术研发人员：金杜镇，李准泽，金成宽，李锡河，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：