用于在形成CMOS图像传感器时释放硅应力的工艺制造技术

用于在形成CMOS图像传感器时释放硅应力的工艺。在一个实施例中，一种用于制造图像传感器的方法包含提供作为半导体衬底的第一晶片，其中所述第一晶片具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧。所述方法还包含将第二晶片附接到所述第一晶片的所述第二侧。所述方法进一步包含通过蚀刻在所述第二晶片中形成隔离结构。所述隔离结构由所述第一晶片的所述第二侧定界。所述方法还包含在个别隔离结构之间生长外延层。外延层。外延层。

【技术实现步骤摘要】
用于在形成CMOS图像传感器时释放硅应力的工艺


[0001]本公开大体上涉及图像传感器的设计，且特定来说涉及保护图像传感器免受暗电流的影响。

技术介绍

[0002]图像传感器已变得无处不在。其广泛用于数码相机、手机、安全摄像头，以及医疗、汽车及其它应用。用于制造图像传感器的技术仍在飞速发展。例如，对更高图像传感器分辨率及更低功耗的需求促使图像传感器进一步小型化并集成到数字装置中。
[0003]随着图像传感器的分辨率增加，光电二极管之间的间距通常减少，从而产生更窄且更深的光电二极管。这些更紧密堆积的光电二极管更容易受到暗电流的干扰，这继而导致光电二极管之间的干扰，且甚至可能导致光电二极管饱和(也称为“白像素”)。一些图像传感器包含浅沟槽隔离(STI)，所述浅沟槽隔离(STI)限制光电二极管中的暗电流。然而，STI，尤其当与整体像素相比相对较小时，可能导致半导体材料中的应力集中。在一些情况下，此类应力集中为裂纹发展及半导体位错提供起始点。随着时间的推移，裂纹传播遍及半导体材料，并损坏图像传感器。

技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造图像传感器的方法，其包括：提供作为半导体衬底的第一晶片，其中所述第一晶片具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；将第二晶片附接到所述第一晶片的所述第二侧；在所述第二晶片中形成隔离结构，其中所述隔离结构由所述第一晶片的所述第二侧定界；及在个别隔离结构之间生长外延层。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述隔离结构是浅沟槽隔离STI结构。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述外延层从所述半导体衬底的所述第二侧生长。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述外延层的高度对应于所述隔离结构的高度。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一晶片是硅Si晶片，且其中所述外延层是外延Si层。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二晶片是Si氧化物晶片。7.根据权利要求1所述的方法，其中附接所述第二晶片包括在所述第一晶片的所述第二侧上气相沉积氧化硅SiO2。8.根据权利要求1所述的方法，其中附接所述第二晶片包括将氧化硅SiO2晶片附接到所述第一晶片的所述第二侧。9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括形成多个光电二极管。10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括形成靠近所述隔离结构的多个晶体管。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述隔离结构相对于对应的多个晶体管横向配置。12.一种图像...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘远良，臧辉，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：