全彩硅基OLED强微腔阳极的制备方法技术

本发明专利技术公开一种全彩硅基OLED强微腔阳极的制备方法，包括如下步骤：在CMOS基板上制备金属反射阳极，在金属反射阳极上制备透明阳极层，厚度为H

【技术实现步骤摘要】
全彩硅基OLED强微腔阳极的制备方法


[0001]本专利技术属于Micro OLED
，更具体地，本专利技术涉及一种全彩硅基OLED强微腔阳极的制备方法。

技术介绍

[0002]在硅基OLED行业由于PPI非常高可达到2000以上，所以FMM Mask技术在硅基OLED行业无法使用，目前硅基OLED大多采用WOLED+CF的技术方案，即用Open Mask蒸镀Common白光层再在其上方制备彩膜层进行全彩化的实现；
[0003]但是由于发光层为Common层，传统的阳极制备方式使用R/G/B子像素相同的阳极厚度使OLED微腔效应不明显，无法得到想要的白光光谱，从而导致全彩器件的亮度低，色域无法突破等问题。所以为了微腔效应更明显，需要制备R/G/B子像素不同的阳极厚度；
[0004]为了制备不同R/G/B子像素厚度，中国专利CN113380967A公开了一种强微腔叠层阳极的制备方法，其公开了采用Hard Mask的方式进行不同阳极厚度的制作方法，但是由于采用Hard Mask的方式Mask工序为4道，Mask成本增加，且良率会有较大损失，且为满足产能设备投资成本较高。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种全彩硅基OLED强微腔阳极的制备方法，旨在改善上述问题。
[0006]本专利技术是这样实现的，一种全彩硅基OLED强微腔阳极的制备方法，所述方法具体包括如下步骤：
[0007]S11、在CMOS基板上制备金属反射阳极，在金属反射阳极上制备透明阳极层，厚度为H
r
；
[0008]S12、在透明阳极层上旋涂光刻胶，通过掩膜板Ⅰ进行曝光显影，保留子像素窗口内的光刻胶，对金属反射阳极进行刻蚀，刻蚀至CMOS基板；
[0009]S13、去除残余光刻胶后再旋涂光刻胶，通过掩膜板Ⅱ进行曝光显影，去除B子像素单元上的光刻胶，去除G子像素单元上的部分光刻胶，不去除R子像素单元的光刻胶；
[0010]S14、对光刻胶及透明阳极进行刻蚀，形成透明阳极层厚度为H
b
的B子像素单元，透明阳极层厚度为H
g
的G子像素单元及透明阳极层厚度为H
r
的R子像素单元。
[0011]进一步的，所述步骤S14具体包括如下步骤：
[0012]对透明阳极层进行刻蚀，刻蚀至B子像素单元上的透明阳极层厚度为(H
r
+H
b
‑
H
g
)；
[0013]对光刻胶进行灰化，完全去除G子像素单元上的光刻胶，去除R子像素单元上的部分光刻胶；
[0014]对透明阳极层进行刻蚀，刻蚀至G子像素单元上的透明阳极层厚度为H
g
，B子像素单元上的透明阳极层厚度为(H
r
+H
b
‑
H
g
)
‑
(H
r
‑
H
g
)＝H
b
；
[0015]去除全部的光刻胶。
[0016]进一步的，所述步骤S14包括：
[0017]通过掩膜板Ⅱ进行曝光显影后，G子像素单元上的剩余光刻胶厚度为(H
g
‑
H
b
)
·
a；
[0018]对光刻胶和透明阳极层同时进行刻蚀，控制光刻胶刻蚀速率与透明阳极刻蚀速率的比值为a，在B子像素单元上的透明阳极层厚度为H
b
时，G子像素单元上的透明阳极层厚度为H
g
；
[0019]去除剩余的光刻胶。
[0020]进一步的，掩膜板Ⅰ由透光的主板及内嵌在主板上的不透光材料组成，其中不透光材料位于R子像素、G子像素及B子像的素窗口上方。
[0021]进一步的，掩膜板Ⅱ由不透光的主板及内嵌在主板上的两种透光材料组成，包括高透光材料及低透光材料；高透光材料位置B子像素单元所在子像素窗口的上方，低透光材料位于去除G子像素单元所在像素窗口的上方，R子像素单元所在像素窗口上方为主板。
[0022]进一步的，通过四氯化碳对透明阳极层进行刻蚀；
[0023]进一步的，通过通O2来对光刻胶进行灰化。
[0024]进一步的，通过调整O2流量以及bias power来控制光刻胶刻蚀速率与透明阳极刻蚀速率的比值a。
[0025]进一步的，透明阳极层的材料为ITO、IZO或IGZO。
[0026]本专利技术采用Harf tone Mask的方式替代传统Hard Mask方式进行制备强微腔阳极结构，减少Mask次数，节省Mask成本，从而提升良率，提升产能。
附图说明
[0027]图1为本专利技术实施例一提供的全彩硅基OLED强微腔阳极的制备方法流程图；
[0028]图2为本专利技术实施例二提供的全彩硅基OLED强微腔阳极的制备方法流程图；
[0029]图3为本专利技术实施例提供的制备金属反射阳极的CMOS基板结构示意图；
[0030]图4为本专利技术实施例提供的在金属反射阳极上制备透明阳极后的结构示意图；
[0031]图5为本专利技术实施例提供的基于掩膜板Ⅰ对涂抹的光刻胶进行第一次曝光显影；
[0032]图6为本专利技术实施例提供的刻蚀沟道中的金属反射阳极后结构示意图；
[0033]图7为本专利技术实施例提供的基于掩膜板Ⅱ对涂抹的光刻胶进行第二次曝光显影；
[0034]图8为本专利技术实施例提供的第二次曝光显影后的结构示意图；
[0035]图9为本专利技术实施例提供的硅基OLED强微腔阳极的结构示意图；
[0036]1.CMOS基板、2.金属反射阳极、3.透明阳极层、4.光刻胶、5.掩膜板Ⅰ、6、掩膜板Ⅱ。
具体实施方式
[0037]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明，以帮助本领域的技术人员对本专利技术的专利技术构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。
[0038]根据不同R、G、B的波长确定R、G、B子像素单元的透明阳极层厚度为H
r
、H
g
、H
b
，本专利技术提供了一种新的全彩硅基OLED强微腔阳极制备方法，减少了制备过程中的Mask工序。
[0039]图1为本专利技术实施例一提供的全彩硅基OLED强微腔阳极的制备方法流程图，该方法具体包括如下步骤：
[0040]S11、在CMOS基板上制备金属反射阳极，如图3所示，在金属反射阳极上制备透明阳
极层，厚度为H
r
，如图4所示
[0041]来料为CMOS基板，在CMOS基板上采用包括但不限于磁控溅射PVD、电子束蒸发、热蒸发的方式制备金属反射阳极，金属反射阳极的材料可选Ti/Al、Ti/Ag、Cd/Al、Cd/Ag、Ti/Al/TiN、Ti/Ag/TiN、Cd/Al/Cd、Cd/Ag/Cd等材料组合；总厚度在50本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全彩硅基OLED强微腔阳极的制备方法，其特征在于，所述方法具体包括如下步骤：S11、在CMOS基板上制备金属反射阳极，在金属反射阳极上制备透明阳极层，厚度为H
r
；S12、在透明阳极层上旋涂光刻胶，通过掩膜板Ⅰ进行曝光显影，保留子像素窗口内的光刻胶，对金属反射阳极进行刻蚀，刻蚀至CMOS基板；S13、去除残余光刻胶后再旋涂光刻胶，通过掩膜板Ⅱ进行曝光显影，去除B子像素单元上的光刻胶，去除G子像素单元上的部分光刻胶，不去除R子像素单元的光刻胶；S14、对光刻胶及透明阳极进行刻蚀，形成透明阳极层厚度为H
b
的B子像素单元，透明阳极层厚度为H
g
的G子像素单元及透明阳极层厚度为H
r
的R子像素单元。2.如权利要求1所述全彩硅基OLED强微腔阳极的制备方法，其特征在于，所述步骤S14具体包括如下步骤：对透明阳极层进行刻蚀，刻蚀至B子像素单元上的透明阳极层厚度为(H
r
+H
b
‑
H
g
)；对光刻胶进行灰化，完全去除G子像素单元上的光刻胶，去除R子像素单元上的部分光刻胶；对透明阳极层进行刻蚀，刻蚀至G子像素单元上的透明阳极层厚度为H
g
，B子像素单元上的透明阳极层厚度为(H
r
+H
b
‑
H
g
)
‑
(H
r
‑
H
g
)＝H
b
；去除...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱平，刘胜芳，赵铮涛，刘晓佳，张亚飞，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：