调节等离子体处理室的方法技术

提供了一种用于在等离子体处理室中处理一个或多个衬底的方法。提供了多个循环，其中每个循环包括提供预涂层工艺、处理在等离子体处理室内的至少一个衬底、以及清洁等离子体处理室。提供预涂层工艺包括沉积含硅预涂层和沉积含碳预涂层的一个或多个循环。积含碳预涂层的一个或多个循环。积含碳预涂层的一个或多个循环。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】调节等离子体处理室的方法
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2020年3月18日申请的美国申请No.62/991,236的优先权利益，其通过引用合并于此以用于所有目的。


[0002]本公开涉及在半导体衬底上形成半导体设备的方法。更具体地，本公开涉及调节用于处理衬底的室。

技术介绍

[0003]在形成半导体设备时，等离子体处理室可用于处理衬底。残留物沉积在等离子体处理室内。可以通过在每个衬底的处理之间使用清洁工艺来去除残留物。此外，等离子处理可能会腐蚀等离子处理室的部件。涂层可用于保护部件免受腐蚀。

技术实现思路

[0004]为了实现上述目的并且根据本专利技术的目的，提供了一种用于在等离子体处理室中处理一个或多个衬底的方法。提供了多个循环，其中每个循环包括：提供预涂层工艺；处理在等离子体处理室内的至少一个衬底；以及清洁等离子体处理室。提供预涂层工艺包括沉积含硅预涂层和沉积含碳预涂层的一个或多个循环。
[0005]在另一个表现形式中，提供了一种用于调节用于处理衬底的半导体处理室的方法，其中在提供将衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在等离子体处理室中处理一个或多个衬底的方法，所述方法包括多个循环，其中每个循环包括：a)提供预涂工艺，其中所述预涂工艺包括以下操作的一个或多个循环：沉积含硅预涂层；以及沉积含碳预涂层；b)处理在所述等离子体处理室内的至少一个衬底；以及c)清洁所述等离子处理室。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅预涂层是基于氧化硅的预涂层。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅预涂层不含碳。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述含碳预涂层不含硅。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述含碳预涂层包括氢氟烃、烃或碳氟化合物中的至少一种。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积所述含碳预涂层包括：使含碳沉积气体流动，所述含碳沉积气体包含氢氟烃、碳氢化合物或碳氟化合物中的至少一种；使所述含碳沉积气体形成等离子体；以及停止所述含碳沉积气体的所述流动。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积所述含硅预涂层包括：使含硅沉积气体流动；使所述含硅沉积气体形成等离子体；以及停止所述含硅沉积气体的流动。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述含硅沉积气体包括含硅组分和含氧组分。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积所述含碳预涂层是在所述沉积所述含硅预涂层之前。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积所述含碳预涂层是在所述沉积所述含硅预涂层之后。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积所述含碳预涂层和所述沉积所述含硅预涂层不是同时的。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述预涂工艺包括以下操作的至少两个循环：沉积含硅预涂层；以及沉积含碳预涂层。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理在所述等离子体处理室内的至少一个衬底处理：在所述等离子体处理室内的至少两个衬底。14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理室包括金属体。15.根据权利要求14所述的方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：尼尔，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：