半导体结构的形成方法及半导体结构技术

本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，其中，半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在衬底的表面形成第一介质层；基于第一掩膜层定义的第一图案刻蚀第一介质层，暴露衬底的部分表面；在第一介质层的表面和暴露出的衬底的部分表面形成保护层；在保护层的表面形成第二介质层；基于第二掩膜层定义的第二图案刻蚀第二介质层和保护层，形成多个第一接触孔，第一接触孔暴露衬底的目标区域，第二图案在衬底上的投影与第一图案在衬底上的投影重合。本公开的半导体结构的形成方法中，通过保护层对刻蚀后的第一介质层进行形状保护，防止二次刻蚀对第一介质层形成过度损耗，解决了接触孔的关键尺寸变大的问题。大的问题。大的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法及半导体结构


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小。接触孔刻蚀是超大规模集成电路的关键技术，其中深宽比是半导体结构中的器件结构的重要参数之一。在半导体结构中已有很多器件结构具有高深宽比，由于器件结构的深宽比较大，其制程工艺复杂，具有高深宽比的孔的刻蚀工艺及其填充对器件的良率有相当大的影响。例如，高深宽比(10：1以上)孔的开孔(open)过程，会由于其深宽比过大，容易出现底部不能充分刻蚀，造成底部开孔不充分的问题；同时，还容易出现底部过刻蚀情况，容易在底部两侧的金属垫之间形成金属桥接(bridge)，导致两个金属垫之间形成短路，导致器件失效。

技术实现思路

[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构。
[0005]本公开的第一方面提供了一种半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底；形成第一介质层，覆盖所述衬底的表面；基于第一掩膜层刻蚀所述第一介质层，暴露所述衬底的部分表面，其中，所述第一掩膜层定义第一图案；形成保护层，覆盖所述第一介质层的表面和暴露出的所述衬底的部分表面；形成第二介质层，覆盖所述保护层的表面；基于第二掩膜层刻蚀所述第二介质层和所述保护层，形成多个第一接触孔，所述第一接触孔暴露所述衬底的目标区域，其中，所述第二掩膜层定义第二图案；所述第二图案在所述衬底上的投影与所述第一图案在所述衬底上的投影重合。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度的范围为100nm～500nm。3.根据权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括接触垫，所述接触垫位于所述衬底的目标区域，基于第一掩膜层刻蚀所述第一介质层，暴露所述衬底的部分表面，包括：基于所述第一掩膜层定义的所述第一图案刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层中形成多个初始孔，所述初始孔暴露所述接触垫的表面；其中，所述初始孔在所述衬底上的投影大于所述接触垫在所述衬底上的投影。4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成保护层包括：所述保护层覆盖所述第一介质层的顶面、所述初始孔的侧壁、所述接触垫的表面以及被所述初始孔暴露出的所述衬底的表面。5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度的范围为5nm～10nm。6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料的刻蚀速率小于所述第二介质层的材料的刻蚀速率。7.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成多个第一接触孔包括：基于所述第二掩膜层定义的所述第二图案，刻蚀所述第二介质层以及位于所述接触垫的表面的所述保护层，形成多个所述第一接触孔，每个所述第一接触孔暴露位于所述初始孔的侧壁的所述保护层和所述接触垫的表面。8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：在每个所述第一接触孔中填充第一导电材料，形成多个第一接触插塞。9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二介质层包括：在所述保护层的表面形成子介质层；对所述子介质层进行平坦化处理，在平坦化后的所述子介质层的表面形成修复层，其中，所述第二介质层包括所述子介质层和所述修复层。10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：武宏发，夏军，孙耀，杨丽辉，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：