温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，其中，半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在衬底的表面形成第一介质层；基于第一掩膜层定义的第一图案刻蚀第一介质层，暴露衬底的部分表面；在第一介质层的表面和暴露出的衬底的部...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。