一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法，涉及半导体设备领域，该方法包括如下步骤：步骤(1)，有机溶剂处理；步骤(2)，氨水双氧水溶液处理；步骤(3)，氟酸双氧水溶液处理；步骤(4)，硝酸氟酸水溶液处理；步骤(5)，硝酸水溶液处理；步骤(6)，高温烘烤；步骤(7)，汽水枪超纯水冲洗；步骤(8)，超声波清洗；步骤(9)，无尘烘箱干燥。通过该方法，能够快速高效的去除氧化铝陶瓷GasInjector表面沉积的硅、氮等聚合物及污染物，且不损伤部件本体，达到洗净再生的目的。达到洗净再生的目的。达到洗净再生的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法


[0001]本专利技术涉及半导体设备领域，具体是晶圆ETCH制程氧化铝陶瓷喷射器设备的洗净再生方法。
技术背景
[0002]等离子体干法刻蚀在半导体晶圆制造过程中具有重要作用，它能够将沉积在晶圆硅基表面的绝缘/非绝缘等材料有选择性的去除，形成微纳尺度的电路结构。在刻蚀腔体需注入大量的CF4、C2F6、SF6刻蚀气体，这些气体在高压电离的作用下形成含F、S的等离子体，这些等离子体在电场的作用下轰击剥离基体材料，形成预期结构。
[0003]在刻蚀过程中，刻蚀气体通过Gas Injector(喷射器)源源不断的注入腔室中，作为气体通路，它能够控制气体的流量及流向，对于后续的刻蚀工作具有重要的作用。由于部件暴漏在整个腔室环境中，等离子体轰击出来的硅、氮及其聚合物会少量的沉积在部件表面，随着设备运行时间的加长，这些沉积物会逐渐增多，在这种情况下，注入气体在经过Gas Injector后其纯度会出现降低，腔室环境变差，刻蚀的精度会受到影响。此外，半导体设备价格昂贵，较长时间的运行会降低其使用寿命。为了提高生产质量，同时节约运营成本，需开发一种方法，对Gas Injector进行保养维护。

技术实现思路

[0004]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法，首先用有机溶剂浸泡部件，可疏松其表面的沉积膜；然后再采用氨水双氧水溶液、氟酸双氧水溶液、硝酸氟酸水溶液、硝酸水溶液浸泡擦拭，高温烘烤，汽水枪超纯水冲洗，超声波清洗，无尘烘箱干燥，去除部件表面的沉积物。处理后的喷射器表面整洁无污染，满足再生的要求。
[0005]本专利技术的技术方案是：一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法，包括如下步骤：
[0006]步骤一、有机溶剂浸泡及擦拭，去除沉积在喷射器部件表层的硅、氮聚合物及污染物，同时疏松软化深层的沉积物，之后用纯水冲洗残留的有机溶剂及擦拭下来的残留物；
[0007]步骤二、氨水双氧水浸泡及擦拭，软化并去除由步骤一处理后的喷射器部件表面的沉积物，纯水冲洗残留的药液及擦拭下来的残留物；
[0008]步骤三、氟酸双氧水浸泡及擦拭，去除由步骤二处理后的喷射器部件表面的沉积物，纯水冲洗残留的药液及擦拭下来的残留物；
[0009]步骤四、硝酸氟酸水溶液浸泡及擦拭，去除由步骤三处理后的喷射器部件表面的沉积物，纯水冲洗残留的药液及擦拭下来的残留物；
[0010]步骤五、硝酸水溶液浸泡及擦拭，去除由步骤四处理后的喷射器部件表面的沉积物，纯水冲洗残留的药液及擦拭下来的残留物；
[0011]步骤六、高温烘烤，使沉积在喷射器部件深层的硅、氮聚合物在高温作用下挥发去
除；
[0012]步骤七、汽水枪超纯水冲洗，去除高温烘烤后部件表面的残留物；
[0013]步骤八、超声波清洗，去除部件表面残留的颗粒物；
[0014]步骤九、无尘烘箱烘干，去除部件表面的水分，使部件处于完全干燥的状态。
[0015]进一步的，步骤一中，有机溶剂为乙醇、异丙醇或者丙酮，浸泡时间为35
‑
45分钟，采用菜瓜布手工擦拭，擦拭时间为2
‑
4分钟。
[0016]进一步的，步骤二中，将喷射器放入氨水双氧水溶液中浸泡，浸泡时间为18
‑
22分钟，溶液温度为20
‑
35℃，氨水双氧水溶液的体积百分比分别为：氨水20％
‑
25％、双氧水20％
‑
25％、纯水50％
‑
60％；所述氨水浓度为29％，双氧水浓度为30％，纯水为电阻率大于4MΩ的去离子水，采用菜瓜布手工擦拭，擦拭时间为1
‑
2分钟。
[0017]进一步的，步骤三中，将喷射器放入氟酸双氧水溶液中浸泡，浸泡时间为4
‑
6分钟，溶液温度为20
‑
35℃，氟酸双氧水溶液的体积百分比分别为：氟酸2.5％
‑
5％、双氧水10％
‑
20％、纯水75％
‑
85％；所述氟酸浓度为49％，双氧水浓度为30％，纯水为电阻率大于4MΩ的去离子水，采用菜瓜布手工擦拭，擦拭时间为1
‑
2分钟。
[0018]进一步的，步骤四中，将喷射器放入硝酸氟酸水溶液中浸泡，浸泡时间为1
‑
3分钟，溶液温度为20
‑
35℃，硝酸氟酸水溶液的体积百分比分别为：硝酸7％
‑
10％、氟酸7％
‑
10％、纯水80％
‑
85％；所述硝酸浓度为69％，氟酸浓度为49％，纯水为电阻率大于4MΩ的去离子水，采用菜瓜布手工擦拭，擦拭时间为1
‑
2分钟。
[0019]进一步的，步骤五中，将喷射器放入硝酸水溶液中浸泡，浸泡时间为8
‑
12分钟，溶液温度为20
‑
35℃，硝酸水溶液的体积百分比分别为：硝酸2％
‑
3％、纯水97％
‑
98％；所述硝酸浓度为69％，纯水为电阻率大于4MΩ的去离子水，采用菜瓜布手工擦拭，擦拭时间为1
‑
2分钟。
[0020]进一步的，步骤六中，将喷射器部件放置在800℃的高温烘箱中烘烤1.5
‑
2.5小时，随后冷却至室温取出部件。
[0021]进一步的，步骤七中，汽水枪超纯水冲洗部件，气压控制25
‑
35psi，冲洗时间为1
‑
2分钟。
[0022]进一步的，步骤八中，将喷射器放入超声波清洗槽中清洗，纯水溢流量大于300L/h，纯水电阻率大于4MΩ，超声波强度为4
‑
10w/in2，清洗时间为30
‑
40分钟。
[0023]进一步的，步骤九中，将喷射器放入无尘烘箱中，105
‑
120℃恒温烘烤1.5
‑
2小时，冷却至室温后取出部件。
[0024]本专利技术的有益效果如下：采用本专利技术提供的方法，首先用有机溶剂浸泡部件，可疏松其表面的沉积膜；然后再采用氨水双氧水溶液、氟酸双氧水溶液、硝酸氟酸水溶液、硝酸水溶液浸泡擦拭，高温烘烤，汽水枪超纯水冲洗，超声波清洗，无尘烘箱干燥，去除部件表面的沉积物。处理后的喷射器表面整洁无污染，满足再生的要求。
附图说明
[0025]图1为本专利技术的流程示意图；
[0026]图2为清洗前Gas Injector表面放大1000倍图像；
[0027]图3为清洗后Gas Injector表面放大1000倍图像。
具体实施方式
[0028]下面结合附图对本专利技术做进一步的说明。
[0029]参见图1至图3，该实施例中一种半导体设备氧化铝陶瓷Gas Injector(喷射器)洗净再生方法，包括如下步骤：
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一、有机溶剂浸泡及擦拭，去除沉积在喷射器部件表层的硅、氮聚合物及污染物，同时疏松软化深层的沉积物，之后用纯水冲洗残留的有机溶剂及擦拭下来的残留物；步骤二、氨水双氧水浸泡及擦拭，软化并去除由步骤一处理后的喷射器部件表面的沉积物，纯水冲洗残留的药液及擦拭下来的残留物；步骤三、氟酸双氧水浸泡及擦拭，去除由步骤二处理后的喷射器部件表面的沉积物，纯水冲洗残留的药液及擦拭下来的残留物；步骤四、硝酸氟酸水溶液浸泡及擦拭，去除由步骤三处理后的喷射器部件表面的沉积物，纯水冲洗残留的药液及擦拭下来的残留物；步骤五、硝酸水溶液浸泡及擦拭，去除由步骤四处理后的喷射器部件表面的沉积物，纯水冲洗残留的药液及擦拭下来的残留物；步骤六、高温烘烤，使沉积在喷射器部件深层的硅、氮聚合物在高温作用下挥发去除；步骤七、汽水枪超纯水冲洗，去除高温烘烤后部件表面的残留物；步骤八、超声波清洗，去除部件表面残留的颗粒物；步骤九、无尘烘箱烘干，去除部件表面的水分，使部件处于完全干燥的状态。2.根据权利要求1所述的一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法，其特征在于：步骤一中，有机溶剂为乙醇、异丙醇或者丙酮，浸泡时间为35
‑
45分钟，采用菜瓜布手工擦拭，擦拭时间为2
‑
4分钟。3.根据权利要求1所述的一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法，其特征在于：步骤二中，将喷射器放入氨水双氧水溶液中浸泡，浸泡时间为18
‑
22分钟，溶液温度为20
‑
35℃，氨水双氧水溶液的体积百分比分别为：氨水20％
‑
25％、双氧水20％
‑
25％、纯水50％
‑
60％；所述氨水浓度为29％，双氧水浓度为30％，纯水为电阻率大于4MΩ的去离子水，采用菜瓜布手工擦拭，擦拭时间为1
‑
2分钟。4.根据权利要求1所述的一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法，其特征在于：步骤三中，将喷射器放入氟酸双氧水溶液中浸泡，浸泡时间为4
‑
6分钟，溶液温度为20
‑
35℃，氟酸双氧水溶液的体积百分比分别为：氟酸2.5％
‑
5％、双氧水10％
‑
20％、纯水75％
‑
85％...

【专利技术属性】
技术研发人员：于海平，贺贤汉，蒋立峰，许俊，
申请(专利权)人：上海富乐德智能科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：