【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备微污染分析领域，具体涉及一种用于半导体部件通孔内污染的分析方法。
技术介绍
1、半导体器件，尤其是高密度的集成电路，易受到各种污染的损害。这种非常小的器件尺寸导致器件极易受到由人员、设备和工艺操作中使用的化学品所产生的，存在于空气中的颗粒污染的损害。颗粒是很常见的微小物体，可以悬浮在空气中，也可以附着在物体的表面。在集成电路工业中，颗粒带来的主要问题是引起电路开路或短路，极端情况下可以烧毁电路，同时颗粒还是其他沾污类型的来源。
2、目前，有孔部件如半导体反应腔喷淋头(showerhead)、气体管路(gasline)等，针对孔内污染物，通常会进行破坏，将孔暴露，对孔表面污染物进行分析。
3、如一些部件因为价格昂贵，不能破坏时，会选择使用超纯水或一定浓度的酸溶液进行整体浸泡，取浸泡液进行分析。整体浸泡分析，不具有针对性，测试部分包含其他外表面。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的问题，本专利技术提供一种用于半导体部件通孔内污染的分析方法，已解决上述至少一个技术问题。
2、本专利技术的技术方案是：一种用于半导体部件通孔内污染的分析方法，其特征在于，包括如下步骤：
3、步骤一，准备清洁无颗粒的气体，气体压力可调节；
4、步骤二，准备洁净的容器；
5、步骤三，将步骤一中的气体对着半导体部件上的孔进行吹扫，将装有超纯水的容器置于半导体部件的下方；
6、步骤四，取容器中的溶液进行分析；
7、步骤五，对溶液分别进行sem-edx、lpc、icp-ms检测。
8、本专利技术通过简易的前处理方式，进行孔内污染物取样和分析：1、若在制程中发现异物，可针对性分析孔内污染物，并判断来源；2、可以用于评估新材料或清洗工艺。可快速对部件孔内污染物进行取样并分析，不损坏部件。可用于分析孔径过小的部件，如含微米级孔径的部件。
9、进一步优选，使用无颗粒的洁净氮气对着半导体部件的通孔进行吹扫，气压0.3-0.6mpa，时间5-10min，半导体部件的下方用干净的装满超纯水的容器承接。
10、进一步优选，所述容器是由pfa或pp制成的容器。
11、进一步优选，取部分水样使用液体颗粒计数器进行颗粒分析。
12、进一步优选，取部分水样进行icp-ms分析。
13、进一步优选，使用无颗粒的洁净氮气对着半导体部件的气管孔进行吹扫，气压0.3-0.6mpa，时间5-10min，部件下方用干净的装满超纯水的pfa或pp容器承接，取全部水样使用0.15μm的滤膜进行过滤，将过滤后的滤膜，放于扫描电子显微镜内进行观测，使用能谱对滤膜上的颗粒进行成分分析及数量分析。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于半导体部件通孔内污染的分析方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于半导体部件通孔内污染的分析方法，其特征在于：使用无颗粒的洁净氮气对着半导体部件的通孔进行吹扫，气压0.3-0.6MPa，时间5-10min，半导体部件的下方用干净的装满超纯水的容器承接。
3.根据权利要求2所述的一种用于半导体部件通孔内污染的分析方法，其特征在于：所述容器是由PFA或PP制成的容器。
4.根据权利要求2所述的一种用于半导体部件通孔内污染的分析方法，其特征在于：取部分水样使用液体颗粒计数器进行颗粒分析。
5.根据权利要求2所述的一种用于半导体部件通孔内污染的分析方法，其特征在于：取部分水样进行ICP-MS分析。
6.根据权利要求1所述的一种用于半导体部件通孔内污染的分析方法，其特征在于：使用无颗粒的洁净氮气对着半导体部件的气管孔进行吹扫，气压0.3-0.6MPa，时间5-10min，部件下方用干净的装满超纯水的PFA或PP容器承接，取全部水样使用0.15μm的滤膜进行过滤，将过滤后的滤膜，放于扫描电子显微
...【技术特征摘要】
1.一种用于半导体部件通孔内污染的分析方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于半导体部件通孔内污染的分析方法，其特征在于：使用无颗粒的洁净氮气对着半导体部件的通孔进行吹扫，气压0.3-0.6mpa，时间5-10min，半导体部件的下方用干净的装满超纯水的容器承接。
3.根据权利要求2所述的一种用于半导体部件通孔内污染的分析方法，其特征在于：所述容器是由pfa或pp制成的容器。
4.根据权利要求2所述的一种用于半导体部件通孔内污染的分析方法，其特征在于：取部分水样...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯晓晨，贺贤汉，许丽萍，张开新，张正伟，
申请(专利权)人：上海富乐德智能科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。