本实用新型专利技术提供了一种半导体共晶焊固晶用的补气组件，包括支架和焊接炉，所述焊接炉的盖板上开设有长槽，吸嘴吸取晶圆插入所述长槽中对所述焊接炉内的料片进行固晶，还包括导气管、氮气加热组件和氮气补气组件，所述氮气加热组件设置有加热缸和加热棒，利用加热棒将加热缸内的氮气加热到合适温度，避免低温氮气降低料片上的共晶焊接时的温度，从而对焊接的质量造成影响，加热的氮气通过导气管进入氮气补气组件中的补气管，补气管将氮气分配给若干个吹气管中，吹气管将氮气吹入长槽中，使得可以进行真空焊接，避免焊锡被氧化影响固晶效果，有效的提高了生产效率。有效的提高了生产效率。有效的提高了生产效率。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体共晶焊固晶用的补气组件
[0001]本技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种半导体共晶焊固晶用的补气组件。
技术介绍
[0002]共晶焊又称低熔点合金焊接，共晶合金的基本特征是：两种不同的金属可在远低于各自的熔点温度下按一定的重量比例形成合金，在微电子器件中最常用的共晶焊是把芯片焊到镀金的底座或引线框上去，即“金—芯共晶焊”。
[0003]半导体共晶焊接时，先将料片在焊接炉中进行加热，使料片上的焊锡加热到合适温度，再将晶圆放置在焊锡上，使晶圆底部的焊锡与料片上的焊锡融合，然后进行冷却完成封装，但是在共晶焊接时料片露出在空气中，无法在真空状态下进行焊接，容易使焊锡氧化，影响固晶效果。
技术实现思路
[0004]本技术要解决的技术问题是，在共晶焊接时料片露出在空气中，无法在真空状态下进行焊接，容易使焊锡氧化，影响固晶效果的问题，本技术提供了一种半导体共晶焊固晶用的补气组件来解决上述问题。
[0005]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种半导体共晶焊固晶用的补气组件，包括支架和焊接炉，所述焊接炉的盖板上开设有长槽，吸嘴吸取晶圆插入所述长槽中对所述焊接炉内的料片进行固晶，还包括导气管、氮气加热组件和氮气补气组件，所述氮气加热组件和氮气分配组件通过所述导气管进连接，所述氮气分配组件将高温氮气吹入所述长槽内。
[0006]进一步地：所述氮气加热组件包括壳体、隔热板、加热缸和加热棒，所述加热棒设置在所述加热缸内，所述加热缸设置在所述壳体内，所述隔热板设置在所述壳体与所述加热缸之间，所述加热缸的端部设有进气口和出气口。
[0007]进一步地：所述氮气补气组件包括补气管和吹气管，所述导气管的一端与所述加热缸的出气口连接，所述导气管的另一端与所述补气管连接，所述补气管上沿轴向均匀设置有若干个导气口，若干个所述的导气口均连接有所述吹气管，所述吹气管的出口伸向所述长槽。
[0008]进一步地：所述加热缸的端部上设有热电偶。
[0009]本技术的有益效果是，本技术一种半导体共晶焊固晶用的补气组件，通过设置加热缸和加热棒，利用加热棒将加热缸内的氮气加热到合适温度，避免低温氮气降低料片上的共晶焊接时的温度，从而对焊接的质量造成影响，加热的氮气通过导气管进入补气管中，补气管将氮气分配给若干个吹气管中，吹气管将氮气吹入长槽中，使得可以进行真空焊接，避免焊锡被氧化影响固晶效果，有效的提高了生产效率。
附图说明
[0010]下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。
[0011]图1是本技术的整体结构示意图；
[0012]图2是本技术壳体的内部结构示意图；
[0013]图3是本技术加热缸端部的结构示意图。
[0014]图中1、支架，2、焊接炉，3、长槽，4、导气管，5、壳体，6、隔热板，7、加热缸，8、加热棒，9、进气口，10、出气口，11、补气管，12、吹气管，13、热电偶。
具体实施方式
[0015]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。相反，本技术的实施例包括落入所附加权利要求书的精神和内涵范围内的所有变化、修改和等同物。
[0016]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0017]此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。此外，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0018]流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本技术的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本技术的实施例所属
的技术人员所理解。
[0019]如图1所示，本技术提供了一种半导体共晶焊固晶用的补气组件，包括支架1和焊接炉2，所述焊接炉2的盖板上开设有长槽3，吸嘴吸取晶圆插入所述长槽3中对所述焊接炉2内的料片进行固晶，还包括导气管4、氮气加热组件和氮气补气组件，所述氮气加热组件和氮气分配组件通过所述导气管4进连接，所述氮气分配组件将高温氮气吹入所述长槽3内。
[0020]由于长槽3漏空，使固晶的料片处于漏空的状态下，为了保证在真空焊接，通过在固晶位添加补气组件，通过补气组件向长槽3中吹入氮气，使晶圆在真空的状态贴合在料片上，避免锡膏被氧化，进而完成共晶焊接。
[0021]如图2和图3所示，所述氮气加热组件包括壳体5、隔热板6、加热缸7和加热棒8，所
述加热棒8设置在所述加热缸7内，所述加热缸7设置在所述壳体5内，所述隔热板6设置在所述壳体5与所述加热缸7之间，所述加热缸7的端部设有进气口9和出气口10，氮气加热是为了保证固晶时，料片处于共晶合适的温度，避免低温氮气降低料片上的共晶温度，保证焊接的质量，工作时，通过进气口9向加热杠内冲入氮气，加热棒8将氮气进行加热，加热的氮气通过导气管4进入补气管11内。
[0022]所述氮气补气组件包括补气管11和吹气管12，所述导气管4的一端与所述加热缸7的出气口10连接，所述导气管4的另一端与所述补气管11连接，所述补气管11上沿轴向均匀设置有若干个导气口，若干个所述的导气口均连接有所述吹气管12，所述吹气管12的出口伸向所述长槽3，补气管11内的氮气通过若干个吹气管12将氮气吹到长槽3中，以便于进行真空焊接。
[0023]所述加热缸7的端部上设有热电偶13，用于检测和控制加热缸7内的温度。
[0024]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对所述术语的示意性表述不本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体共晶焊固晶用的补气组件，包括支架（1）和焊接炉（2），所述焊接炉（2）的盖板上开设有长槽（3），吸嘴吸取晶圆插入所述长槽（3）中对所述焊接炉（2）内的料片进行固晶，其特征在于，还包括导气管（4）、氮气加热组件和氮气补气组件，所述氮气加热组件和氮气分配组件通过所述导气管（4）进连接，所述氮气分配组件将高温氮气吹入所述长槽（3）内。2.如权利要求1所述的一种半导体共晶焊固晶用的补气组件，其特征在于，所述氮气加热组件包括壳体（5）、隔热板（6）、加热缸（7）和加热棒（8），所述加热棒（8）设置在所述加热缸（7）内，所述加热缸（7）设置在所述壳体（5）内，所述隔热板（6）设置在...
【专利技术属性】
技术研发人员：向军，
申请(专利权)人：江苏新智达新能源设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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