坩埚组件和晶体生长炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种坩埚组件和晶体生长炉，坩埚组件包括石墨坩埚和石英坩埚，石墨坩埚限定出顶部敞开的安装腔，安装腔的周壁上形成有卡槽，石英坩埚设于安装腔且限定出盛放腔，石英坩埚的外周壁上形成有卡凸，卡凸向下插配于对应卡槽。根据本实用新型专利技术的坩埚组件，通过在石英坩埚的外周壁上设置卡凸、安装腔的周壁上设置卡槽，卡凸向下插配于卡槽，以便于石英坩埚和石墨坩埚的组装，同时石墨坩埚可以对石英坩埚的周壁起到一定限位、固定作用，以便于避免石英坩埚长期处于高温环境中发生软化滑移等易导致熔汤泄漏，从而有保证了石英坩埚结构稳定，便于保证晶体生长炉可靠运行。便于保证晶体生长炉可靠运行。便于保证晶体生长炉可靠运行。

【技术实现步骤摘要】
坩埚组件和晶体生长炉


[0001]本技术涉及晶体生长
，尤其是涉及一种坩埚组件和晶体生长炉。

技术介绍

[0002]晶体生长炉在生产晶棒过程中，将物料装入石英坩埚，通过将石英坩埚置于高温环境中，物料在石英坩埚内熔化为熔汤，而后利用晶种与熔汤接触并向上缓慢提拉晶种，从而生长出晶棒。
[0003]然而，在长晶过程中，石英坩埚长时间处于感温环境中，石英坩埚易出现软化使得石英坩埚变形、向下滑移等，导致石英坩埚中的熔汤易泄漏，影响晶体生长炉的运行安全性和可靠性。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种坩埚组件，所述坩埚组件具有良好的结构稳定性，便于保证晶体生长炉可靠运行。
[0005]本技术还提出一种具有上述坩埚组件的晶体生长炉。
[0006]根据本技术第一方面实施例的坩埚组件，包括：石墨坩埚，所述石墨坩埚限定出顶部敞开的安装腔，所述安装腔的周壁上形成有卡槽；石英坩埚，所述石英坩埚设于所述安装腔且限定出盛放腔，所述石英坩埚的外周壁上形成有卡凸，所述卡凸向下插配于对应所述卡槽。
[0007]根据本技术实施例的坩埚组件，通过在石英坩埚的外周壁上设置卡凸、安装腔的周壁上设置卡槽，卡凸向下插配于卡槽，以便于石英坩埚和石墨坩埚的组装，同时石墨坩埚可以对石英坩埚的周壁起到一定限位、固定作用，以便于避免石英坩埚长期处于高温环境中发生软化滑移等易导致熔汤泄漏，从而有保证了石英坩埚结构稳定，便于保证晶体生长炉可靠运行。
[0008]在一些实施例中，所述卡槽和所述卡凸分别为多个，多个所述卡凸沿所述石英坩埚的轴向间隔设置，每个所述卡凸分别对应一个所述卡槽，其中，每个所述卡凸沿所述石英坩埚的周向连续延伸为环形；或者，每个所述卡凸包括多个沿所述石英坩埚的周向间隔设置的子卡凸。
[0009]在一些实施例中，多个所述卡凸包括沿所述石英坩埚的轴向自上向下依次设置的第一卡凸、第二卡凸和第三卡凸，在上下方向上，所述第一卡凸的长度大于所述第二卡凸的长度，所述第二卡凸的长度大于所述第三卡凸的长度。
[0010]在一些实施例中，所述盛放腔包括第一腔体和第二腔体，所述第一腔体和所述第二腔体沿轴向方向排布，且所述第一腔体与所述第二腔体的顶侧连通，所述第一腔体的顶部形成有所述盛放腔的敞口，所述第一腔体形成为等截面腔体，所述卡凸由上向下朝向远离所述石英坩埚的中心轴线的方向设置；或者，所述第一腔体形成为变截面腔体，且所述第一腔体的横截面积自下向上逐渐增大，所述卡凸由上向下沿平行于所述石英坩埚的中心轴
线的方向设置。
[0011]在一些实施例中，所述石墨坩埚包括埚体和底座，所述埚体包括多个沿所述石英坩埚的周向间隔设置的坩埚分体，每个所述坩埚分体的底部形成有多组限位柱组，多组所述限位柱组沿所述石英坩埚的径向间隔设置，且每组所述限位柱组包括至少一个限位柱，所述底座形成有多个限位槽，所述限位柱插配于对应所述限位槽。
[0012]在一些实施例中，多组所述限位柱组包括沿所述石英坩埚的径向由内向外依次设置的第一限位柱组、第二限位柱组和第三限位柱组，所述第一限位柱组的所述限位柱的长度大于所述第二限位柱组的所述限位柱的长度，所述第二限位柱组的所述限位柱的长度大于所述第三限位柱组的所述限位柱的长度。
[0013]在一些实施例中，所述石英坩埚的顶端设有环形卡扣，所述卡扣与所述石英坩埚为一体件且卡设于所述石墨坩埚的顶端。
[0014]在一些实施例中，所述盛放腔包括第一腔体和第二腔体，所述第一腔体和所述第二腔体沿轴向方向排布，且所述第一腔体与所述第二腔体的顶侧连通，所述第一腔体的顶部形成有所述盛放腔的敞口，所述第一腔体形成为等截面腔体，所述卡扣卡设于所述石墨坩埚的顶面；或者，所述第一腔体形成为变截面腔体，且所述第一腔体的横截面积自下向上逐渐增大，所述卡扣形成有开口朝下的插槽，所述石墨坩埚的顶端插配于所述插槽。
[0015]在一些实施例中，所述石英坩埚具有R角，且包括侧壁和底壁，所述侧壁设于所述底壁的外周沿且与所述底壁共同限定出所述盛放腔，所述R角位于所述侧壁和所述底壁的连接处，所述侧壁的厚度自下向上逐渐增大。
[0016]根据本技术第二方面实施例的晶体生长炉，包括根据本技术上述第一方面实施例的坩埚组件。
[0017]根据本技术实施例的晶体生长炉，通过采用上述的坩埚组件，便于保证晶体生长炉运行安全、可靠。
[0018]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0019]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0020]图1是根据本技术一个实施例的坩埚组件的剖视图；
[0021]图2是图1中所示的坩埚组件的爆炸图；
[0022]图3是根据本技术另一个实施例的坩埚组件的爆炸图；
[0023]图4是图3中所示的石英坩埚与埚体的示意图；
[0024]图5是图3中所示的底座的示意图；
[0025]图6是图3中所示的埚体的示意图；
[0026]图7是图6中所示的坩埚分体的示意图。
[0027]附图标记：
[0028]坩埚组件100、
[0029]石墨坩埚1、卡槽1a、安装腔10、
[0030]埚体11、坩埚分体111、限位柱组112、限位柱1121、
[0031]第一限位柱组112a、第二限位柱组112b、第三限位柱组112c、
[0032]底座12、限位槽12a、
[0033]石英坩埚2、卡凸2a、盛放腔20、第一腔体20a、第二腔体20b、
[0034]第一卡凸21、第二卡凸22、第三卡凸23、R角24、侧壁25、底壁26、
[0035]卡扣3、插槽3a。
具体实施方式
[0036]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0037]下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。
[0038]下面，参考附图，描述根据本技术实施例的坩埚组件100。
[0039]如图1和图3所示，坩埚组件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种坩埚组件(100)，其特征在于，包括：石墨坩埚(1)，所述石墨坩埚(1)限定出顶部敞开的安装腔(10)，所述安装腔(10)的周壁上形成有卡槽(1a)；石英坩埚(2)，所述石英坩埚(2)设于所述安装腔(10)且限定出盛放腔(20)，所述石英坩埚(2)的外周壁上形成有卡凸(2a)，所述卡凸(2a)向下插配于对应所述卡槽(1a)。2.根据权利要求1所述的坩埚组件(100)，其特征在于，所述卡槽(1a)和所述卡凸(2a)分别为多个，多个所述卡凸(2a)沿所述石英坩埚(2)的轴向间隔设置，每个所述卡凸(2a)分别对应一个所述卡槽(1a)，其中，每个所述卡凸(2a)沿所述石英坩埚(2)的周向连续延伸为环形；或者，每个所述卡凸(2a)包括多个沿所述石英坩埚(2)的周向间隔设置的子卡凸。3.根据权利要求2所述的坩埚组件(100)，其特征在于，多个所述卡凸(2a)包括沿所述石英坩埚(2)的轴向自上向下依次设置的第一卡凸(21)、第二卡凸(22)和第三卡凸(23)，在上下方向上，所述第一卡凸(21)的长度大于所述第二卡凸(22)的长度，所述第二卡凸(22)的长度大于所述第三卡凸(23)的长度。4.根据权利要求1所述的坩埚组件(100)，其特征在于，所述盛放腔(20)包括第一腔体(20a)和第二腔体(20b)，所述第一腔体(20a)和所述第二腔体(20b)沿轴向方向排布，且所述第一腔体(20a)与所述第二腔体(20b)的顶侧连通，所述第一腔体(20a)的顶部形成有所述盛放腔(20)的敞口，所述第一腔体(20a)形成为等截面腔体，所述卡凸(2a)由上向下朝向远离所述石英坩埚(2)的中心轴线的方向设置；或者，所述第一腔体(20a)形成为变截面腔体，且所述第一腔体(20a)的横截面积自下向上逐渐增大，所述卡凸(2a)由上向下沿平行于所述石英坩埚(2)的中心轴线的方向设置。5.根据权利要求4所述的坩埚组件(100)，其特征在于，所述石墨坩埚(1)包括埚体(11)和底座(12)，所述埚体(11)包括多个沿所述石英坩埚(2)的周向间隔设置的坩埚分体(111)，每个所述坩埚分体(111)的底部形成有多组限位柱组(112)，多组所述限位柱组(112)沿所述石英坩埚(2)的径向间...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊宏，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：