一种直拉硅单晶用石墨坩埚制造技术

本实用新型专利技术提供一种直拉硅单晶用石墨坩埚，包括石墨坩埚本体、直壁部封堵件和R角封堵件，其中，直壁部封堵件分别与石墨坩埚本体的相邻两瓣坩埚的直壁部分连接，对相邻两瓣坩埚之间的直壁部分的缝隙进行封堵；R角封堵件分别与石墨坩埚本体的相邻两瓣坩埚的R角部分连接，对相邻两瓣坩埚之间的R角部分的缝隙进行封堵；直壁部封堵件与R角封堵件均设于石墨坩埚本体的内壁上，且直壁部封堵件的面向石墨坩埚内部的一侧面与R角封堵件的面向石墨坩埚内部的一侧面均与石墨坩埚本体的内壁表面位于同一平面。本实用新型专利技术的有益效果是随着高温运行时间增加，拼接处不易被腐蚀损坏，有效提升石墨埚使用寿命，能够进行旧件改善修复，降低石墨坩埚使用成本。石墨坩埚使用成本。石墨坩埚使用成本。

【技术实现步骤摘要】
一种直拉硅单晶用石墨坩埚


[0001]本技术属于硅单晶制备
，尤其是涉及一种直拉硅单晶用石墨坩埚。

技术介绍

[0002]直拉法生长单晶硅是目前生产单晶硅最广泛的应用技术，而直拉单晶炉内的坩埚是重要的装置之一。随着光伏公司不断扩能，热场件的需求愈加旺盛，固对热场的成本、品质和功耗提出更高的要求，需要我们不断探索，迎接新的挑战。单晶硅不断扩产，炭炭坩埚相对于单晶增产存在滞后性，石墨坩埚因加工周期较短，使得石墨坩埚在短期内供需量大，也就成了使用成本占比较大的热场之一。但现有石墨坩埚结构主要存在以下几点问题：使用寿命低，周期短，更换频繁导致成本压力大，最终不利于单晶生长；石墨坩埚承载石英埚装单晶硅料，随着高温运行时间久，石墨坩埚损坏，很容易发生漏硅事故。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，本技术提供一种直拉硅单晶用石墨坩埚，以解决现有技术存在的以上或者其他问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种直拉硅单晶用石墨坩埚，包括石墨坩埚本体、直壁部封堵件和R角封堵件，其中，
[0005]直壁部封堵件分别与石墨坩埚本体的相邻两瓣坩埚的直壁部分连接，对相邻两瓣坩埚之间的直壁部分的缝隙进行封堵；
[0006]R角封堵件分别与石墨坩埚本体的相邻两瓣坩埚的R角部分连接，对相邻两瓣坩埚之间的R角部分的缝隙进行封堵；
[0007]直壁部封堵件与R角封堵件均设于石墨坩埚本体的内壁上，且直壁部封堵件的面向石墨坩埚内部的一侧面与R角封堵件的面向石墨坩埚内部的一侧面均与石墨坩埚本体的内壁表面位于同一平面。
[0008]进一步的，石墨坩埚本体的每一瓣坩埚的直壁部分的两侧边处均设有第一凹槽，第一凹槽被设置为由每一瓣坩埚的内侧壁向外侧壁方向凹陷形成，且第一凹槽的靠近每一瓣坩埚的直壁部分的侧边的一侧和靠近端部的一侧均与外部连通。
[0009]进一步的，相邻两瓣坩埚的直壁部分的第一凹槽的位置相对应，构造出一容纳槽，直壁部封堵件插接于容纳槽内。
[0010]进一步的，每一瓣坩埚的两侧边的第一凹槽的位置相对应，位于每一瓣坩埚的同一圆周上。
[0011]进一步的，石墨坩埚本体的每一瓣坩埚的R角部分的两侧边处均设有第二凹槽，第二凹槽被设置为由每一瓣坩埚的内侧壁向外侧壁方向凹陷形成，第二凹槽的靠近每一瓣坩埚的R角部分的侧边的一侧与外部连通。
[0012]进一步的，相邻两瓣坩埚的R角部分的第二凹槽相对应，构造出一容纳腔体，R角封堵件插接于容纳腔体内。
[0013]进一步的，直壁部封堵件包括第一连接板和第二连接板，第一连接板与第二连接板连接，且第一连接板设于第二连接的任一端，第一连接板与第二连接板相交设置，第二连接板插入容纳槽内，第一连接板设于容纳槽的外部，且第一连接板与相邻两瓣坩埚的开口端部相接触。
[0014]进一步的，第一连接板与第二连接板垂直设置。
[0015]进一步的，直壁部封堵件的宽度大于R角封堵件的宽度。
[0016]进一步的，直壁部封堵件的长度不小于第一凹槽的长度。
[0017]由于采用上述技术方案，在石墨坩埚的任一瓣坩埚的两侧边的直壁部分均设置有第一凹槽，在石墨坩埚的任一瓣坩埚的两侧边的R角部分均设置有第二凹槽，在石墨坩埚的直壁部分的拼缝的周侧构造出一容纳槽，在石墨坩埚的R角部分的拼缝的周侧构造出一容纳腔体，使得石墨坩埚在使用过程中，随着高温运行时间增加，拼接处不易被腐蚀损坏，可有效提升石墨埚使用寿命，能够进行旧件改善修复，降低石墨坩埚使用成本，同时能够将拼接边缘部分增加厚度及其耐用性，有效避免、减少发生漏硅后的安全事故。
附图说明
[0018]图1是本技术的一实施例的未安装有直壁封堵件和R角封堵件的石墨坩埚的结构示意图；
[0019]图2是图1的俯视结构示意图；
[0020]图3是本技术的一实施例的石墨坩埚的结构示意图；
[0021]图4是本技术的一实施例的直壁部封堵件的主视结构示意图；
[0022]图5是本技术的一实施例的直壁部封堵件的侧视结构示意图；
[0023]图6是本技术的一实施例的R角封堵件的主视结构示意图；
[0024]图7是本技术的一实施例的R角封堵件的侧视结构示意图。
[0025]图中：
[0026]1、第一凹槽
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2、第二凹槽
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3、直壁部封堵件
[0027]4、R角封堵件
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30、第一连接板
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31、第二连接板
具体实施方式
[0028]下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步的说明。
[0029]图1示出了本技术一实施例的结构示意图，本实施例涉及一种直拉硅单晶用石墨坩埚，用于直拉单晶时使用，该石墨坩埚的相邻每瓣坩埚之间的直壁部分的缝隙处具有直壁封堵件，R角部分的缝隙处具有R角封堵件，能够对放置于石墨坩埚内的石英坩埚进行有效支撑，能够有效避免发生漏硅后的安全事故，同时能够对石墨坩埚旧件进行修复，降低使用成本。
[0030]一种直拉硅单晶用石墨坩埚，如图1
‑
3所示，包括石墨坩埚本体、直壁部封堵件3和R角封堵件4，其中，石墨坩埚本体包括多瓣坩埚，石墨坩埚本体由多瓣坩埚拼接构成，形成碗状的石墨坩埚本体结构，以便于进行直拉单晶时，石英坩埚能够放置于石墨坩埚内；石墨坩埚具有直壁部分和R角部分，直壁部分与R角部分的一端连接，R角部分的另一端与石墨坩埚的底部连接，构造出碗状的石墨坩埚的整体结构，每一瓣坩埚的结构形状相同，构成石墨
坩埚的瓣数根据实际需求进行选择设置，这里不做具体要求，在本实施例中，构成石墨坩埚的瓣数为三瓣。
[0031]直壁部封堵件3分别与石墨坩埚本体的相邻两瓣坩埚的直壁部分连接，对相邻两瓣坩埚之间的直壁部分的缝隙进行封堵，以使得直壁部封堵件3能够对石英坩埚进行支撑；R角封堵件4分别与石墨坩埚本体的相邻两瓣坩埚的R角部分连接，对相邻两瓣坩埚之间的R角部分的缝隙进行封堵，以使得R角封堵件4能够对石英坩埚进行支撑；且由于石墨坩埚是拼接结构，直壁部封堵件3和R角封堵件4的设置，使得石墨坩埚中任一瓣坩埚损坏后，可以只更换该瓣坩埚，使得新的一瓣坩埚与原石墨坩埚中的剩余的其他瓣坩埚进行拼接，并通过直壁部封堵件3和R角封堵件4分别进行连接，能够增加石墨坩埚的使用寿命，降低石墨坩埚的投入成本；
[0032]直壁部封堵件3与R角封堵件4均设于石墨坩埚本体的内壁上，便于直壁部封堵件3和R角封堵件4分别安装于相邻两瓣上且不会脱落，且直壁部封堵件3的面向石墨坩埚内部的一侧面与R角封堵件4的面向石墨坩埚内部的一侧面均与石墨坩埚本体的内壁表面位于同一平面，使得直壁部封堵件3与R角封堵件4不会凸出石墨坩埚的内壁表面，以使得石英坩埚放置于石墨坩埚内时，直壁部封堵件3和R角封堵件4均与石英坩埚的接触为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直拉硅单晶用石墨坩埚，其特征在于：包括石墨坩埚本体、直壁部封堵件和R角封堵件，其中，所述直壁部封堵件分别与所述石墨坩埚本体的相邻两瓣坩埚的直壁部分连接，对相邻两瓣坩埚之间的直壁部分的缝隙进行封堵；所述R角封堵件分别与所述石墨坩埚本体的相邻两瓣坩埚的R角部分连接，对相邻两瓣坩埚之间的R角部分的缝隙进行封堵；所述直壁部封堵件与所述R角封堵件均设于所述石墨坩埚本体的内壁上，且所述直壁部封堵件的面向石墨坩埚内部的一侧面与所述R角封堵件的面向石墨坩埚内部的一侧面均与所述石墨坩埚本体的内壁表面位于同一平面。2.根据权利要求1所述的直拉硅单晶用石墨坩埚，其特征在于：所述石墨坩埚本体的每一瓣坩埚的直壁部分的两侧边处均设有第一凹槽，所述第一凹槽被设置为由所述每一瓣坩埚的内侧壁向外侧壁方向凹陷形成，且所述第一凹槽的靠近每一瓣坩埚的直壁部分的侧边的一侧和靠近端部的一侧均与外部连通。3.根据权利要求2所述的直拉硅单晶用石墨坩埚，其特征在于：相邻两瓣坩埚的直壁部分的所述第一凹槽的位置相对应，构造出一容纳槽，所述直壁部封堵件插接于所述容纳槽内。4.根据权利要求3所述的直拉硅单晶用石墨坩埚，其特征在于：每一瓣坩埚的两侧边的所述第一凹槽的位置相对应，位于所述每一瓣坩埚的同一圆周上。5.根据权利要求2
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【专利技术属性】
技术研发人员：高建芳，王建平，王林，谷守伟，白大伟，李利军，
申请(专利权)人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司，
类型：新型
国别省市：