【技术实现步骤摘要】
一种具有多环配体的发光材料
[0001]本专利技术涉及用于有机电子器件的化合物,例如有机发光器件。更特别地,涉及一种具有多环结构配体的金属配合物以及包含该金属配合物的有机电致发光器件和化合物组合。
技术介绍
[0002]有机电子器件包括但是不限于下列种类:有机发光二极管(OLEDs),有机场效应晶体管(O
‑
FETs),有机发光晶体管(OLETs),有机光伏器件(OPVs),染料
‑
敏化太阳能电池(DSSCs),有机光学检测器,有机光感受器,有机场效应器件(OFQDs),发光电化学电池(LECs),有机激光二极管和有机电浆发光器件。
[0003]1987年,伊斯曼柯达的Tang和Van Slyke报道了一种双层有机电致发光器件,其包括芳基胺空穴传输层和三
‑8‑
羟基喹啉
‑
铝层作为电子传输层和发光层(Applied Physics Letters,1987,51(12):913
‑
915)。一旦加偏压于器件,绿光从器件中发射出来。这个专利技术为现代有机发光二极管(OLEDs)的发展奠定了基础。最先进的OLEDs可以包括多层,例如电荷注入和传输层,电荷和激子阻挡层,以及阴极和阳极之间的一个或多个发光层。由于OLEDs是一种自发光固态器件,它为显示和照明应用提供了巨大的潜力。此外,有机材料的固有特性,例如它们的柔韧性,可以使它们非常适合于特殊应用,例如在柔性基底制作上。
[0004]OLED可以根据其发光机制分为三种
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种金属配合物,其包含配体L
a
和金属M,其中,所述M选自相对原子质量大于40的金属,所述L
a
具有由式1表示的结构:其中,环A、环B各自独立地选自五元不饱和碳环、具有6
‑
30个碳原子的芳环或者具有3
‑
30个碳原子的杂芳环;环C选自具有3
‑
30个碳原子的杂芳环;R
x
每次出现时相同或不同地表示单取代,多取代或无取代;Y选自CR
y
R
y
,SiR
y
R
y
,GeR
y
R
y
,NR
y
,PR
y
,O,S或Se;R
x
和R
y
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的杂烷基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳原子的芳烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷氧基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳氧基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷基锗基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基锗基,取代或未取代的具有0
‑
20个碳原子的氨基,酰基,羰基,羧酸基,酯基,氰基,异氰基,羟基,巯基,亚磺酰基,磺酰基,膦基,及其组合;相邻的取代基R
x
和R
y
能任选地连接形成环。2.如权利要求1所述的金属配合物,其中,环A、环B各自独立地选自五元不饱和碳环、具有6
‑
18个碳原子的芳环或具有3
‑
18个碳原子的杂芳环;和/或环C选自具有3
‑
18个碳原子的杂芳环;优选地,环A、环B各自独立地选自五元不饱和碳环、具有6
‑
10个碳原子的芳环或具有3
‑
10个碳原子的杂芳环;和/或环C选自具有3
‑
10个碳原子的杂芳环;更优选地,环A、环B各自独立地选自苯环,萘环,茚环,吡啶环,呋喃环,噻吩环,吡咯环,环戊二烯环,喹啉环,异喹啉环,喹唑啉环,喹喔啉环,萘啶环,苯并呋喃环,苯并噻吩环或吲哚环;和/或环C选自咪唑环,吡啶环,喹啉环,异喹啉环,喹唑啉环,喹喔啉环,萘啶环,氮杂苯并呋喃环,氮杂苯并噻吩环或氮杂吲哚环。3.如权利要求1或2所述的金属配合物,其中,L
a
具有由式2至式15组成的组中的任一种表示的结构:
X1‑
X
10
每次出现时相同或不同地选自CR
x
或N;Z1、Z2每次出现时相同或不同的选自O,S或NR
z
;Y选自CR
y
R
y
,SiR
y
R
y
,GeR
y
R
y
,NR
y
,PR
y
,O,S或Se;当同时存在两个R
y
时,两个R
y
相同或不同;R
x
、R
z
、R
y
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的杂烷基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳原子的芳烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷氧基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳氧基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷基锗基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基锗基,取代或未取代的具有0
‑
20个碳原子的氨基,酰基,羰基,羧酸基,酯基,氰基,异氰基,羟基,巯基,亚磺酰基,磺酰基,膦基,及其组合;相邻的取代基R
x
、R
z
、R
y
能任选地连接形成环;优选地,L
a
具有由式2、式3、式5、式7、式10、式12或式14表示的结构;更优选地,L
a
具有由式2、式5或式10表示的结构。4.如权利要求3所述的金属配合物,其中,在式2至式15中,取代基R
x
、R
z
、R
y
中至少有两个相邻的取代基连接形成环;优选地,至少有两个相邻的取代基R
x
连接形成环。5.如权利要求3所述的金属配合物,其中,在式2至式15中,X1‑
X
n
中至少有一个选自N,所述X
n
对应所述X1‑
X
10
在式2至式15任一个中所存在的序号最大者;优选地,X3是N。6.如权利要求3所述的金属配合物,其中,在式2至式15中,X1‑
X
10
每次出现时相同或不同地选自CR
x
。7.如权利要求3
‑
6中任一项所述的金属配合物,其中,在式2至式15中,R
x
、R
z
、R
y
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原
子的杂烷基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳原子的芳烷基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷基锗基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基锗基,取代或未取代的具有0
‑
20个碳原子的氨基,氰基,异氰基,羟基,巯基,及其组合;优选地,R
x
、R
z
、R
y
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,氰基,及其组合;更优选地,R
x
、R
z
、R
y
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,氟,甲基,乙基,异丙基,异丁基,叔丁基,新戊基,环戊基,环戊基甲基,环己基,降冰片基,三甲基硅基,异丙基二甲基硅基,苯基二甲基硅基,三氟甲基,氰基,苯基,三甲基嘧啶基,二叔丁基三嗪基,及其组合。8.如权利要求3所述的金属配合物,其中,在式2至式15中,X1至X
n
中至少有1个或2个或3个每次出现时相同或不同地选自CR
x
,所述X
n
对应所述X1‑
X
10
在式2至式15任一个中所存在的序号最大者;并且所述R
x
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,氰基,及其组合;优选地,X3至X5每次出现时相同或不同地选自CR
x
;更优选地,所述R
x
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,氟,甲基,乙基,异丙基,异丁基,叔丁基,新戊基,环戊基,环戊基甲基,环己基,降冰片基,三甲基硅基,异丙基二甲基硅基,苯基二甲基硅基,三氟甲基,氰基,苯基,三甲基嘧啶基,二叔丁基三嗪基,及其组合。9.如权利要求3所述的金属配合物,其中,在式2至式15中,X1‑
X
10
每次出现时相同或不同地选自CR
x
或N;其中X1‑
X
n
中至少有1个选自CR
x
,所述X
n
对应所述X1‑
X
10
在式2至式15任一个中所存在的序号最大者;并且所述R
x
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的杂烷基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳原子的芳烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷氧基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳氧基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷基锗基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基锗基,取代或未取代的具有0
‑
20个碳原子的氨基,酰基,羰基,羧酸基,酯基,氰基,异氰基,羟基,巯基,亚磺酰基,磺酰基,膦基,及其组合;
优选地,所述R
x
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,氰基,及其组合;更优选地,所述R
x
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氘,氟,甲基,乙基,异丙基,异丁基,叔丁基,新戊基,环戊基,环戊基甲基,环己基,降冰片基,三甲基硅基,异丙基二甲基硅基,苯基二甲基硅基,三氟甲基,氰基,苯基,三甲基嘧啶基,二叔丁基三嗪基,及其组合。10.如权利要求9所述的金属配合物,其中,在式2至式4、式7至式9、式12至式15中,X1‑
X3中至少有1个选自CR
x
;在式5、式10中,X1‑
X3、X9、X
10
中至少有1个选自CR
x
;在式6、式11中,X1‑
X3、X7、X8中至少有1个选自CR
x
;并且所述R
x
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的杂烷基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳...
【专利技术属性】
技术研发人员:张翠芳,张冬冬,鹿学宇,夏传军,邝志远,
申请(专利权)人:北京夏禾科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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