金属铱络合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种金属铱络合物及其应用。所述金属铱络合物具有Ir(La)(Lb)(Lc)的通式，其中La为式(1)所示的结构，Lb为式(2)所示的结构。本发明专利技术提供的化合物具有驱动电压低，升华温度低，光、电稳定性好，发光效率高，寿命长，色饱和度高等优点，可用于有机发光器件中，特别是作为红色发光磷光材料，具有应用于AMOLED产业的可能。业的可能。业的可能。

【技术实现步骤摘要】
金属铱络合物及其应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光
，尤其涉及一种有机发光材料，特别涉及一种金属铱络合物及其在有机电致发光器件上的应用。

技术介绍

[0002]目前，作为新一代显示技术的有机电致发光器件(OLED)在显示和照明技术方面都获得了越来越多的关注，应用前景十分广泛。但是，和市场应用要求相比，OLED器件的发光效率、驱动电压、使用寿命等性能还需要继续加强和改进。
[0003]一般来说，OLED器件基本结构为在金属电极中间夹杂各种不同功能的有机功能材料薄膜，犹如一个三明治的结构，在电流的驱动下，从阴阳两极分别注入空穴和电子，空穴和电子在移动一段距离后，在发光层得到复合，并以光或热的形式进行释放，从而产生了OLED的发光。然而，有机功能材料是有机电致发光器件的核心组成部分，材料的热稳定性、光化学稳定性、电化学稳定性、量子产率、成膜稳定性、结晶性、色饱和度等都是影响器件性能表现的主要因素。
[0004]一般地，有机功能材料包括荧光材料和磷光材料。荧光材料通常为有机小分子材料，一般只能利用25％单重态发光，所以发光效率比较低。而磷光材料由于重原子效应引起地自旋轨道耦合作用，除了利用25％单重态之外，还可以利用75％三重态激子的能量，所以发光效率可以得到提升。但是相较于荧光材料，磷光材料起步较晚，且材料的热稳定性、寿命、色饱和度等都有待提升，这是一个具有挑战性的课题。现已经有人开发各种化合物作为磷光材料。例如专利技术专利文献CN1589307A公开了一类喹啉、异喹啉与苯环相连的化合物作为配体的金属络合物尤其特别是铱络合物，可以提供500
‑
700nm的发光，并指出通过在特定位置选择供电子或者吸电子基团以调节化合物的发光颜色；专利技术专利文献CN100375749C公开了以异喹啉和苯环衍生物为配体的铱络合物并针对R1和R2的选择进行了一定的选择和筛选，取得了相对于Ir(ppy)3来说较高的光致发光效率，但是对应的器件性能特别是器件效率需要得到进一步改善；专利技术专利文献CN101160369B公开了铱络合物但是该类材料的色饱和度、器件效率和寿命都需要得到改善；专利技术专利文献CN102603803B公开了异喹啉连接间位联苯的
金属络合物但是该类材料的器件性能较低，特别是器件效率还可能低于不带联苯的相同络合物；专利技术专利文献CN104885248B公开了Ir金属络合物申请人指出，通过调整发光层的搭配和组合，可以提供较高的器件效率和寿命；专利技术专利文献CN110615816A公开了一类含有三苯基硅的铱络合物，具体公开了络合物申请人指出，该类材料具有较高的器件效率和寿命；专利技术专利文献TW200848422A公开了一类苯基喹啉或者异喹啉作为配体的铱络合物，特别是公开的络合物的性能需要得到更好的改善；专利技术专利文献TW200423814A公开了其中R5是取代的或者未取代的杂芳基，并制备了络合物与Ir(ppy)3进行对比器件，显示出红移的发光光谱(514nm到519nm)和略微提升的EQE(6.5％到7.0％)。该类材料的器件性能虽然得到了不同程度的提高，特别是器件效率和寿命，还需要得到进一步的改善，以满足市场日益增长的需求。

技术实现思路

[0005]本专利技术是为了解决上述课题而完成的，目的在于提供高性能的有机电致发光器件及可实现这样的有机电致发光器件的新型材料。
[0006]本专利技术人为了达成前述目的而反复进行了深入的研究，结果发现，通过使用包含下述式(1)和式(2)为配体表示的有机金属铱络合物，可以得到高性能的有机电致发光器件。
[0007]所述金属铱络合物具有Ir(La)(Lb)(Lc)的通式，其中La为式(1)所示的结构，Lb为式(2)所示的结构。本专利技术提供的络合物具有驱动电压低，升华温度低，光、电稳定性好，发光效率高，寿命长，色饱和度高等优点，可用于有机发光器件中，特别是作为红色发光磷光材料，具有应用于AMOLED产业的可能。
[0008]一种金属铱络合物，具有Ir(La)(Lb)(Lc)的通式，其中La为式(1)所示的结构，
[0009][0010]其中，虚线表示与金属Ir连接的位置；
[0011]其中，X1‑
X4独立地为N或者CR0，且至少两个为CR0，并且两个R0之间相互连接形成五元或六元的取代或未取代的芳香环或杂芳环；
[0012]其中，R0、R4独立地选自氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1
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C10烷基、取代的或未取代的C1
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C10杂烷基、取代的或未取代的C3
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C20环烷基、取代的或未取代的C3
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C20杂环烷基、取代或未取代的C2
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C10烯基、取代或未取代的C2
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C10炔基、取代或未取代的C6
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C30芳基、取代或未取代的C2
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C30杂芳基、取代或未取代的三C1
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C10烷基硅基、取代或未取代的三C6
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C12芳基硅基、取代或未取代的二C1
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C10烷基一C6
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C30芳基硅基、取代或未取代的一C1
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C10烷基二C6
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C30芳基硅基、氨基，巯基、羟基；
[0013]其中，R1、R3独立地选自取代的或未取代的C1
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C10烷基、取代的或未取代的C1
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C10杂烷基、取代的或未取代的C3
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C20环烷基、取代的或未取代的C3
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C20杂环烷基；
[0014]其中，R2为取代或未取代的C6
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C30芳基、取代或未取代的C2
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C30杂芳基；
[0015]其中Lb为式(2)所示的结构，
[0016][0017]其中，虚线位置表示与金属Ir连接的位置；
[0018]其中，Ra
‑
Rg独立地选自氢、氘、卤素、取代的或未取代的C1
‑
C10烷基、取代的或未取代的C3
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C20环烷基、取代的或未取代的C1
‑
C10杂烷基、取代的或未取代的C3
‑
C20杂环烷基、或者Ra、Rb、Rc之间两两连接以形成脂肪环，Re、Rf、Rg之间两两连接以形成脂肪环；
[0019]其中，所述杂芳环、杂烷基、杂环烷基和杂芳基中至少含有一个O、N或S杂原子；
[0020]其中，所述取代为被氘、F、Cl、Br、C1
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C6烷基、C1
‑
C6烷氧基、C3
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C6环烷基、C1
‑
C6烷基取代的胺基、氰基、异腈基或膦基所取代，其中所述取代为单取代到最大数目取代；
[0021]其中，Lc均为单阴离子型双齿配体，Lc与Lb不相同且不为OO型配体；
[0022]其中，Lc与La相同或不相同，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属铱络合物，具有Ir(La)(Lb)(Lc)的通式，其中La为式(1)所示的结构，其中，虚线表示与金属Ir连接的位置；其中，X1‑
X4独立地为N或者CR0，且至少两个为CR0，并且两个R0之间相互连接形成五元或六元的取代或未取代的芳香环或杂芳环；其中，R0、R4独立地选自氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1
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C10烷基、取代的或未取代的C1
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C10杂烷基、取代的或未取代的C3
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C20环烷基、取代的或未取代的C3
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C20杂环烷基、取代或未取代的C2
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C10烯基、取代或未取代的C2
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C10炔基、取代或未取代的C6
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C30芳基、取代或未取代的C2
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C30杂芳基、取代或未取代的三C1
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C10烷基硅基、取代或未取代的三C6
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C12芳基硅基、取代或未取代的二C1
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C10烷基一C6
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C30芳基硅基、取代或未取代的一C1
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C10烷基二C6
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C30芳基硅基、氨基，巯基、羟基；其中，R1、R3独立地选自取代的或未取代的C1
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C10烷基、取代的或未取代的C1
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C10杂烷基、取代的或未取代的C3
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C20环烷基、取代的或未取代的C3
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C20杂环烷基；其中，R2为取代或未取代的C6
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C30芳基、取代或未取代的C2
‑
C30杂芳基；其中Lb为式(2)所示的结构，其中，虚线位置表示与金属Ir连接的位置；其中，Ra
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Rg独立地选自氢、氘、卤素、取代的或未取代的C1
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C10烷基、取代的或未取代的C3
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C20环烷基、取代的或未取代的C1
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C10杂烷基、取代的或未取代的C3
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C20杂环烷基、或者Ra、Rb、Rc之间两两连接以形成脂肪环，Re、Rf、Rg之间两两连接以形成脂肪环；其中，所述杂芳环、杂烷基、杂环烷基和杂芳基中至少含有一个O、N或S杂原子；其中，所述取代为被氘、F、Cl、Br、C1
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C6烷基、C1
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C6烷氧基、C3
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C6环烷基、C1
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C6烷基取代的胺基、氰基、异腈基或膦基所取代，其中所述取代为单取代到最大数目取代；其中，Lc均为单阴离子型双齿配体，Lc与Lb不相同且不为OO型配体；其中，Lc与La相同或不相同，所述不相同为母核结构不相同或母核结构相同但取代基不同或母核结构相同取代基相同但取代基位置不相同；或者，La、Lb、Lc两两或三者相互连接形成多齿配体。2.根据权利要求1所述的金属铱络合物，其中，所述芳香环或杂芳环结构是X1和X2、或X2和X3、或X3和X4均为CR0并且两个R0之间相互连接形成五元环或者六元环的芳香环或杂芳环结构，其中所述的五元环或者六元环的芳环结构或杂芳环结构与A环稠合形成的并环结构，所述并环结构如下式之一所示：
其中，*表示与式(1)中取代苯环相连的位置；其中，R表示无取代到最大可能的取代，或者两个相邻的R之间互相连接形成脂肪族或者芳香族环状结构，其中无取代意味着与碳相连的地方都是氢原子，R独立地选自氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1
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C10烷基、取代的或未取代的C1
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C10杂烷基、取代的或未取代的C3
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C20环烷基、取代的或未取代的C3
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C20杂环烷基、取代或未取代的C2
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C10烯基、取代或未取代的C2
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C10炔基、取代或未取代的C6
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C30芳基、取代或未取代的C2
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C30杂芳基、取代或未取代的三C1
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C10烷基硅基、取代或未取代的三C6
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C12芳基硅基、取代或未取代的二C1
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C10烷基一C6
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C30芳基硅基、取代或未取代的一C1
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C10烷基二C6
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C30芳基硅基、氨基，巯基、羟基。3.根据权利要求2所述的金属铱络合物，其中式(1)中两个相邻的R0之间相互连接形成的式(3)所示的结构与A环形成并环结构：其中，虚线表示与A环连接的位点，其中，Ra独立地选自氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1
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C10烷基、取代的或未取
代的C1
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C10杂烷基、取代的或未取代的C3
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C20环烷基、取代的或未取代的C3
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C20杂环烷基、取代或未取代的C2
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C10烯基、取代或未取代的C2
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C10炔基、取代或未取代的C6
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C30芳基、取代或未取代的C2
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C30杂芳基、取代或未取代的三C1
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C10烷基硅基、取代或未取代的三C6
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C12芳基硅基、取代或未取代的二C1
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C10烷基一C6
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C30芳基硅基、取代或未取代的一C1
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C10烷基二C6
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C30芳基硅基，两个相邻的Ra之间可以相互连接以形成脂环族环或芳香族环；其中，n为0
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4的自然数。4.根据权利要求3所述的金属铱络合物，其中式(1)具有式(4)所述的结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈少福，戴雷，蔡丽菲，
申请(专利权)人：广东阿格蕾雅光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：