耦合电感器及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种耦合电感器，其具有两个通过黄光制程制成的线圈，其中第一线圈设置在磁性片的上表面，第二线圈设置在磁性片的下表面，用于控制两者之间的间隙变化在较小的范围内。内。内。

【技术实现步骤摘要】
耦合电感器及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种耦合电感器，尤其涉及一种采用镀膜制程或黄光制程制作的耦合电感器。

技术介绍

[0002]传统的耦合电感器是由两个离散导线制成的两个线圈，然而传统的耦合电感器的两个线圈之间的间隙变化是在较大范围内变化，这将影响耦合电感的可靠性和性能。
[0003]此外，传统的耦合电感器使用第一模具，如图1A所示，第二模具如图1B所示，其中第一线圈C1围绕中柱P1，第二线圈C2围绕中柱P2，因此柱中心的偏差可以是第一模具偏差和第二模具偏差之和加上组合制程偏差。另外，每个传统的耦合电感都是单独制作的，所以柱中心的偏差是高斯分布，变化范围大，不利于保持产品的可靠性和性能。
[0004]此外，如图1C和图1D所示，第二线圈C2和第一线圈C1之间的间隙可以在0
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76um等大范围内变化，这也不利于保持产品的可靠性和性能。
[0005]因此，需要更好的方案来解决上述问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种耦合电感器，其具有两个线圈，其采用镀膜制程或黄光制程制成，用于将两个线圈之间的间隙的变化控制在较小的范围内。
[0007]本专利技术的目的在于提供一种在单一制程中制作多个耦合电感器的方法，其中通过镀膜制程或黄光制程制成的多个耦合电感器可以将两个线圈之间的间隙的变化控制在更小的范围内，以保持产品的可靠性与性能，其中本专利技术批量生产的所有成品的K(耦合系数)值的标准偏差显著降低。
[0008]本专利技术一实施例揭露了一种耦合电感器器，包含：一第一线圈结构，包含至少一第一导电层，其中每一导电层形成于一对应的绝缘层上，其中所述至少一第一导电层包含用于形成一第一线圈的至少一第一绕组的第一导电图案；一第二线圈结构，包含至少一第二导电层，其中每一导电层形成于一对应的绝缘层上，其中所述至少一第二导电层包含用于形成一第二线圈的至少一第二绕组的第二导电图案；以及其中，在横跨该第一线圈结构的至少一第一绕组、该第一线圈结构的至少一第一绕组的一第一中空空间、该第二线圈结构的至少一第二绕组以及该第二线圈结构的至少一第二绕组的一第二中空空间的一第一垂直平面上，一第一水平线段的中点与一第二水平线段的中点之间的一第一水平距离不大于1um，其中该第一水平线段从该第一线圈的该第一绕组的一第一最内侧边缘穿过该第一中空空间延伸到该第一线圈的该第一绕组的一第二最内侧边缘，且该第二水平线段从该第二线圈的该第二绕组的第三最内侧边缘穿过该第二中空空间延伸到该第二线圈的该第二绕组的一第四最内侧边缘。
[0009]在本专利技术一个实施例中，还包含一磁性片，其中该第一线圈结构设置在该磁性片的上表面的上方，且该第二线圈结构设置在该磁性片的下表面的下方。
[0010]在本专利技术一个实施例中，在横跨该第一线圈结构的至少一第一绕组、该第一线圈结构的至少一第一绕组的一第一中空空间、该第二线圈结构的至少一第二绕组以及该第二线圈结构的至少一第二绕组的一第二中空空间的一第二垂直平面上，一第三水平线段的一中点与一第四水平线段的中点之间的一第二水平距离不大于1um，其中该第三水平线段从该第一线圈的该第一绕组的一第五最内侧边缘穿过该第一中空空间延伸到该第一线圈的该第一绕组的一第六最内侧边缘，且该第二水平线段从该第二线圈的该第二绕组的第七最内侧边缘穿过该第二中空空间延伸到该第二线圈的该第二绕组的一第八最内侧边缘，其中该第二垂直平面垂直于该第一垂直平面。
[0011]在本专利技术一个实施例中，还包含一第一磁性体与一第二磁性体，其中，所述第一磁性体设置在所述磁性片的上表面上以包覆所述第一线圈的至少一第一绕组，以及所述第二磁性体设置于所述磁性片的下表面上以包覆所述第二线圈的至少一第二绕组。
[0012]在本专利技术一个实施例中，所述至少一第一导电层包含第一多个导电层，其中所述第一多个导电层中的每一导电层从第一底部绝缘层开始依次形成在一对应的绝缘层上，其中所述第一多个导电层位于所述第一底部绝缘层和一第一顶部绝缘层之间，其中所述第一底部绝缘层与所述磁性片的上表面接触。
[0013]在本专利技术一个实施例中，所述至少一第二导电层包含第二多个导电层，其中所述第二多个导电层中的每一导电层从一第二底部绝缘层开始依次形成于一对应的绝缘层上，其中所述第二多个导电层位于所述第二底部绝缘层与一第二顶部绝缘层之间，其中所述第二底部绝缘层与所述磁性片的下表面接触。
[0014]在本专利技术一个实施例中，所述至少一第二导电层包含第二多个导电层，其中所述第二多个导电层中的每一导电层从一第二底部绝缘层开始依次形成于一对应的绝缘层上，其中所述第二多个导电层位于所述第二底部绝缘层与一第二顶部绝缘层之间，其中所述第二顶部绝缘层与所述磁性片的下表面接触。
[0015]在本专利技术一个实施例中，所述第一磁性体包含一第一单一磁性体，所述一第一单一磁性体包覆所述第一线圈的至少一第一绕组并延伸至所述第一线圈的一第一中空部位中。
[0016]在本专利技术一个实施例中，所述第二磁性体包含一第二单一磁性体，所述第二单一磁性体包覆所述第二线圈的至少一第二绕组并延伸至所述第一线圈的一第二中空部位中。
[0017]在本专利技术一个实施例中，所述第一绕组形成于所述第一底部绝缘层上，其中一对应的绝缘层形成于包含所述第一绕组的所述第一导电层上，所述对应的绝缘层包覆所述第一绕组并延伸至所述第一导电层的一未图案化区域。
[0018]在本专利技术一个实施例中，所述至少一个第一导电层是通过镀膜制程形成。
[0019]在本专利技术一个实施例中，所述第一磁性体由一第一材料形成，且所述磁性片由与所述第一材料不同的一第二材料形成。
[0020]在本专利技术一个实施例中，所述第一磁性体和所述第二磁性体皆由一第一材料形成，且所述磁性片由与所述第一材料不同的一第二材料形成。
[0021]在本专利技术一个实施例中，所述第一磁性体由一第一材料形成，所述磁性片由一第二材料形成，所述第二磁性体由一第三材料形成，其中，所述第一材料，所述第二材料以及所述第三材料彼此皆不同。
[0022]本专利技术一实施例揭露了一种耦合电感器器，包含：一第一线圈结构，包含至少一第一导电层，其中每一导电层形成于一对应的绝缘层上，其中所述至少一第一导电层包含用于形成一第一线圈的至少一第一绕组的第一导电图案；
[0023]一第二线圈结构，包含至少一第二导电层，其中每一导电层形成于一对应的绝缘层上，其中所述至少一第二导电层包含用于形成一第二线圈的至少一第二绕组的第二导电图案；以及其中所述第一线圈结构的至少一第一绕组和所述第二线圈结构的至少一第二绕组沿一垂直方向堆叠，其中所述第一线圈结构与所述第二线圈结构依据同一组成像图案而形成，其中所述第一线圈的轴线与所述第一线圈的形状的相对位置与所述第一线圈的轴线与所述第二线圈的轴线相对于所述第二线圈的形状的相对位置相同。
[0024]在本专利技术一个实施例中，还包含一磁性片，其中该第一线圈结构设置在该磁性片的上表面的上方，且该第二线圈结构设置在该磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耦合电感器，其特征在于，包含：一第一线圈结构，包含至少一第一导电层，其中每一导电层形成于一对应的绝缘层上，其中所述至少一第一导电层包含用于形成一第一线圈的至少一第一绕组的第一导电图案；一第二线圈结构，包含至少一第二导电层，其中每一导电层形成于一对应的绝缘层上，其中所述至少一第二导电层包含用于形成一第二线圈的至少一第二绕组的第二导电图案；以及其中，在横跨所述第一线圈结构的的至少一第一绕组、所述第一线圈结构的的至少一第一绕组的一第一中空空间、所述第二线圈结构的至少一第二绕组以及所述第二线圈结构的至少一第二绕组的一第二中空空间的一第一垂直平面上，一第一水平线段的中点与一第二水平线段的中点之间的一第一水平距离不大于1um，其中，该第一水平线段从该第一线圈的该第一绕组的一第一最内侧边缘穿过该第一中空空间延伸到该第一线圈的该第一绕组的一相对应的第二内侧边缘，且该第二水平线段从该第二线圈的该第二绕组的一第三最内侧边缘穿过该第二中空空间延伸到该第二线圈的该第二绕组的一相对应的第四内侧边缘。2.根据权利要求1所述的耦合电感器，其特征在于，还包含一磁性片，其中该第一线圈结构设置在该磁性片的上表面的上方，且该第二线圈结构设置在该磁性片的下表面的下方。3.根据权利要求2所述的耦合电感器，其特征在于，在横跨该第一线圈结构的的至少一第一绕组、该第一线圈结构的的至少一第一绕组的一第一中空空间、该第二线圈结构的至少一第二绕组以及该第二线圈结构的至少一第二绕组的一第二中空空间的一第二垂直平面上，一第三水平线段的一中点与一第四水平线段的中点之间的一第二水平距离不大于1um，其中该第三水平线段从该第一线圈的该第一绕组的一第五最内侧边缘穿过该第一中空空间延伸到该第一线圈的该第一绕组的一相对应的第六最内侧边缘，且该第二水平线段从该第二线圈的该第二绕组的一第七最内侧边缘穿过该第二中空空间延伸到该第二线圈的该第二绕组的一相对应的第八最内侧边缘，其中该第二垂直平面垂直于该第一垂直平面。4.根据权利要求1所述的耦合电感器，其特征在于，还包含一第一磁性体与一第二磁性体，其中，所述第一磁性体设置在所述磁性片的上表面上以包覆所述第一线圈的至少一第一绕组，以及所述第二磁性体设置于所述磁性片的下表面上以包覆所述第二线圈的至少一第二绕组。5.根据权利要求1所述的耦合电感器，其特征在于，所述至少一第一导电层包含第一多个导电层，其中所述第一多个导电层中的每一导电层从第一底部绝缘层开始依次形成在一对应的绝缘层上，其中所述第一多个导电层位于所述第一底部绝缘层和一第一顶部绝缘层之间，其中所述第一底部绝缘层与所述磁性片的上表面接触。6.根据权利要求3所述的耦合电感器，其特征在于，所述至少一第二导电层包含第二多个导电层，其中所述第二多个导电层中的每一导电层从一第二底部绝缘层开始依次形成于一对应的绝缘层上，其中所述第二多个导电层位于所述第二底部绝缘层与一第二顶部绝缘层之间，其中所述第二底部绝缘层与所述磁性片的下表面接触。7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张证皓，李承德，
申请(专利权)人：乾坤科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：