一种屏蔽栅MOSFET器件制造技术

一种屏蔽栅MOSFET器件，本发明专利技术涉及于功率半导体器件，该器件包括有下表面金属、第一导电型衬底、第一导电型外延层、器件内沟槽和位于器件外围的终端沟槽、第二导电型掺杂体区、氧化物介质层和上表面金属，所述的器件内沟槽包括有交替排列的第一类沟槽和第二类沟槽，所述的第一类沟槽包括有屏蔽栅电极和栅电极；所述的第二类沟槽包括有屏蔽栅电极；所述的终端沟槽内设有屏蔽栅电极和栅电极。第一类沟槽用于形成导通区域；第二类沟槽用于连接屏蔽栅电极和上表面金属层；终端沟槽的宽度要大于第一、二类沟槽，用于保证器件外围的击穿电压，并且用于连接栅电极和表层金属。本发明专利技术提供的屏蔽栅MOSFET器件具有独特的结构。蔽栅MOSFET器件具有独特的结构。蔽栅MOSFET器件具有独特的结构。

【技术实现步骤摘要】
一种屏蔽栅MOSFET器件


[0001]本技术涉及于功率半导体器件，特别是屏蔽栅沟槽型场效应管器件的结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]以下将对现有的屏蔽栅沟槽型场效应管的相关技术背景进行说明。需指出的是，本文件中所述的对应位置词如“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“垂直”、“水平”、“竖直”是对应于参考图示的相对位置。具体实施中并不限制固定方向。需指出，附图中的器件并不一定按具体比例绘画。附图中的掺杂区和沟槽的边界所示的直线，以及由该边界所形成的尖角，在实际应用中一般并非直线和精确的角。
[0003]屏蔽栅沟槽型场效应管，作为一种新型的功率器件，具有导通电阻低，开关速度快的特点。但是制造上述结构，按照现有的制造方法，整个工艺流程共需要六到八个光刻步骤，如在定义屏蔽栅电极，隔离介质层区域以及形成P体掺杂区时，均需要利用光刻版进行光刻工艺步骤，该器件的工艺成本较为高昂，因此有必要提供一种减少光刻步骤的制造工艺以节省成本。

技术实现思路

[0004]针对上文中所提到的现有屏蔽栅沟槽型场效应管器件的问题，本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽栅MOSFET器件,所述的器件包括有下表面金属（209），位于所述下表面金属上方的第一导电型衬底（200），位于所述的第一导电型衬底（200）上方的第一导电型外延层（201）、位于所述的第一导电型外延层（201）上一个以上的器件内沟槽和位于器件外围的终端沟槽（252），位于所述的第一导电型外延层（201）上方且位于沟槽之间的第二导电型掺杂体区（216），位于器件上表面的氧化物介质层（206）和上表面金属（208），其特征在于，所述的器件内沟槽包括有交替排列的第一类沟槽（250）和第二类沟槽（251），所述的第一类沟槽（250）包括有屏蔽栅电极（203）和设于所述的屏蔽栅电极（203）上方的栅电极（205），所述的屏蔽栅电极（203）和栅电极（205）通过填充在沟槽内的绝缘物质相隔；所述的第二类沟槽（251）包括有屏蔽栅电极（203），其中设于第二类沟槽（251）内的屏蔽栅电极（203）通过第一类接触孔（207）连接至上表面金属（208）；所述的终端沟槽（252）内设有屏蔽栅电极（203）和设于所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍震威，梁嘉进，单建安，
申请(专利权)人：安建科技有限公司，
类型：新型
国别省市：