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一种屏蔽栅MOSFET器件，本发明涉及于功率半导体器件，该器件包括有下表面金属、第一导电型衬底、第一导电型外延层、器件内沟槽和位于器件外围的终端沟槽、第二导电型掺杂体区、氧化物介质层和上表面金属，所述的器件内沟槽包括有交替排列的第一类沟槽和...
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