一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法技术

一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法，本发明专利技术属于功率半导体器件，包括：位于底部的漏极金属层；位于漏极金属层之上的N+衬底层；位于N+衬底层之上的N型外延层；位于器件上表面的P掺杂体区和N+掺杂源区；N+掺杂源区与位于器件上表面的源极金属相连；所述N型外延层上设置有沟槽，所述沟槽内填充有屏蔽栅电极和位于屏蔽栅电极左右两侧或其中一侧的栅电极，屏蔽栅电极与位于器件顶部的上表面金属相连，所述屏蔽栅电极下方设置有高电阻场板，所述高电阻场板下方延伸至N+衬底层中，所述高电阻场板和沟槽的侧壁间具有薄氧化层隔离。有益效果在于，利用高电阻场板，降低沟槽深处的电场强度，实现均匀的电场强度分布，增加击穿电压。增加击穿电压。增加击穿电压。

【技术实现步骤摘要】
一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法


[0001]本专利技术属于功率半导体器件，具体涉及一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法。

技术介绍

[0002]以下将对现有的屏蔽栅沟槽型场效应管的相关技术背景进行说明。需指出的是，本文件中所述的对应位置词如“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“垂直”、“水平”、“竖直”是对应于参考图示的相对位置。具体实施中并不限制固定方向。需指出，附图中的器件并不一定按具体比例绘画。附图中的掺杂区和沟槽的边界所示的直线，以及由该边界所形成的尖角，在实际应用中一般并非直线和精确的角。
[0003]屏蔽栅沟槽型场效应管具有导通电阻低，开关速度快的特点。图1所示为一种传统结构的N型屏蔽栅沟槽型场效应管的横截面结构示意图。该器件结构包括：一个位于底部的漏极金属层（113）；一个位于漏极金属层之上的N+衬底层（100）；一个位于N+衬底层之上的N型外延层（101）；以及位于器件上表面的P掺杂体区（108）和N+掺杂源区（107）；在N型外延层上有一系列沟槽，沟槽内填充有三个电极，分别是位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件，其特征在于，包括：位于底部的漏极金属层(213)；位于漏极金属层(213)之上的N+衬底层(201)；位于N+衬底层之上的N型外延层(202)；位于器件上表面的P掺杂体区和N+掺杂源区；N+掺杂源区与位于器件上表面的源极金属(210)相连；所述N型外延层(202)上设置有沟槽(200)，所述沟槽(200)内填充有屏蔽栅电极(205)和位于屏蔽栅电极(205)左右两侧或其中一侧的栅电极(206)，屏蔽栅电极(205)与位于器件顶部的上表面金属(211)相连，所述屏蔽栅电极(205)下方设置有高电阻场板(220)，所述高电阻场板(220)下方延伸至N+衬底层(201)中，所述高电阻场板(220)和沟槽(200)的侧壁间具有薄氧化层(221)隔离。2.根据权利要求1所述的高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件，其特征在于，所述高电阻场板(220)由从上到下电阻率变化的材料构成或由多层不同电阻率的物料构成。3.根据权利要求1所述的高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件，其特征在于，高电阻场板(220)由变化电阻率的材料组成并最少分成上下两部分，其中上部电阻率低于下部电阻率，其上下部分的分界处位于相邻栅电极(206)下方0.1
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0.5 um处。4.根据权利要求1所述的高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件，其特征在于，高电阻场板(220)由变化电阻率的材料组成并最少分成上下两部分，其中上部电阻率低于下部电阻率，其上下部分的分界处位于相邻N型外延层(202)和N+衬底层(201)交界处的上方。5.根据权利要求1所述的高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件，其特征在于，所述高电阻场板(220)为覆盖于薄氧化层(221)上的薄导电层，薄导电层形成的沟槽(200)中填充有填充材料(230)。6.根据权利要求1所述的高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件，其特征在于，所述沟槽(200)分为上下两部分，其中上部沟槽的宽度大于下部沟槽的宽度。7.根据权利要求1所述的高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件，其特征在于，所述N 型外延层(20...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍震威，梁嘉进，单建安，
申请(专利权)人：安建科技有限公司，
类型：发明
国别省市：