半导体装置和电子设备制造方法及图纸

在本发明专利技术中，扩大了有效的沟道宽度。该半导体装置包括：半导体层，具有由分离区划分的有源区域；以及场效应晶体管，其中夹着沟道区域的一对主电极区域被设置在有源区域中，并且栅电极被设置在所述沟道区域上。有源区域具有在平面图中在一个方向上延伸的第一部分和在与一个方向正交的方向上从第一部分延伸的第二部分，并且沟道区域被设置成横跨第一部分和第二部分。一对主电极区域中的一个设置在与沟道区域接触的第一部分中，并且另一个设置在与沟道区域接触的第二部分中，该对主电极区域位于夹着沟道区域的相互相对侧上。于夹着沟道区域的相互相对侧上。于夹着沟道区域的相互相对侧上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置和电子设备


[0001]本技术(根据本公开的技术)涉及半导体装置和电子设备，并且具体地，涉及有效地应用于包括场效应晶体管的半导体装置和配备有该半导体装置的电子设备的技术。

技术介绍

[0002]固态成像装置被称为半导体装置。该固态成像装置配备有用于读取由光电转换装置光电转换的信号电荷的读出电路。该读出电路包括多个晶体管，诸如放大晶体管、选择晶体管和复位晶体管。这些晶体管形成在半导体层中由分离区划界的有源区域中。
[0003]近年来，已经提出通过减少伴随像素小型化的晶体管布置区域(区域的面积)来有效地布置晶体管的技术。例如，专利文献1公开了其中晶体管的栅电极被布置在形成为L形的有源区域的角部的布局配置。
[0004]引用列表
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利申请公开第2014
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022463号

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]顺便提及，如专利文献1的图3中所示，在栅电极布置在有源区域的角部的晶体管中，由于在栅电极正下方的沟道区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：半导体层，具有由分离区界定的有源区域；以及场效应晶体管，在所述场效应晶体管中，夹着沟道区域的一对主电极区域设置在所述有源区域中，并且栅电极设置在所述沟道区域上，所述有源区域具有在平面图中在一个方向上延伸的第一部分和在与所述一个方向相交的方向上从所述第一部分延伸的第二部分，所述沟道区域被设置成横跨所述第一部分和所述第二部分，所述一对主电极区域中的一个主电极区域设置在与所述沟道区域接触的所述第一部分中，另一个主电极区域设置在与所述沟道区域接触的所述第二部分中，所述一对主电极区域位于夹着所述沟道区域的彼此相对侧上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：第一沟道边界部分，在所述一个主电极区域与所述沟道区域之间；以及第二沟道边界部分，在所述另一个主电极区域与所述沟道区域之间，其中所述第一沟道边界部分和所述第二沟道边界部分中的每一者线性地延伸。3.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：第一沟道边界部分，在所述一个主电极区域与所述沟道区域之间；以及第二沟道边界部分，在所述另一个主电极区域与所述沟道区域之间，其中所述第一沟道边界部分线性地延伸并且与所述第一部分的延伸方向正交，并且所述第二沟道边界部分线性地延伸，并相对于所述第二部分的延伸方向倾斜。4.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：第一沟道边界部分，在所述一个主电极区域与所述沟道区域之间；以及第二沟道边界部分，在所述另一个主电极区域与所述沟道区域之间，其中，所述第一沟道边界部分和所述第二沟道边界部分彼此平行地线性延伸。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述一个主电极区域与所述沟道区域之间的第一边界部分以及所述另一个主电极区域与所述沟道区域之间的第二边界部分线性地延伸，并且相对于所述有源区域中的所述第一部分和所述第二部分的各自的延伸方向成45度倾斜。6.根据权利要求1所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：本庄亮子，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：