具有非对称电介质脊状物的叉片式晶体管制造技术

本文提供了用以形成具有电介质悬突结构的叉片式晶体管器件的技术。该电介质悬突结构包括电介质层，该电介质层至少部分地悬置于叉片式晶体管中的每一半导体器件的纳米带之上并且直接耦合至所述半导体器件之间的电介质脊状物或者是该电介质脊状物的组成部分。在形成位于所述不同半导体器件中的每者之上的不同功函数金属时，该悬突结构允许更高的对准容差，这又允许使用更窄的电介质脊状物。在该叉片式布置中，可以围绕该n沟道器件的纳米带形成包括第一功函数金属的第一栅极结构，并且可以围绕该p沟道器件的纳米带形成包括第二功函数金属的第二栅极结构。数金属的第二栅极结构。数金属的第二栅极结构。

【技术实现步骤摘要】
具有非对称电介质脊状物的叉片式晶体管


[0001]本公开涉及集成电路，并且更具体地涉及叉片式(forksheet)晶体管器件的制作。

技术介绍

[0002]随着集成电路在尺寸上不断地缩小，出现了很多挑战。例如，缩小存储器和逻辑单元的尺寸或者以其他方式增大器件密度正在变得越来越困难。由于晶体管器件间隔更紧密，以使芯片上的器件密度最大化，因而某些制作过程变得越来越具有挑战性。这些挑战中的很多挑战涉及当前光刻技术中的对准容差所带来的限制。
附图说明
[0003]图1A是根据本公开的实施例的具有带有电介质悬突结构的半导体器件的示例性集成电路的截面图。
[0004]图1B是根据本公开的实施例的图1A中的半导体器件的正交截面图。
[0005]图1C是根据本公开的实施例的具有电介质悬突结构的叉片式晶体管的另一截面图。
[0006]图2A
‑
2I是共同示出了根据本公开的实施例的用于形成具有电介质悬突结构的半导体器件的示例性工艺的截面图。
[0007]图3A和图3B是共同示出了根据本公开的实施例的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路，包括：具有在第一源极区和第一漏极区之间沿第一方向延伸的第一半导体材料的第一半导体器件；具有在第二源极区和第二漏极区之间沿所述第一方向延伸的第二半导体材料的第二半导体器件；位于所述第一半导体材料和所述第二半导体材料之间的电介质脊状物，使得所述电介质脊状物既接触所述第一半导体材料，又接触所述第二半导体材料；包括电介质材料的悬突结构，所述悬突结构至少部分地位于所述第一半导体材料和所述第二半导体材料两者之上，并且要么接触所述电介质脊状物，要么是所述电介质脊状物的组成部分；围绕所述第一半导体材料的第一栅极结构；以及围绕所述第二半导体材料的第二栅极结构。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一半导体材料是包括硅或锗或二者的第一鳍状物，并且所述第二半导体材料是包括硅或锗或两者的第二鳍状物，所述第一鳍状物具有平行于所述第二鳍状物的取向。3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一半导体材料包括第一组的一个或多个半导体纳米带，并且所述第二半导体材料包括第二组的一个或多个半导体纳米带。4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述第一组的一个或多个半导体纳米带和所述第二组的一个或多个半导体纳米带包括锗、硅或两者。5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一半导体材料包括n型掺杂剂并且所述第二半导体材料包括p型掺杂剂。6.根据权利要求1至5中任一项所述的集成电路，其中，所述电介质脊状物包括硅和氧，并且所述悬突结构是所述电介质脊状物的组成部分。7.根据权利要求1至5中任一项所述的集成电路，其中，所述电介质脊状物具有在所述第一半导体材料和所述第二半导体材料之间延伸的大约10nm到大约20nm的宽度。8.根据权利要求1至5中任一项所述的集成电路，其中，所述第一栅极结构包括第一功函数金属，并且所述第二栅极结构包括在元素上不同于所述第一功函数金属的第二功函数金属。9.根据权利要求8所述的集成电路，其中，所述第一功函数金属的部分和所述第二功函数金属的部分接触所述悬突结构。10.根据权利要求1至5中任一项所述的集成电路，其中，所述悬突结构具有处于大约5nm和大约20nm之间的垂直厚度以及至少是所述电介质脊状物的横向宽度的1.5倍大的横向宽度。11.根据权利要求1至5中任一项所述的集成电路，其中，所述电介质脊状物包括成分不同于所述悬突结构的电介质材料的电介质材料。12.一种存储器芯片或微处理器，包括根据权利要求1至5中任一项所述的集成电路。13.一种印刷电路板，包括根据权利要求1至5中任一项所述的集成电路。14.一种电子装置，包括：包括一个或多个管芯的芯片封装，所述一个或多个管芯中的至少一者包括：
具有在第一源极区和第一漏极区之间沿第一方向延伸的第一半导体材料的第一半导体器件；具有在第二源极区和第二漏极区之间沿所述第一方向延伸的第二半导体材料的第二半导体器件；位于所述第一半导体材料和所述第二半导体材料之间的电介质脊状物，使得所述电介质脊状物既接触所述第一半导体材料，又接触所述第二半导体材料；包括电介质材料的悬突结构，所述悬突结构至少部分地位...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：