温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本文提供了用以形成具有电介质悬突结构的叉片式晶体管器件的技术。该电介质悬突结构包括电介质层，该电介质层至少部分地悬置于叉片式晶体管中的每一半导体器件的纳米带之上并且直接耦合至所述半导体器件之间的电介质脊状物或者是该电介质脊状物的组成部分。在...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。