一种碳化硅MOS制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，具体公开了一种碳化硅MOS，包括N型漂移层，所述N型漂移层底部连接绝缘层，所述N型漂移层顶部设有源极和漏极，所述源极处设有P+基底和N+区，所述漏极处设有N+区，所述N型漂移层顶部还设有栅极；本实用新型专利技术采用水平结构，制成简化，N型漂移层只要用离子布置就可以达成，减少外延层的使用，N+区和N型漂移层可组成U型结构，只要增加源极至漏极的距离，就可以增加崩溃电压，源极至漏极的的导通电阻容易调整，通道接近碳化硅MOS表面。硅MOS表面。硅MOS表面。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅MOS


[0001]本技术涉及半导体
，具体是一种碳化硅MOS。

技术介绍

[0002]现有碳化硅MOS多为垂直结构，如图5所示，其导通特性不好，垂直结构中的N+drift必须通过长晶epitaxy（外延）出N+drift层，因为结构太深，离子布置打不到，且垂直结构不方便调整崩溃电压的大小，厚度需要适量的控制，制造困难。针对以上问题，提出一种水平结构的碳化硅MOS。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种碳化硅MOS，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0005]一种碳化硅MOS，包括N型漂移层，所述N型漂移层底部连接绝缘层，所述N型漂移层顶部设有源极和漏极，所述源极处设有P+基底和N+区，所述漏极处设有N+区，所述N型漂移层顶部还设有栅极。
[0006]在一种可选方案中：所述栅极和N型漂移层之间设有氧化层，所述氧化层和栅极设置在源极靠近漏极的一侧。
[0007]在一种可选方案中：所述N+区和N型漂移层可组成U型结构。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅MOS，包括N型漂移层（200），其特征在于：所述N型漂移层（200）底部连接绝缘层（100），所述N型漂移层（200）顶部设有源极和漏极，所述源极处设有P+基底（300）和N+区（400），所述漏极处设有N+区（400），所述N型漂移层（200）顶部还设有栅极（500）。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOS，其特征在于：所述栅极（500）和N型漂移层（200）之间设有氧化层（600），所述氧化层（600）和栅极（500）设置在源极靠近漏极的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海峰，
申请(专利权)人：上海亥芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：