【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅切割，具体是一种切割碳化硅的方法。
技术介绍
1、碳化硅芯片是晶圆切割完成的半成品，每片晶圆集成了数百颗芯片。碳化硅的莫氏硬度为9.5。在切割时，多使用钻石刀切割，然而切割时，刀片的损伤率较高，切割一定数量的晶圆就要更换一把新的刀片，影响切割加工的效率，且多次更换刀片，增加切割加工的成本；或是现有的采用高功率镭射，热激光分离技术，它是使用热诱导产生的机械力来切割坚硬的脆性半导体材料。激光加热和随后的水喷雾冷却将会在晶圆中引起一个机械应力场，用此来劈裂sic晶圆，然而镭射设施更加昂贵。针对以上问题，提出一种切割碳化硅的方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种切割碳化硅的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种切割碳化硅的方法，包括以下步骤：
4、步骤一、在晶圆底部设置加热器，加热器与切割道对应，对切割路径上进行前置端点加热；
5、步骤二、在切割道的两侧设置底座，提供高于室温的热度；
6、步骤三、在晶圆顶部设置高压水柱,高压水柱对切割道处进行碳化硅切割。
7、在一种可选方案中：所述底座的温度为200℃以上。
8、在一种可选方案中：所述加热器加热端温度为500℃。
9、在一种可选方案中：所述高压水柱的内孔0.14~0.16mm,所述高压水柱经过喷嘴的速度为1000~1500m/s，所述高压水柱的温度为5
10、在一种可选方案中：所述晶圆上设有若干个元件，所述切割道置于相邻的元件之间。
11、在一种可选方案中：所述切割道宽度为0.3mm。
12、在一种可选方案中：所述高压水柱的水柱每0.1mm注射一次。
13、在一种可选方案中：所述加热器的加热端头直径为0.1mm。
14、在一种可选方案中：所述高压水柱和加热器之间设有间隔段，所述间隔段长度为0.8mm。
15、在一种可选方案中：所述高压水柱的高速压力为580~620mpa。
16、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
17、本专利技术与传统的钻石刀切割和镭射切割不同，使用加热器与高压水柱配合，可以降低硬件购置的成本，且有效的进行碳化硅切割；
18、本专利技术中高压水柱与加热器配合，温度落差与高压水柱提供的应力，使晶圆上造成连续的0.2mm区域炸裂，形成切割。
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1.一种切割碳化硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种切割碳化硅的方法，其特征在于：所述底座（200）的温度为200℃以上。
3.根据权利要求1所述的一种切割碳化硅的方法，其特征在于：所述加热器（400）加热端温度为500℃。
4.根据权利要求1所述的一种切割碳化硅的方法，其特征在于：所述高压水柱（300）的内孔0.14~0.16mm,所述高压水柱（300）经过喷嘴的速度为1000~1500m/S，所述高压水柱（300）的温度为5~10℃。
5.根据权利要求1所述的一种切割碳化硅的方法，其特征在于：所述晶圆（100）上设有若干个元件（101），所述切割道（500）置于相邻的元件（101）之间。
6.根据权利要求1所述的一种切割碳化硅的方法，其特征在于：所述切割道（500）宽度为0.3mm。
7.根据权利要求1所述的一种切割碳化硅的方法，其特征在于：所述高压水柱（300）的水柱每0.1mm注射一次。
8.根据权利要求1所述的一种切割碳化硅的方法，其特征在于：所述加热器（4
9.根据权利要求1所述的一种切割碳化硅的方法，其特征在于：所述高压水柱（300）和加热器（400）之间设有间隔段，所述间隔段长度为0.8mm。
10.根据权利要求1所述的一种切割碳化硅的方法，其特征在于：所述高压水柱（300）的高速压力为580~620Mpa。
...【技术特征摘要】
1.一种切割碳化硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种切割碳化硅的方法，其特征在于：所述底座（200）的温度为200℃以上。
3.根据权利要求1所述的一种切割碳化硅的方法，其特征在于：所述加热器（400）加热端温度为500℃。
4.根据权利要求1所述的一种切割碳化硅的方法，其特征在于：所述高压水柱（300）的内孔0.14~0.16mm,所述高压水柱（300）经过喷嘴的速度为1000~1500m/s，所述高压水柱（300）的温度为5~10℃。
5.根据权利要求1所述的一种切割碳化硅的方法，其特征在于：所述晶圆（100）上设有若干个元件（101），所述切割道（500）置于相邻的元...
【专利技术属性】
技术研发人员：张海峰，
申请(专利权)人：上海亥芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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