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在本发明中，扩大了有效的沟道宽度。该半导体装置包括：半导体层，具有由分离区划分的有源区域；以及场效应晶体管，其中夹着沟道区域的一对主电极区域被设置在有源区域中，并且栅电极被设置在所述沟道区域上。有源区域具有在平面图中在一个方向上延伸的第一部...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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