真空吸附式加热器、晶圆吸附机构、晶圆处理设备及方法技术

本发明专利技术提供了一种真空吸附式加热器、晶圆吸附机构、晶圆处理设备及方法，涉及半导体的技术领域。本发明专利技术提供的真空吸附式加热器包括：具有支撑面的加热盘，加热盘设有贯穿支撑面的通气口，支撑面设有多个间隔分布的凸起；加热盘的底部具有能够安装加热件的仓体，仓体开设有供气体通过的气道，且气道与通气口连通。本发明专利技术提供的真空吸附式加热器缓解了现有技术中晶圆均匀加热效果较差的技术问题。技术中晶圆均匀加热效果较差的技术问题。技术中晶圆均匀加热效果较差的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
真空吸附式加热器、晶圆吸附机构、晶圆处理设备及方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及真空吸附式加热器、晶圆吸附机构、晶圆处理设备及方法。

技术介绍

[0002]在某些应用中，已经观察到传统的半导体生产工艺表现出沉积膜的厚度不均匀性，从而降低了质量和产量。这种厚度不均匀性被认为至少部分是由于上述工艺中涉及晶圆的不均匀热分布。晶圆的不均匀热分布至少部分地归因于真空吸盘加热器和晶圆之间的不均匀热传递。
[0003]因此，提供一种晶圆能够均匀受热的真空吸附式陶瓷加热器及晶圆处理设备成为本领域技术人员所要解决的重要技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种真空吸附式加热器、晶圆吸附机构、晶圆处理设备及方法，以缓解现有技术中晶圆均匀加热效果较差的技术问题。
[0005]第一方面，本专利技术提供的真空吸附式加热器，包括：具有支撑面的加热盘，所述加热盘设有贯穿所述支撑面的通气口，所述支撑面设有多个间隔分布的凸起；所述加热盘的底部具有能够安装加热件的仓体，所述仓体开设有供气体通过的气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空吸附式加热器，其特征在于，具有支撑面的加热盘（100），所述加热盘（100）设有贯穿所述支撑面的通气口，所述支撑面设有多个间隔分布的凸起（110）；所述加热盘（100）的底部具有能够安装加热件（200）的仓体（101），所述仓体（101）开设有供气体通过的气道（102），且所述气道（102）与所述通气口连通。2.根据权利要求1所述的真空吸附式加热器，其特征在于，多个所述凸起（110）均匀分布于所述支撑面。3.根据权利要求2所述的真空吸附式加热器，其特征在于，所述凸起（110）的直径在1.5
‑
2.5mm之间，高度小于等于0.1mm。4.根据权利要求3所述的真空吸附式加热器，其特征在于，所述凸起（110）的直径为2mm，高度为0.1mm；任意相邻的两个所述凸起（110）之间的间距为5mm。5.根据权利要求1所述的真空吸附式加热器，其特征在于，所述支撑面开设有与所述通气口连通的通气槽。6.根据权利要求5所述的真空吸附式加热器，其特征在于，所述通气槽包括通气直槽（120）和通气环槽（130）；多条所述通气直槽（120）以所述加热盘（100）的轴线为中心呈放射布置，多条所述通气环槽（130）的圆心均与所述加热盘（100）的轴线重合，并均与所述通气直槽（120）连通。7.根据权利要求6所述的真空吸附式加热器，其特征在于，所述通气直槽（120）和所述通气环槽（130）两者的槽宽在0.5
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1.0mm之间，槽深小于等于0.5mm。8.一种晶圆吸附机构，其特征在于，包括：能抽气和充气的调压组件（400）以及权利要求1
‑
7任一项所述的真空吸附式加热器；所述调压组件（400）通过管路与所述真空吸附式加热器中的气道（102）连通。9.根据权利要求8所述的晶圆吸附机构，其特征在于，所述调压组件（400）包括真空泵、通入惰性气体的充气泵、控制所述真空泵与所述气道（102）通断的开关阀（420）、控制所述充气泵与所述气道（102）通断的充气阀（430）和控制所述气道（102）与腔室通断的排气阀（470）；所述真空泵和所述充气泵并联接入所述气道（102），所述开关阀（420）设置在所述真空泵与所述气道（102）之间，所述充气阀（430）设置在所述充气泵与所述气道（102）之间，所述气道（102）通过连通...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋宇，刘镇颉，
申请(专利权)人：拓荆科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：