SiO薄膜表面粗糙度的改善方法和应用技术

本发明专利技术提供一种SiO薄膜表面粗糙度的改善方法和应用，具体涉及光电子器件制造技术领域。本发明专利技术提供的SiO薄膜表面粗糙度的改善方法，包括以下步骤：步骤A：在PECVD设备中先通入工艺气体N2O后再通入工艺气体SiH4；步骤B：工艺气体N2O和工艺气体SiH4在等离子体作用下沉积形成SiO薄膜。该方法直接将工艺气体SiH4/N2O引入反应腔，在等离子体作用下进行成膜，等离子体密度分布均匀，减少了N2在等离子体电离下对SiO薄膜表面的损伤，提高了SiO薄膜的表面均一性，降低了粗糙度，提高了SiO薄膜质量。提高了SiO薄膜质量。

【技术实现步骤摘要】
SiO薄膜表面粗糙度的改善方法和应用


[0001]本专利技术涉及光电子器件制造
，尤其是涉及一种SiO薄膜表面粗糙度的改善方法和应用。

技术介绍

[0002]为阻挡外界环境对芯片的侵害，稳定芯片的性能，现有技术常利用PECVD方法在芯片表面低温沉积一层薄膜。
[0003]等离子体化学汽相淀积(简称PECVD)技术，由于淀积温度低(＜400℃)，台阶覆盖性能好；生成的SiO2薄膜结构致密；针孔少；具有良好的抗纳、抗潮湿、抗腐蚀性等优点。故广泛地应用于半导体器件的表面钝化。
[0004]现有的SiO薄膜沉积工艺，采用PECVD平行板电极设备,通常以N2作为载气，将反应气源SiH4/N2O，运输到反应腔，在等离子体作用下，反应形成SiO薄膜，现有沉积方式，由于N2的存在，会影响等离子体密度分布均匀性，同时N2在等离子体电离下，可能导致薄膜表面异常损伤，进而影响SiO表面成膜机理，会导致SiO薄膜表面粗糙度较大，特别是在薄膜边缘粗糙度异常大，影响沉积薄膜表面的质量。
[0005]有鉴于此，特提出本专利技术。
专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiO薄膜表面粗糙度的改善方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：在PECVD设备中先通入工艺气体N2O后再通入工艺气体SiH4；步骤B：工艺气体N2O和工艺气体SiH4在等离子体作用下沉积形成SiO薄膜。2.根据权利要求1所述的SiO薄膜表面粗糙度的改善方法，其特征在于，还包括在沉积后通入N2净化的过程。3.根据权利要求1所述的SiO薄膜表面粗糙度的改善方法，其特征在于，所述工艺气体SiH4的流量为300
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560sccm。4.根据权利要求1所述的SiO薄膜表面粗糙度的改善方法，其特征在于，所述工艺气体N2O的流量为500
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10000sccm。5.根据权利要求1所述的SiO薄膜表面粗糙度的改善方法，其特征在于，所述沉积的压力为1....

【专利技术属性】
技术研发人员：常亮，王卓，宁建平，杨艳，赵宇，王伟臣，石怀磊，殷奇，
申请(专利权)人：拓荆科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：