【技术实现步骤摘要】
改善薄膜颗粒度装置及其气体输送方法
[0001]本专利技术涉及半导体沉积设备
，尤其是涉及一种改善薄膜颗粒度装置及其气体输送方法。
技术介绍
[0002]半导体设备进行沉积反应时，需要较高的温度和压力尤其是HARP（high
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area ratio process，高面积比工艺）工艺，在沉积和清洁过程中腔体的内表面上会形成污染物残留层，污染物残留层来自反应气体和已经附着到处理室内表面的其他副产物的副产物，随着累积一部分会剥落并沉积在薄膜上，影响基板上沉积的薄膜性能，尤其是颗粒度。
[0003]现有技术中，针对沉积系统会在反应腔室内安置有辅助屏蔽，其由渗气结构形成，从而利用渗气结构使得反应腔室内的气体浓度均匀，使得薄膜沉积更均匀。
[0004]但是，针对现有技术中的沉积系统，仍然存在在反应腔室的内表面附着的污染物残留层，副产物的累积仍然会影响薄膜的性能，尤其是颗粒度。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种改善薄膜颗粒度装置及其气体输送方法，以缓解现有技术...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种改善薄膜颗粒度装置，其特征在于，包括：反应主体（100）、和气体喷头（200）；所述反应主体（100）内设置有反应腔室（101），所述气体喷头（200）位于所述反应腔室（101）内，且所述气体喷头（200）与所述反应主体（100）的侧壁连接；所述气体喷头（200）上设置有第一进气通道和第二进气通道，所述第一进气通道与所述反应腔室（101）正对布置，所述气体喷头（200）用于通过所述第一进气通道向所述反应腔室（101）内输送第一气体，以使第一气体在所述反应腔室（101）内反应；所述第二进气通道沿着所述反应腔室（101）的边缘周向环形布置，所述气体喷头（200）用于通过所述第二进气通道沿着所述反应腔室（101）的侧壁输送第二气体，以使所述反应腔室（101）的侧壁形成第二气体保护层。2.根据权利要求1所述的改善薄膜颗粒度装置，其特征在于，还包括晶圆承载主体（300）；所述晶圆承载主体（300）位于所述反应腔室（101）内，所述第一进气通道与所述晶圆承载主体（300）正对布置，所述晶圆承载主体（300）用于与第一气体反应。3.根据权利要求1所述的改善薄膜颗粒度装置，其特征在于，所述反应主体（100）对应所述气体喷头（200）的位置开设有第一气体进气口（103）和第二气体进气口（104），所述第一气体进气口（103）与所述第一进气通道连通，所述第二气体进气口（104）与所述第二进气通道连通。4.根据权利要求3所述的改善薄膜颗粒度装置，其特征在于，所述气体喷头（200）包括喷头上板（201）和喷头下板（202）；所述喷头上板（201）呈环形设置，所述喷头上板（201）沿着所述喷头下板（202）的周向布置，所述喷头上板（201）分别与所述喷头下板（202）和所述反应主体（100）连接；所述喷头上板（201）和所述喷头下板（202）之间设置有第二气体环形通道（203），所述第二气体环形通道（203）沿着所述喷头上板（201）的周向环形设置，所述喷头上板（201）上设置有第二气体接收口（211），所述喷头上板（201）通过所述第二气体接收口（211）与所述第二气体进气口（104）连通，所述喷头下板（202）沿着所述第二气体环形通道（203）贯穿设置有第二气体出气口（222），所述喷头下板（202）通过所述第二气体出气口（222）沿着所述反应腔室（101）的内壁环形输出第二气体；所述喷头下板（202）对应所述反应主体（100）的位置设置有第一气体出气口（212），所述第一气体出气口（212）与所述第一气体进气口（103）连通。5.根据权利要求4所述的改善薄膜颗粒度装置，其特征在于，所述第一气体出气口（212）设置有多个，多个所述第一气体出气口（212）沿着所述喷头下板（202）的表面均匀布置；所述第一气体进气口（103）位于所述喷头下板（202）的中心位置，以使经所述第一气体进气口（103）输送的第一气体均匀输送至每个所述第一气体出气口（212）处。6.根据权利要求4所述的改善薄膜颗粒度装置，其特征在于，所述反应腔室（101）与所述喷头下板（202）的第二气体出气口（222）对应位置设置有倾斜平面，所述第二气体出气口（222）朝向所述倾斜平面，所述第二气体出气口（222）输出的第二气体通过所述倾斜平面缓冲后沿着所述反应腔室（101）的内壁表面输送。7.根据权利要求1
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6任一项所述的改善薄膜颗...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘镇颉，柳雪，
申请(专利权)人：拓荆科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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