【技术实现步骤摘要】
大尺寸可旋转及前后移动的托盘
[0001]本技术涉及半导体材料与设备
,特别涉及氢化物气相外延(HVPE)技术生长氮化物半导体材料时,用于HVPE的大尺寸可旋转及前后移动的托盘。
技术介绍
[0002]HVPE生长氮化物的主要原理是:以金属镓作为III族镓源,氨气(NH3)作为V族氮 源,氯化氢(HCl)作为反应气体并在载气(氢气或是氮气)的携带下,通过镓舟,与其中的金属镓发生化学反应,生成氯化镓(GaCl),在通过载气(氢气或是氮气)的携带下在衬底上方与NH3反应生成GaN,并在衬底上沉积,主要的化学反应如下:
[0003][0004]氢化物气相外延设备为化合物生长工艺设备,主要用于在高温环境下通过如H2、HCl等氢化物气体,使衬底表面外延生长一层如GaAs、GaN等的厚膜或晶体。
[0005]其中托盘用于承载衬底,现有的托盘在反应腔内无法转动,也无法来回移动,因此无法根据环境调节托盘位置,衬底生长晶体的均匀性和全面性无法保证。
技术实现思路
[0006]本技术要解决的技术问题是现有的HVPE设备中托盘的位置无法进行灵活调整,为此提供一种大尺寸可旋转及前后移动的托盘。
[0007]本技术的技术方案是:大尺寸可旋转及前后移动的托盘,包括:托盘容纳腔,所述托盘容纳腔的底部安装有滚轮;托盘,所述托盘通过轴承转动连接在托盘容纳腔内,所述托盘的底部边缘设有托盘锥齿轮;托盘盖板,所述托盘盖板安装在托盘上;电机平台,所述电机平台位于托盘容纳腔之外;旋转电机,所述旋转电机安放在电机平台上; ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.大尺寸可旋转及前后移动的托盘,其特征是:包括:托盘容纳腔(1),所述托盘容纳腔的底部安装有滚轮(8);托盘(2),所述托盘通过轴承(3)转动连接在托盘容纳腔内,所述托盘的底部边缘设有托盘锥齿轮;托盘盖板(4),所述托盘盖板安装在托盘上;电机平台(5),所述电机平台位于托盘容纳腔之外;旋转电机(6),所述旋转电机安放在电机平台上;转动杆(7),所述转动杆一端与旋转电机传动连接,所述转动杆...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑小超,姚军勇,孟庆宇,
申请(专利权)人:镓特半导体科技铜陵有限公司,
类型:新型
国别省市:
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