本实用新型专利技术公开了一种HVPE晶圆片生长装置,包括反应腔体、操作仓和连接器，所述连接器上活动配合有将反应腔体和操作仓阻断或连通的闸阀，所述操作仓的两端分别设有上密封装置和下密封装置，所述上密封装置上接入有上循环冷却水管，所述下密封装置上接入有下循环冷却水管。本实用新型专利技术的有益效果是通过上循环冷却水管和下循环冷却水管分别对上密封装置和下密封装置提供冷却循环水，保证操作仓的两端连接处的密封性。接处的密封性。接处的密封性。
【技术实现步骤摘要】
一种HVPE晶圆片生长装置
[0001]本技术涉及半导体材料与设备
，特别涉及氢化物气相外延(HVPE)技术生长氮化物半导体材料时，HVPE晶圆片生长装置。
技术介绍
[0002]氢化物气相外延设备为化合物生长工艺设备，主要用于在高温环境下通过如H2、HCl等氢化物气体，使衬底表面外延生长一层如GaAs、GaN等的厚膜或晶体。
[0003]中国技术申请号CN2020224610185公开了HVPE腔体内部测温装置，包括：HVPE腔体（6）和测温探头（4）；它还包括：门阀（7），所述门阀安装于HVPE腔体底部；操作仓（5），所述操作仓固定连通于门阀底部；升降装置，所述升降装置安装于操作仓底部用于将测温探头依次穿过操作仓和门阀送入HVPE腔体内；测温探头固定装置（3），所述测温探头固定装置固定在升降杆的顶部；测温探头（4），所述测温探头固定在测温探头固定装置上。可以精确读取HVPE腔体内部的实际温度，精确度和可靠性较高。但该操作仓由于是和HVPE腔体连通的，HVPE腔体内产生的高温环境会随着门阀的开启进入操作仓内，进而破坏操作仓的密封性。
技术实现思路
[0004]本技术要解决的技术问题是现有的HVPE晶圆片生长装置中的操作仓容易被高温破坏密封性，为此提供一种可以保证操作仓密封性的HVPE晶圆片生长装置。
[0005]本技术的技术方案是：一种HVPE晶圆片生长装置,包括反应腔体、操作仓和连接器，所述连接器上活动配合有将反应腔体和操作仓阻断或连通的闸阀，所述操作仓的两端分别设有上密封装置和下密封装置，所述上密封装置上接入有上循环冷却水管，所述下密封装置上接入有下循环冷却水管。
[0006]上述方案的改进是所述操作仓上设有气压监视器。
[0007]上述方案的进一步改进是所述操作仓上设有观察窗口。
[0008]上述方案的更进一步改进是所述操作仓下部设有操作平台。
[0009]上述方案中所述反应腔体和连接器之间通过法兰连接。
[0010]上述方案的又一改进是所述操作仓下部连通有排气管。
[0011]上述方案的再一改进是所述反应腔体上连通有尾气排放口。
[0012]本技术的有益效果是通过上循环冷却水管和下循环冷却水管分别对上密封装置和下密封装置提供冷却循环水，保证操作仓的两端连接处的密封性；通过气压监视器可以清晰观察到内部环境的压力值；观察窗口可以清楚观察晶圆内部的生长情况，以便于工艺技术及时调整温度、气量参数，通过观察及时有效做出工艺调整，使得晶圆生长质量得到有效保障，同时更加方便晶圆片生长完成后的取出。
附图说明
[0013]图1是本技术示意图；
[0014]图中，1、反应腔体，2、操作仓，3、连接器，4、闸阀， 5、上循环冷却水管，6、下循环冷却水管，7、气压监视器，8、观察窗口，9、操作平台，10、排气管，11、尾气排放口。
具体实施方式
[0015]下面结合附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所有其他实施例，都属于本技术的保护范围。
[0016]如图1所示，本技术包括：反应腔体1、操作仓2和连接器3，所述连接器上活动配合有将反应腔体和操作仓阻断或连通的闸阀4，所述操作仓的两端分别设有上密封装置和下密封装置，所述上密封装置上接入有上循环冷却水管5，所述下密封装置上接入有下循环冷却水管6。
[0017]闸阀可以是气动闸阀，当闸板移动至反应腔体和操作仓之间时起阻断作用，当闸板移动至远离反应腔体和操作仓时，反应腔体和操作仓连通。以此来截止和导通内部气体流向。上密封装置和下密封装置可以是密封圈。
[0018]作为本技术的优选例，所述操作仓上设有观察窗口8，观察窗口可以铰接有窗门，当需要观察晶圆生长情况时，可以通过
技术介绍
部分引用的专利中的升降装置降至观察窗口的视界范围内。提高了工艺技术对晶圆生长环境的实时做出调整及控制，改善晶圆片生产质量，同时便于生产操作人员对晶圆产品上下取片存放，有效地降低生产成本。升降装置包括：升降平台，所述升降平台安装于操作仓顶部；升降杆，所述升降杆滑动连接在升降平台的顶部且可向上穿过操作仓、闸阀伸入反应腔体内。
[0019]作为本技术的优选例，所述操作仓上设有气压监视器7，位于观察室的侧后方，可以清晰看到内部环境的压力值。
[0020]作为本技术的优选例，所述操作仓下部设有操作平台9，可以用于放置取出的晶圆，提高空间利用率。相比了之前放在机台边的小桌子上，确实方便了不少。
[0021]作为本技术的优选例，所述反应腔体和连接器之间通过法兰连接。
[0022]作为本技术的优选例，所述操作仓下部连通有排气管10，用于在操作上下取片时，关闭闸阀，气体将从此排气管排出。
[0023]作为本技术的优选例，所述反应腔体上连通有尾气排放口11。用于氢化物反应区内尾气排出。
[0024]本技术的上述实施例可以任意结合，只要得到的方案不冲突都属于本技术的保护范围内。
[0025]本技术的使用方法如下：反应腔体内进行晶圆生长，闸阀将反应腔体和操作仓隔断，当需要观察晶圆生长情况时，打开闸阀，通过升降装置将晶圆降至观察窗口的视界内，排气管将高温气体排出，上下循环冷却水管一直流通有冷却水，对上下密封装置进行冷却，当需要取片时，打开窗门将晶圆取出，放在操作平台上即可。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种HVPE晶圆片生长装置,包括反应腔体（1）、操作仓（2）和连接器（3），所述连接器上活动配合有将反应腔体和操作仓阻断或连通的闸阀（4），其特征是：所述操作仓的两端分别设有上密封装置和下密封装置，所述上密封装置上接入有上循环冷却水管（5），所述下密封装置上接入有下循环冷却水管（6）。2.如权利要求1所述的一种HVPE晶圆片生长装置, 其特征是：所述操作仓上设有气压监视器（7）。3.如权利要求1所述的一种HVPE晶圆片生长装置, 其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚惟梁，
申请(专利权)人：镓特半导体科技铜陵有限公司，
类型：新型
国别省市：
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