一种用于大尺寸氮化镓晶圆片生长结构制造技术

本技术公开了一种用于大尺寸氮化镓晶圆片生长结构，包括：两个垂直导轨；第一横梁，所述第一横梁固接在两个垂直导轨之间且位于两个垂直导轨的下方；第二横梁，所述第二横梁固接在两个垂直导轨之间且位于第一横梁的上方；传动丝杆，所述传动丝杆固接在第一横梁和第二横梁之间；升降平台；法兰固定座，所述法兰固定座安装于升降平台上用于与HVPE腔体配合；旋转杆，所述旋转杆的一端与升降平台转动连接；转盘，所述转盘与旋转杆的另一端固接。本技术的有益效果是提高氮化镓晶圆片生长外径，满足大尺寸晶圆片生长，与此同时相关配套装置进行设计，以满足大尺寸生长系统需要。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及氮化镓晶圆制备领域，尤其涉及一种用于大尺寸氮化镓晶圆片生长结构。

技术介绍

1、gan、sic、金刚石和zno等宽禁带半导体材料称为第三代半导体，它们具有击穿电压更大、介电常数更小、饱和电子漂移速率更高、导热性能更好、能隙更宽（eg≥2.3ev）等优异性能。其中gan因化学性质更稳定、耐高温、耐腐蚀性的特点，非常适合制作高频、大功率和高密度集成的电子器件。

2、氢化物气相外延设备为化合物生长工艺设备，主要用于在高温环境下通过如h2、hcl等氢化物气体，使衬底表面外延生长一层如gaas、gan等的厚膜或晶体。由于目前使用的小尺寸——五寸及以下的生长系统，所以无法继续提升氮化镓晶圆片生长尺寸面积，故而现在专利技术一种大尺寸的生长系统结构，它能达到六寸及以上的生长系统结构。

技术实现思路

1、本技术要解决的技术问题是现有的晶圆生长结构不适用于大尺寸晶圆生长，为此提供一种用于大尺寸氮化镓晶圆片生长结构。

2、本技术的技术方案是：一种用于大尺寸氮化镓晶圆片生长结构，包括：两个垂直导轨；本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于大尺寸氮化镓晶圆片生长结构，其特征是：包括：两个垂直导轨（1）；第一横梁（12），所述第一横梁固接在两个垂直导轨之间且位于两个垂直导轨的下方；第二横梁（13），所述第二横梁固接在两个垂直导轨之间且位于第一横梁的上方；传动丝杆（3），所述传动丝杆固接在第一横梁和第二横梁之间；升降平台（2），所述升降平台中部设有与传动丝杆螺纹配合的配合件，所述升降平台的两侧与两个垂直导轨滑动配合；法兰固定座（9），所述法兰固定座安装于升降平台上用于与HVPE腔体配合；旋转杆（8），所述旋转杆的一端与升降平台转动连接；转盘（4），所述转盘与旋转杆的另一端固接。

2.如权利要求1所述的一...

【技术特征摘要】

1.一种用于大尺寸氮化镓晶圆片生长结构，其特征是：包括：两个垂直导轨（1）；第一横梁（12），所述第一横梁固接在两个垂直导轨之间且位于两个垂直导轨的下方；第二横梁（13），所述第二横梁固接在两个垂直导轨之间且位于第一横梁的上方；传动丝杆（3），所述传动丝杆固接在第一横梁和第二横梁之间；升降平台（2），所述升降平台中部设有与传动丝杆螺纹配合的配合件，所述升降平台的两侧与两个垂直导轨滑动配合；法兰固定座（9），所述法兰固定座安装于升降平台上用于与hvpe腔体配合；旋转杆（8），所述旋转杆的一端与升降平台转动连接；转盘（4），所述转盘与旋转杆的另一端固接。

2.如权利要求1所述的一种用于大尺寸氮化镓晶圆片生长结构，其特征是：所述转盘与...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚惟梁，王亮，
申请(专利权)人：镓特半导体科技铜陵有限公司，
类型：新型
国别省市：