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本技术公开了一种用于大尺寸氮化镓晶圆片生长结构，包括：两个垂直导轨；第一横梁，所述第一横梁固接在两个垂直导轨之间且位于两个垂直导轨的下方；第二横梁，所述第二横梁固接在两个垂直导轨之间且位于第一横梁的上方；传动丝杆，所述传动丝杆固接在第一横梁...
该专利属于镓特半导体科技（铜陵）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过镓特半导体科技（铜陵）有限公司授权不得商用。

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