一种发光装置，包含一载板、一发光元件以及一连结结构。载板包含一第一导电区。发光元件包含可发出第一光线的一第一发光层以及形成在该第一发光层的下的一第一接触电极，其中该第一接触电极对应该第一导电区。连结结构包含第一电连结部以及围绕该第一接触电极及该第一电连接部的一保护部，且第一电连结部与该第一导电区及该第一接触电极电性连接。该第一电连结部包含一上部，一底部以及位于该上部及该底部之间的一颈部，其中，该上部的边缘突出于该颈部，且该底部的边缘突出于该上部。且该底部的边缘突出于该上部。且该底部的边缘突出于该上部。
【技术实现步骤摘要】
发光装置、其制造方法及显示模组
[0001]本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201880084819.7，申请日：2018年06月08日，专利技术名称：发光装置、其制造方法及显示模组)的分案申请。
[0002]本专利技术涉及一种发光装置及其制造方法，尤其是涉及一种包含特定结构的连结结构的发光装置及其制造方法。
技术介绍
[0003]发光二极管(Light
‑
Emitting Diode；LED)具有低耗电量、低发热量、操作寿命长、耐撞击、体积小以及反应速度快等特性，因此广泛应用于各种需要使用发光元件的领域，例如，车辆、家电、显示屏及照明灯具等。
[0004]发光二极管属于一种单色光(monochromatic light)，因此很适合作为显示器中的像素(pixel)。例如可作为户外或户内显示屏的像素。其中，提高显示器的解析度是目前技术发展趋势之一。为了提高解析度，势必要将更多作为像素的LED转移到目标基板上。如此将衍伸出许多的技术问题，例如：LED与基板的电性连结的良率提升是一大挑战。
技术实现思路
[0005]一种发光装置，包含一载板、一发光元件以及一连结结构。载板包含一第一导电区。发光元件包含可发出第一光线的一第一发光层以及形成在该第一发光层之下的一第一接触电极，其中该第一接触电极对应该第一导电区。连结结构包含第一电连结部以及围绕该第一接触电极及该第一电连接部的一保护部，且第一电连结部与该第一导电区及该第一接触电极电性连接。该第一电连结部包含一上部，一底部以及位于该上部及该底部之间的一颈部，其中，该上部的边缘突出于该颈部，且该底部的边缘突出于该上部。
附图说明
[0006]图1A为显示根据本专利技术一实施例所披露的一发光元件的剖面图。
[0007]图1B为显示根据本专利技术另一实施例所披露的一发光元件的剖面图。
[0008]图1C为显示根据本专利技术另一实施例所披露的一发光元件的剖面图。
[0009]图2A为显示根据本专利技术一实施例所披露的一发光单元的剖面图。
[0010]图2B为显示根据本专利技术另一实施例所披露的一发光单元的剖面图。
[0011]图2C为显示根据本专利技术另一实施例所披露的一发光单元的剖面图。
[0012]图3A至图3E为显示依据本专利技术一实施例的发光装置的制造流程图。
[0013]图3A至图3D以及图3F至图3J为显示依据本专利技术另一实施例的发光装置的制造流程图。
[0014]图4A至图4E为显示依据本专利技术另一实施例的发光装置的制造流程图。
[0015]图5A至图5D为显示依据本专利技术一实施例的发光装置的局部结构图。
[0016]图6为显示根据本专利技术一实施例所披露的一发光模组的俯视图。
[0017]图7A至图7D为显示根据本专利技术一实施例所披露的一修补发光模组的制造流程图。
[0018]图7A，图7E至图7G为显示根据本专利技术另一实施例所披露的一修补发光模组的制造流程图。
[0019]图8A至图8G为显示根据本专利技术一实施例所披露的多个发光元件转移至目标基板的制造流程图。
[0020]图9A至图9B为显示根据本专利技术另一实施例所披露的多个发光元件转移至目标基板的制造流程图。
[0021]图10A至图10B为显示根据本专利技术另一实施例所披露的多个发光元件转移至目标基板的制造流程图。
[0022]图11A至图11B为显示根据本专利技术另一实施例所披露的多个发光元件转移至目标基板的制造流程图。
[0023]图12为显示根据本专利技术另一实施例所披露的转移装置的压印头。
[0024]图13A及图13B为显示根据本专利技术一实施例所披露的发光装置中连结结构于固化前后的示意图。
[0025]图14A及图14B为显示根据本专利技术另一实施例所披露的发光装置中连结结构于固化前后的示意图。
[0026]图15A至图15D为显示根据本专利技术另一实施例所披露的多个发光元件转移至目标基板的制造流程图。
[0027]图15A、图15B、图15E至图15D为显示根据本专利技术另一实施例所披露的多个发光元件转移至目标基板的制造流程图。
[0028]图15A、图15B、图15F至图15D为显示根据本专利技术另一实施例所披露的多个发光元件转移至目标基板的制造流程图。
[0029]图16A至图16C为显示根据本专利技术另一实施例所披露的多个发光元件转移至目标基板的制造流程图。
[0030]图16D、图16E至图16C为显示根据本专利技术另一实施例所披露的多个发光元件转移至目标基板的制造流程图。
[0031]图17A为显示根据本专利技术一实施例所披露的一发光元件的底视图。
[0032]图17B为显示根据本专利技术一实施例所披露的覆盖连结结构的一发光元件的底视图。
[0033]图17C为显示根据本专利技术一实施例所披露的覆盖连结结构的一目标基板的底视图。
[0034]图18A至图18D为显示根据本专利技术另一实施例所披露的多个发光元件转移至目标基板的制造流程图。
[0035]图18A、图18B、图18E至图18F为显示根据本专利技术另一实施例所披露的多个发光元件转移至目标基板的制造流程图。
[0036]图18A、图18G至图18I为显示根据本专利技术另一实施例所披露的多个发光元件转移至目标基板的制造流程图。
[0037]图19A及图19B为显示根据图18A至图18D所披露的发光装置中连结结构于固化前
后的示意图。
[0038]图19C为显示根据图18D例所披露的一发光装置的俯视图。
[0039]图19D为显示根据图18F例所披露的一发光装置的俯视图。
[0040]附图标记说明：
[0041]100a
‑
1、100a
‑
2、300A、300B、400A、400B：发光装置
[0042]100A、100A
‑
1、100A
‑
2、100B、100B
‑
1、100B
‑
2、100C、100C
‑
1、100C
‑
2、614a、614b、615a、615b、616a、616b、860：发光元件
[0043]120、120A、120B、120C：发光单元
[0044]1211A、1211B、1212A、1212B、852：导电垫
[0045]122：发光叠层
[0046]1221：第一半导体
[0047]1222：发光层
[0048]1223：第二半导体
[0049]123A、322、722：绝缘层
[0050]124、1241、1241A、1241B、1241C、1241C
‑
1、1241C
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2、1242、1242A、1242B、1242C、1242C
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1、本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包含：基板，包含导电区；第一发光元件，包含下表面、以及第一接触电极与第二接触电极位于该下表面；以及连结结构，包含第一电连结部、第二电连结部、以及保护部，其中，该第一电连结部连接该第一接触电极与该导电区，该第二电连结部连接该第二接触电极与该导电区，该保护部围绕该第一接触电极、该第二接触电极、该第一电连接部、以及该第二电连结部；该保护部与该下表面间具有接触面，该接触面的最大宽度小于该第一发光元件的最大宽度。2.如权利要求1所述的发光装置，其中，该第一发光元件包含最外侧表面，该保护部未覆盖到该最外侧表面。3.如权利要求1所述的发光装置，其中，于俯视图，该连结结构与该第一发光元件的接触面积小于该发光元件的面积。4.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢明勋，陈効义，邓绍猷，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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