一种圆形超匀光LED芯片及其切割和封装方法技术

本发明专利技术公开了一种圆形超匀光LED芯片及其切割和封装方法，包括：超匀光瓣状组合芯片层，将垂直结构LED芯片按照预设置圆形圆周进行圆周切割，并进一步按照预设计圆心角进行径向切割、组合及微距调节；同心圆陶瓷基板衬底层，与超匀光瓣状组合芯片层同心，形成与多色组合圆形混合LED芯片圆心相同的同心圆陶瓷基板衬底层；导热银胶及过流金线层，进行LED芯片线路的跳线粘结导热、氧化物半导体膜粘结及电极引出防护；进行LED芯片的电极引出、导电连接；圆弧形封装混合增亮层，进行多种颜色发光芯片的多种颜色光线超均匀混合；最终构成封装圆形超匀光LED芯片，将多种颜色光线形成多折射微反射超匀光增亮彩光。超匀光增亮彩光。超匀光增亮彩光。

【技术实现步骤摘要】
一种圆形超匀光LED芯片及其切割和封装方法


[0001]本专利技术涉及精密光控LED芯片领域，更具体地说，本专利技术涉及一种圆形超匀光LED芯片及控制方法。

技术介绍

[0002]目前，传统彩光结构LED通过方形芯片组进行彩光组合，不利于圆形透镜收光，且通过一定光学成像后光斑是方形，彩光发光均匀性较差，混合及光源自亮度较低，在很多应用场景中较难适应；特别是高端及精密彩色光源的特殊应用要求更难适应；因此，有必要提出一种圆形超匀光LED芯片及控制方法，以至少部分地解决现有技术中存在的问题。

技术实现思路

[0003]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明；本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0004]为至少部分地解决上述问题，本专利技术提供了一种圆形超匀光LED芯片，包括：
[0005]超匀光瓣状组合芯片层，将垂直结构LED芯片按照预设置圆形圆周进行圆周切割，并进一步按照预设计圆心角进行径向切割、组合及微距调节，获得多色组合圆形混合LED芯片；
[0006]同心圆陶瓷基板衬底层，与超匀光瓣状组合芯片层同心，将铜金属层与氮化铝陶瓷基板层黏合，形成与多色组合圆形混合LED芯片圆心相同的同心圆陶瓷基板衬底层；
[0007]导热银胶及过流金线层，通过导热银胶进行LED芯片线路的跳线粘结导热、氧化物半导体膜粘结及电极引出防护；通过过流金线组进行LED芯片的电极引出、导电连接；
[0008]圆弧形封装混合增亮层，通过超白玻璃基础材料构成圆弧形封装结构以及镶嵌在超白玻璃基片层内的一层散射玻璃微粒，进行多种颜色发光芯片的多种颜色光线超均匀混合；最终构成封装圆形超匀光LED芯片，将多种颜色光线形成多折射微反射超匀光增亮彩光。
[0009]优选的，所述超匀光瓣状组合芯片层包括：
[0010]单色瓣状LED芯片，将垂直结构LED芯片的上下电极接触点按照预设置圆形圆周内均匀分布在LED导电层上；按照预设置圆形圆周进行圆周切割，形成单色圆形垂直结构LED芯片；将单色圆形垂直结构LED芯片进一步按照预设计圆心角进行径向切割；形成单色瓣状垂直结构LED芯片；
[0011]单色组合LED芯片，将发射不同颜色光线的单色斑状垂直结构LED芯片进行组合，形成多色组合圆形垂直结构LED芯片；
[0012]LED芯片调节组合，对多色组合圆形垂直结构LED芯片的单色斑状垂直结构LED芯片间微距进行微距调节，直至适应芯片组装结构间隙及封装结构间隙，以及多种颜色的光线混合，获得多色组合圆形混合LED芯片。
[0013]优选的，所述同心圆陶瓷基板衬底层包括：
[0014]氮化铝陶瓷基板层，经过流延制成氮化铝陶瓷基板单层坯片；将氮化铝陶瓷基板单层坯片进行层压成多层陶瓷生坯片；层压后即形成多层圆形氮化铝陶瓷底片组成的氮化铝陶瓷基板层；
[0015]界面间共晶熔体层，用于将铜金属层与氮化铝陶瓷基板层黏合，获得界面间共晶熔体层；
[0016]蚀刻铜金属叠加层，依据线路设计，通过蚀刻形成氮化铝基底铜金属层蚀刻线路；将多层氮化铝基底铜金属层蚀刻线路叠加，形成与多色组合圆形混合LED芯片圆心相同的同心圆陶瓷基板衬底层。
[0017]优选的，所述导热银胶及过流金线层包括：
[0018]导热银胶粘接层，用于LED芯片线路的跳线粘结导热、氧化物半导体膜粘结及电极引出防护；
[0019]过流金线组，用于LED芯片的电极引出、导电连接；
[0020]过流金线包括：金元素：99.995％
‑
99.998％，银元素0.0005％
‑
0.0008％，铜元素0.0003％
‑
0.0005％，硅元素0.0005％
‑
0.001％，钙元素0.0003％
‑
0.0005％，镁元素0.0002％
‑
0.0005％，极微量低于难以避免的其他杂质成份；通过键合拉丝制备过流金线。
[0021]优选的，所述圆弧形封装混合增亮层包括：
[0022]超白玻璃基片层，用于通过超白玻璃基础材料构成圆弧形玻璃封装防护层的圆弧形封装结构；
[0023]光路散射微粒层，用于通过镶嵌在超白玻璃基片层内的一层散射玻璃微粒，进行多种颜色发光芯片的多种颜色光线超均匀混合；
[0024]荧光表面涂覆层，用于将荧光玻璃粉涂覆在圆弧形封装结构的外表面；最终构成封装圆形超匀光LED芯片，将多种颜色光线形成多折射微反射超匀光增亮彩光。
[0025]一种圆形超匀光LED芯片的切割和封装方法，包括：
[0026]S100，将垂直结构LED芯片按照预设置圆形圆周进行圆周切割，并进一步按照预设计圆心角进行径向切割、组合及微距调节，获得多色组合圆形混合LED芯片；
[0027]S200，与超匀光瓣状组合芯片层同心，将铜金属层与氮化铝陶瓷基板层黏合，形成与多色组合圆形混合LED芯片圆心相同的同心圆陶瓷基板衬底层；
[0028]S300，通过导热银胶进行LED芯片线路的跳线粘结导热、氧化物半导体膜粘结及电极引出防护；通过过流金线组进行LED芯片的电极引出、导电连接；
[0029]S400，通过超白玻璃基础材料构成圆弧形封装结构以及镶嵌在超白玻璃基片层内的一层散射玻璃微粒，进行多种颜色发光芯片的多种颜色光线超均匀混合；结合荧光玻璃粉涂覆，最终形成多种颜色光线多折射微反射超匀光增亮彩光。
[0030]优选的，所述S100包括：
[0031]S101，将垂直结构LED芯片的上下电极接触点按照预设置圆形圆周内均匀分布在LED导电层上；按照预设置圆形圆周进行圆周切割，形成单色圆形垂直结构LED芯片；将单色圆形垂直结构LED芯片进一步按照预设计圆心角进行径向切割；形成单色瓣状垂直结构LED芯片；
[0032]S102，将发射不同颜色光线的单色斑状垂直结构LED芯片进行组合，形成多色组合
圆形垂直结构LED芯片；
[0033]S103，对多色组合圆形垂直结构LED芯片的单色斑状垂直结构LED芯片间微距进行微距调节，直至适应芯片组装结构间隙及封装结构间隙，以及多种颜色的光线混合，获得多色组合圆形混合LED芯片。
[0034]优选的，所述S200包括：
[0035]S201，将氮化铝粉料、烧结添加助剂、有机溶剂、粘结剂混合均匀制成浆料，并经过流延制成氮化铝陶瓷基板单层坯片；将氮化铝陶瓷基板单层坯片进行层压成多层陶瓷生坯片；采用组合模冲成圆形氮化铝陶瓷底片；在圆形氮化铝陶瓷底片上冲出底片通孔；其中，氮化铝陶瓷基板层材料包括：氮化铝85％～95％，烧结添加助剂：二氧化锰1％
‑
2％，二氧化钛2％
‑
3％，氧化镁2％
‑
5％；有机溶剂：40
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种圆形超匀光LED芯片，其特征在于，包括：超匀光瓣状组合芯片层，将垂直结构LED芯片按照预设置圆形圆周进行圆周切割，并进一步按照预设计圆心角进行径向切割、组合及微距调节，获得多色组合圆形混合LED芯片；同心圆陶瓷基板衬底层，与超匀光瓣状组合芯片层同心，将铜金属层与氮化铝陶瓷基板层黏合，形成与多色组合圆形混合LED芯片圆心相同的同心圆陶瓷基板衬底层；导热银胶及过流金线层，通过导热银胶进行LED芯片线路的跳线粘结导热、氧化物半导体膜粘结及电极引出防护；通过过流金线组进行LED芯片的电极引出、导电连接；圆弧形封装混合增亮层，通过超白玻璃基础材料构成圆弧形封装结构以及镶嵌在超白玻璃基片层内的一层散射玻璃微粒，进行多种颜色发光芯片的多种颜色光线超均匀混合；最终构成封装圆形超匀光LED芯片，将多种颜色光线形成多折射微反射超匀光增亮彩光。2.根据权利要求1所述的一种圆形超匀光LED芯片，其特征在于，所述超匀光瓣状组合芯片层包括：单色瓣状LED芯片，将垂直结构LED芯片的上下电极接触点按照预设置圆形圆周内均匀分布在LED导电层上；按照预设置圆形圆周进行圆周切割，形成单色圆形垂直结构LED芯片；将单色圆形垂直结构LED芯片进一步按照预设计圆心角进行径向切割；形成单色瓣状垂直结构LED芯片；单色组合LED芯片，将发射不同颜色光线的单色斑状垂直结构LED芯片进行组合，形成多色组合圆形垂直结构LED芯片；LED芯片调节组合，对多色组合圆形垂直结构LED芯片的单色斑状垂直结构LED芯片间微距进行微距调节，直至适应芯片组装结构间隙及封装结构间隙，以及多种颜色的光线混合，获得多色组合圆形混合LED芯片。3.根据权利要求1所述的一种圆形超匀光LED芯片，其特征在于，所述同心圆陶瓷基板衬底层包括：氮化铝陶瓷基板层，经过流延制成氮化铝陶瓷基板单层坯片；将氮化铝陶瓷基板单层坯片进行层压成多层陶瓷生坯片；层压后即形成多层圆形氮化铝陶瓷底片组成的氮化铝陶瓷基板层；界面间共晶熔体层，用于将铜金属层与氮化铝陶瓷基板层黏合，获得界面间共晶熔体层；蚀刻铜金属叠加层，依据线路设计，通过蚀刻形成氮化铝基底铜金属层蚀刻线路；将多层氮化铝基底铜金属层蚀刻线路叠加，形成与多色组合圆形混合LED芯片圆心相同的同心圆陶瓷基板衬底层。4.根据权利要求1所述的一种圆形超匀光LED芯片，其特征在于，所述导热银胶及过流金线层包括：导热银胶粘接层，用于LED芯片线路的跳线粘结导热、氧化物半导体膜粘结及电极引出防护；过流金线组，用于LED芯片的电极引出、导电连接；过流金线包括：金元素：99.995％
‑
99.998％，银元素0.0005％
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0.0008％，铜元素0.0003％
‑
0.0005％，硅元素0.0005％
‑
0.001％，钙元素0.0003％
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0.0005％，镁元素0.0002％
‑
0.0005％，极微量低于难以避免的其他杂质成份；通过键合拉丝制备过流金线。
5.根据权利要求1所述的一种圆形超匀光LED芯片，其特征在于，所述圆弧形封装混合增亮层包括：超白玻璃基片层，用于通过超白玻璃基础材料构成圆弧形玻璃封装防护层的圆弧形封装结构；光路散射微粒层，用于通过镶嵌在超白玻璃基片层内的一层散射玻璃微粒，进行多种颜色发光芯片的多种颜色光线超均匀混合；荧光表面涂覆层，用于将荧光玻璃粉涂覆在圆弧形封装结构的外表面；最终构成封装圆形超匀光LED芯片，将多种颜色光线形成多折射微反射超匀光增亮彩光。6.一种圆形超匀光LED芯片的切割和封装方法，其特征在于，包括：S100，将垂直结构LED芯片按照预设置圆形圆周进行圆周切割，并进一步按照预设计圆心角进行径向切割、组合及微距调节，获得多色组合圆形混合LED芯片；S200，与超匀光瓣状组合芯片层同心，将铜金属层与氮化铝陶瓷基板层黏合，形成与多色组合圆形混合LED芯片圆心相同的同心圆陶瓷基板衬底层；S300，通过导热银胶进行LED芯片线路的跳线粘结导热、氧化物半导体膜粘结及电极引出防护；通过过流金线组进行LED芯片的电极引出、导电连接；S400，通过超白玻璃基础材料构成圆弧形封装结构以及镶嵌在超白玻璃基片层内的一层散射玻璃微粒，进行多种颜色发光芯片的多种颜色光线超均匀混合；结合荧光玻璃粉涂覆，最终形成多种颜色光线多折射微反射超匀光增亮彩光。7.根据权利要求6所述的一种圆形超匀光LED芯片的切割和封装方法，其特征在于，所述S100包括：S101，将垂直结构LED芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伦松，周国东，
申请(专利权)人：广州市明电照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：