本发明专利技术揭露一种发光二极管封装结构及发光二极管封装结构制造方法。发光二极管封装结构包含基板、发光芯片、色转换封装体及透明封装体。色转换封装体包覆设置于基板上的发光芯片的所有出光面，色转换封装体掺有色转换粒子，且部分的色转换粒子露出于色转换封装体的至少一侧面。透明封装体不掺有任何色转换粒子，且透明封装体与色转换封装体的各个侧面相连接，而遮蔽露出于任一个侧面的色转换粒子。本发明专利技术的发光二极管封装结构在高湿度的环境中，发光二极管封装结构的外表面不容易出现黑斑的问题。斑的问题。斑的问题。
【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装结构及发光二极管封装结构制造方法
[0001]本专利技术涉及一种发光二极管封装结构及发光二极管封装结构制造方法，特别是适合应用于高湿度环境中的发光二极管封装结构及其制造方法。
技术介绍
[0002]现有常见的发光二极管封装结构，主要包含一基板、一发光芯片及一封装体，发光芯片设置于基板，封装体掺有荧光粉，封装体包覆发光芯片，而发光芯片发出的光束，通过封装体后将转换为白光。此种发光二极管封装结构，在设置于高温、高湿度的环境中时，露出于封装体的任一个侧面的荧光粉，容易受环境影响而发生质变，发生质变的荧光粉可能会变成黑色物质，从而影响发光二极管封装结构的出光效果。
技术实现思路
[0003]本专利技术公开一种发光二极管封装结构及发光二极管封装结构制造方法，用以改善习知的发光二极管封装结构，在接触到外部液体或是水气时，在发光二极管封装结构的封装体的切割面容易出现黑点的问题。
[0004]本专利技术的其中一个实施例公开一种发光二极管封装结构制造方法，其包含：一固定步骤：将多个发光芯片间隔地固定于一基板；一色转换封装结构成型步骤：于基板上形成一色转换封装结构；色转换封装结构包覆各个发光芯片的所有发光面；色转换封装结构内掺有至少一种色转换粒子；各个发光芯片所发出的光束通过色转换封装结构后将转换为白光；一去除步骤：去除部分的色转换封装结构，以将色转换封装结构切割为多个色转换封装体，各个色转换封装体包覆至少一个发光芯片，且色转换封装体具有一顶面及四个侧面，顶面的周缘与四个侧面相连接；各个侧面为切割面，而部分的色转换粒子外露于至少一个侧面；一透明封装结构成型步骤：于基板上形成一透明封装结构，透明封装结构连接各个色转换封装体的各个侧面与顶面；透明封装结构内不掺有任何色转换粒子；一切割步骤：切割透明封装结构及基板，以形成多个发光二极管封装结构，各个发光二极管封装结构包含基板的一部分、至少一个发光芯片、一个色转换封装体及由部分的透明封装结构所构成的一透明封装体，各个透明封装体是包覆其所连接的色转换封装体的四周，而由任一个侧面外露的色转换粒子是被透明封装体遮蔽。
[0005]优选地，于色转换封装结构成型步骤中，是利用一模具形成色转换封装结构，而色转换封装结构的顶面是呈现为平坦状。
[0006]优选地，于色转换封装结构成型步骤及去除步骤之间，还包含一磨平步骤：利用一抛光设备，对色转换封装结构相反于基板的一顶面进行抛光；于透明封装结构成型步骤中，是使透明封装结构包覆各个色转换封装体，而由各个色转换封装体的一顶面外露的色转换粒子是被透明封装结构遮蔽；于切割步骤后所形成的各个发光二极管封装结构的透明封装体则是包覆其所连接的色转换封装体的顶面及各个侧面。
[0007]优选地，于固定步骤中，是以打线接合技术将多个发光芯片固定于基板；其中，色
转换封装体的邵氏硬度A(Shore A)介于30～90度，透明封装体的邵氏硬度D(Shore D)介于30～90度，而透明封装体的邵氏硬度大于色转换封装体的邵氏硬度。
[0008]优选地，于固定步骤中，是以覆晶技术将多个发光芯片固定于基板上；色转换封装体是由包含掺有多个色转换粒子的一材料组成，材料的邵氏硬度D介于30～90度，透明封装体是由未掺有多个色转换粒子的材料组成。
[0009]本专利技术的其中一个实施例公开一发光二极管封装结构，其包含：一基板；至少一发光芯片，其固定设置于基板；一色转换封装体，其设置于基板，且色转换封装体包覆发光芯片的所有发光面；色转换封装体内掺有至少一种色转换粒子；发光芯片所发出的光束通过色转换封装体后将转换为白光；色转换封装体具有一顶面及四个侧面，顶面的周缘与四个侧面相连接；各个侧面为切割面，而部分的色转换粒子外露于至少一个侧面；一透明封装体，其设置于基板，透明封装体内不掺有任何色转换粒子，透明封装体包覆色转换封装体的四周，而由任一个侧面外露的色转换粒子是被透明封装体遮蔽。
[0010]优选地，色转换封装体的顶面包含至少一抛痕结构，部分的色转换粒子外露于顶面；透明封装体包含四个侧部及一顶部，四个侧部与色转换封装体的四个侧面相连接，顶部与色转换封装体的顶面相连接，由顶面外露的色转换粒子是被顶部遮蔽；侧部的厚度介于0.05～0.5毫米；顶部的厚度介于0.05～0.5毫米。
[0011]优选地，色转换封装体的顶面为切割面，而部分的色转换粒子外露于顶面；透明封装体包含四个侧部及一顶部，四个侧部与色转换封装体的四个侧面相连接，顶部与顶面相连接，由顶面外露的顶面的色转换粒子是被顶部遮蔽；顶部的厚度介于0.05～0.5毫米。
[0012]优选地，色转换封装体的邵氏硬度A(Shore A)介于30～90度，透明封装体的邵氏硬度D(Shore D)介于30～90度，而透明封装体的邵氏硬度大于色转换封装体的邵氏硬度，发光芯片通过多条导线与基板电性连接。
[0013]优选地，发光芯片包含多个接脚结构，基板包含多个电连接结构，发光芯片的接脚结构通过焊接结构与多个电连接结构相连接，色转换封装体是由包含掺有多个色转换粒子的一材料组成，材料的邵氏硬度D(Shore D)介于30～90度，透明封装体是由未掺有多个色转换粒子的材料组成。
[0014]综上所述，本专利技术的发光二极管封装结构及本专利技术的发光二极管封装结构制造方法所制造出的发光二极管封装结构，通过透明封装体的设计，可以让外露于色转换封装体的色转换粒子，相对不容易发生质变的问题，特别是在发光二极管封装结构处于高温、高湿度的环境中。
[0015]为能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本专利技术，而非对本专利技术的保护范围作任何的限制。
附图说明
[0016]图1为本专利技术的发光二极管封装结构的示意图。
[0017]图2为本专利技术的发光二极管封装结构的剖面侧视图。
[0018]图3为本专利技术的发光二极管封装结构的基板、发光芯片及色转换封装体的剖面侧视图。
[0019]图4为本专利技术的发光二极管封装结构的第二实施例的剖面侧视图。
[0020]图5为本专利技术的发光二极管封装结构的第三实施例的剖面侧视图。
[0021]图6为本专利技术的发光二极管封装结构的第四实施例的剖面示意图。
[0022]图7为本专利技术的发光二极管封装结构制造方法的第一实施例的流程示意图。
[0023]图8至图11为本专利技术的发光二极管封装结构制造方法的第一实施例的流程示意图。
[0024]图12为本专利技术的发光二极管封装结构制造方法的第一实施例的切割步骤前所制作出的构件局部剖面示意图。
[0025]图13为本专利技术的发光二极管封装结构制造方法的第二实施例的流程示意图。
[0026]图14为本专利技术的发光二极管封装结构制造方法的第二实施例的切割步骤前所制作出的构件的局部剖面示意图。
[0027]图15为本专利技术的发光二极管封装结构制造方法的第二实施例所制造出的多个发光二极管封装结构的示意图。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构制造方法，其特征在于，所述发光二极管封装结构制造方法包含：一固定步骤：将多个发光芯片间隔地固定于一基板；一色转换封装结构成型步骤：于所述基板上形成一色转换封装结构；所述色转换封装结构包覆各个所述发光芯片的所有发光面；所述色转换封装结构内掺有至少一种色转换粒子；各个所述发光芯片转换粒子；各个所述发光芯片所发出的光束通过所述色转换封装结构后将转换为白光；一去除步骤：去除部分的所述色转换封装结构，以将所述色转换封装结构切割为多个色转换封装体，各个所述色转换封装体包覆至少一个所述发光芯片，且所述色转换封装体具有一顶面及四个侧面，所述顶面的周缘与四个所述侧面相连接；各个所述侧面为切割面，而部分的所述色转换粒子外露于至少一个所述侧面；一透明封装结构成型步骤：于所述基板上形成一透明封装结构，所述透明封装结构连接各个所述色转换封装体的各个所述侧面与顶面；所述透明封装结构内不掺有任何色转换粒子；一切割步骤：切割所述透明封装结构及所述基板，以形成多个发光二极管封装结构，各个所述发光二极管封装结构包含所述基板的一部分、至少一个所述发光芯片、一个所述色转换封装体及由部分的所述透明封装结构所构成的一透明封装体，各个所述透明封装体是包覆其所连接的所述色转换封装体的四周，而由任一个所述侧面外露的所述色转换粒子是被所述透明封装体遮蔽。2.依据权利要求1所述的发光二极管封装结构制造方法，其特征在于，于所述色转换封装结构成型步骤中，是利用一模具形成所述色转换封装结构，而所述色转换封装结构的顶面是呈现为平坦状。3.依据权利要求1所述的发光二极管封装结构制造方法，其特征在于，于所述色转换封装结构成型步骤及所述去除步骤之间，还包含一磨平步骤：利用一抛光设备，对所述色转换封装结构相反于所述基板的一顶面进行抛光；于所述透明封装结构成型步骤中，是使所述透明封装结构包覆各个所述色转换封装体，而由各个所述色转换封装体的一顶面外露的所述色转换粒子是被所述透明封装结构遮蔽；于所述切割步骤后所形成的各个所述发光二极管封装结构的所述透明封装体则是包覆其所连接的所述色转换封装体的所述顶面及各个所述侧面。4.依据权利要求1所述的发光二极管封装结构制造方法，其特征在于，于所述固定步骤中，是以打线接合技术将多个所述发光芯片固定于所述基板；其中，所述色转换封装体的邵氏硬度A介于30～90度，所述透明封装体的邵氏硬度D介于30～90度，而所述透明封装体的邵氏硬度大于所述色转换封装体的邵氏硬度。5.依据权利要求1所述的发光二极管封装结构制造方法，其特征在于，于所述固定步骤中，是以覆晶技术将多个所述发...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢欣珀，
申请(专利权)人：光感动股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。